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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>

缓冲/存储技术

电子发烧友网本栏目为缓冲/存储技术专区,有丰富的缓冲/存储技术应用知识与缓冲/存储技术资料,可供缓冲/存储技术行业人群学习与交流。
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM

DS1647为512k x 8非易失性静态RAM

  DS1647为512k x 8非易失性静态RAM,包括一个完备的实时时钟,两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等...

2010-10-22 标签:非易失DS1647非易失 1243

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

  DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控...

2010-10-21 标签:SRDS1345WSR 1009

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

  DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-21 标签:非易DS1350W非易 897

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

  DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM,...

2010-10-21 标签:非易失DS1350非易失 892

DS9034PCX PowerCap的设计

DS9034PCX PowerCap的设计

  该DS9034PCX PowerCap的设计是一个在达拉斯半导体非易失时钟RAM的锂动力源的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。经过PowerCap模块板焊接已经到位并清洗,DS9034PCX PowerCap是放置在PCM...

2010-10-21 标签:DS9034PCX 1226

DS1220Y 16k非易失SRAM

  DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路...

2010-10-20 标签:非易DS1220Y非易 1196

基于浮栅技术的闪存

  恒忆闪存基于浮栅技术。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子,因此,晶体管的阈值电压被修改(偏离原始...

2010-10-18 标签:闪存浮栅技术闪存 1637

磁盘阵列消除系统管理程序的存储压力

磁盘阵列消除系统管理程序的存储压力

专用磁盘阵列,例如IBM的XIV及其他产品,会执行那些原本得由操作系统或系统管理程序执行的功能。而原先的做法则会给虚拟平台造成额外压力。...

2010-10-17 标签:存储磁盘阵列 1089

FPGA中SPI Flash存储器的复用编程方法的实现

FPGA中SPI Flash存储器的复用编程方法的实现

SPI(Serial Peripheral Interface,串行外围设备接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线,在芯片的引脚上只占用4根线,不仅...

2010-10-13 标签:FPGASPIFlash存储器 4750

GIS数据库系统中OCI的应用

GIS数据库系统中OCI的应用

  O 引言   Oracle凭借其优越的稳定性和卓越的性能在众多领域里有着广泛的应用。高性能是Oracle优...

2010-10-13 标签:GISOCI 935

DS2433 4K位1-Wire® EEPROM

DS2433 4K位1-Wire® EEPROM

  DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM,用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的...

2010-10-13 标签:EEPDS2433EEP 2479

重复数据删除技术分析及分类

          重复数据删除也称为智能压缩或单一实例存储,是一种可自动搜索重复...

2010-10-10 标签: 885

基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统

基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统

  O 引言   面对不同的应用场景,原始采样数据可能包含多种不同样式的信号,这给传统基于连续存储方式的数据缓存系统带来了挑战。除此之外,由于对不同信...

2010-10-08 标签:SDRAM数据缓存 1191

存储器数据的软误差率(SER)问题

  软误差率(SER)问题是于上个世纪70年代后期作为一项存储器数据课题而受到人们的广泛关注的,当时DRAM开始呈现出随机故障的征兆。随着工艺几何尺寸的不断缩小,引起失调所...

2010-08-31 标签:存储器sese存储器软误差 2080

非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。   铁电存储器(FeRAM)   铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易...

2010-08-31 标签:FE 1953

爱国者MP6在CES上尽显“中国创造”魅力

爱国者MP6在CES上尽显“中国创造”魅力 国际上颇有影响力的消费电子展 CES 在拉斯维加斯开幕,来自中国第一数码品牌华旗爱国者展出的 MP6 产品,通过无线点读笔点击...

2010-01-12 标签:爱国者录音笔 884

学习PLC的2个简单方法

学习PLC的2个简单方法 有的初学者在理论上花了很多功夫,结果半年下来还是没有把PLC搞懂,其实他们只是缺少了一些PLC的实践经验,...

2010-04-02 标签:plc 1549

银灿科技三段式防写技术,保护你的U盘不受病毒侵害

银灿科技三段式防写技术,保护你的U盘不受病毒侵害 现在U盘的使用已经很普及,但用过的人可能都有过U盘中毒的经历,并且对这种很难对付的U盘病毒十分头大。U盘...

