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2018“青山湖杯”微纳智造(集成电路)创新挑战赛 圆满收官

2018年12月27日 15:33 次阅读

12月26日,由杭州城西科创产业集聚区管委会、杭州市临安区人民政府主办,浙江杭州青山湖科技城管委会、摩尔精英共同承办、电子发烧友网协办的2018“青山湖杯”微纳智造(集成电路)创新挑战赛决赛在青山湖科技城微纳智造小镇举行。

此次大赛,于今年9月底启动,吸引了全国各地200多个项目团队参加,涵盖集成电路领域芯片应用、芯片设计、智能显示、智能家居、智能医疗、封装测试等诸多方面。最终,12个项目一路过关斩将,进入今天决赛现场。

进入决赛的这12个项目团队,人才力量雄厚,有21名海归,国内外知名高校21名博士,8名硕士,而且不少项目团队成员拥有丰富的技术或营销经验,如云晋智能工业4.0智能存储芯片项目创始人曾任美国LSI/Sandforce(美国硅谷)研发主管,团队其他成员拥有美国各大研发公司主管20年以上工作经历;英多半导体检测项目创始人曾就职三星半导体18年,拥有半导体领域丰富的经验和客户关系。不少项目拥有技术优势,如用于肝干细胞规模化培养监测的无线无源传感技术项目获得2018年国家重点研发计划相关领域支持,拥有国家发明专利40多项,已实现了丙肝病毒基因分型检测芯片,转化产品取得国家一类新药证书。一些项目则已初步打开市场,如新一代功率器件——联栅功率管项目拥有13项发明专利,其400V系列用于电子镇流器领域,小批量试产通过市场验证,并且在临安拥有多家照明厂家客户。

担任本次大赛评委的是华登国际合伙人王林、湖杉资本创始人苏仁宏、浙江省半导体行业协会秘书长陈光磊、阿里云IoT事业部首席架构师陈苑锋等8位来自国内集成电路产业的资深专家和重量级投资人。

经过激烈角逐,最终5G通讯射频芯片项目、ILLUM深度学习人工智能芯片项目斩获大赛一等奖,氮化镓(GaN)第三代半导体器件和驱动芯片、高功率半导体激光芯片、基于双目视觉的3D测量系统、云晋智能工业4.0智能存储芯片等4个项目获得大赛二等奖,基于机器视觉的超高精度激光差分干涉原子力检测系统、英多半导体检测项目、新一代功率器件——联栅功率管、无线无源生物传感器、高算力低功耗芯片与系统、面向终端的低功耗人工智能芯片等6个项目获三等奖。

据悉,5G通讯射频芯片项目主要是基于其团队自主研发的射频通信电路设计技术和系统整合技术,采用先进的射频CMOS工艺和MCP封装工艺,设计出0-6GHz全频可调射频芯片组。该项目技术支持符合标准的下一代移动通信(5G)规范要求,兼容4GLTE和3G移动通信;产品已经在台积电流片,已签署高达上亿元的意向订单。ILLUM深度学习人工智能芯片项目主要是以16nm制程为基础,着力提升RISC-V多核并行运算能力与片上系统资源整合,打造超高算力的并行处理构架与软件SDK为一体的生态体系,并已于今年初完成初版芯片IP在机器人、智能货运、无人驾驶领域的验证。

大赛是临安区首个专注集成电路领域中早期项目的高规格创新创业赛事,旨在吸引上游微纳器件设计与下游应用方案企业,逐步在青山湖科技城形成百亿级微纳电子元器件、千亿级软硬件终端产品企业集群,为创新创业团队提供专家指导、技术对接、园区落地及投融资全程服务。

大赛主办方代表,临安区委常委、青山湖科技城党工委书记沈慧表示,青山湖微纳智造小镇将通过大赛等方式,汇聚微纳智造(集成电路)领域创新资源,建设全省集成电路产业高地、中国新型高端存储器基地。

【链接】:青山湖微纳智造小镇位于青山湖科技城核心区,于2018年1月16日正式启动建设,规划面积3.17平方公里,建设的目的就是要推动芯片设计测试认证、半导体高端装备制造、智能传感器与物联网应用集成等产业集聚。目前,小镇已经引进了26个投资总额约79亿元的微纳产业项目,涵盖新型高端存储芯片、光刻机工件台、光刻机浸液系统等3个国家科技重大专项以及青山湖微纳技术研发开放平台等。

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LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

发表于 2018-09-17 15:48 14次阅读
LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 2018-09-13 14:35 26次阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 2018-09-06 17:29 33次阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 2018-08-06 17:13 162次阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

发表于 2018-08-03 17:56 80次阅读
LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...