2010-03-11 标签:IS 8三段式防写 1624

恒忆创新多位配置串口NOR闪存加速嵌入式应用性能

恒忆创新多位配置串口NOR闪存加速嵌入式应用性能 恒忆(Numonyx)在IIC深圳站宣布推出业界首款 65nm 多位输入输出(1 位、2 位和 4 位)SPI闪存系列产品--Forté N25Q,该产...

2010-03-08 标签:恒忆Spansio恒忆 861

凌力尔特发布两节超级电容器充电器系列的最新产品

凌力尔特发布两节超级电容器充电器系列的最新产品

凌力尔特发布两节超级电容器充电器系列的最新产品 凌力尔特公司 (Linear) 推出两节超级电容器充电器系列的最新产品 LTC4425,该产品系列在便携式和数据存储应用中满...

2010-03-04 标签:超级LTC4425超级 1081

IC与LCD的常见连接方式

IC与LCD的常见连接方式 1.SMT:是英文“Surface mount technology”的缩写。即表面安装技术,这是一种较传统的安装方式。其优点是可靠性高,缺...

2010-03-03 标签:连接方式 1123

Numonyx和Macronix第四季度加热NOR闪存市场

Numonyx和Macronix第四季度加热NOR闪存市场

Numonyx和Macronix第四季度加热NOR闪存市场 据iSuppli公司,经济复苏已带动长期低迷的NOR闪存市场反弹,类似于整体内存市场的情形。 2009年第四季度总体NOR营业...

2010-03-02 标签:闪存液晶 611

IR推出新型Gen2.1 SupIRBuck集成稳压器

IR推出新型Gen2.1 SupIRBuck集成稳压器

IR推出新型Gen2.1 SupIRBuck集成稳压器 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 为高性能节能服务器、存储系统和网络通信应用扩展其SupIRBuck集成负载点 (POL) 稳压器系...

2010-03-01 标签:SupIRBuck 633

分析师热议美光并购恒忆案

分析师热议美光并购恒忆案 美光(Micron)以12.7亿美元总价并购恒忆(Numonyx),为内存产业版图又创新局,究竟后续可能对市场影响为何,以下是各家分析师的说法。 ...

2010-02-24 标签:DRAMNAND 498

英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼

英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼 英飞凌科技股份公司近日宣布,该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书,...

2010-02-24 标签:半导体专利 658

IIC-China 2010参展商展前专访:明科世纪

IIC-China 2010参展商展前专访:明科世纪 原文地址:http://www.eet-china.com/ART_8800597744_626963_NT_de181e51.HTM IIC-China 2010将于今年3月份在深圳(3月4-5日)...

2010-02-09 标签:Keentech 701

LSI推出采用6Gb/s SAS技术的3ware 9750系

LSI推出采用6Gb/s SAS技术的3ware 9750系列控制卡 LSI公司日前宣布推出了采用 6Gb/s SAS 技术的全新系列高性能LSI 3ware SATA+SAS RAID控制卡。全新 3ware 9750系列控制卡现可立即面向...

2010-01-25 标签:LSI 1179

基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自举引导

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基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自举引导 在基于DSP的系统设计中,为了保证掉电时程序不丢失,总是将程序保存在非易失性存储器中,以便系统在上电复位时可将其引导到DS...

2010-01-12 标签:TMS320C671 2103

中国创造再传捷报,爱国者存储增长50%

中国创造再传捷报,爱国者存储增长50% 近日,华旗爱国者又传来一个好消息:在2009财年存储业绩整体增长50%,这是在全球金融危机环境中“中国创造”突出表现的又一...

2010-01-07 标签:爱国者g-safe爱国者 744

美光科技公布2010财年第一季度业绩

美光科技公布2010财年第一季度业绩 美光科技有限公司日前公布了公司截至2009年12月3日的2010财年第一季度经营业绩。其2010财年第一季度的净营业额为17.4亿美元,其中...

2009-12-29 标签:NA 782

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