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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>三星成功开发新型硅通孔(TSV)8 层技术的DDR5芯片

三星成功开发新型硅通孔(TSV)8 层技术的DDR5芯片

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十铨称已成功开发DDR5 SO-SIMM内存,希望率先与Intel、AMD的新平台进行验证合作

去年底,TEAMGROUP(十铨)宣布正开发DDR5内存条(U-DIMM,用于台式机)。现在,SO-DIMM形态的DDR5内存也官宣了,笔记本、迷你机、NAS等将因此受益。 十铨称已成功开发
2021-01-26 16:43:212616

三星大力生产DDR5,加速DDR4向DDR5过渡

通过对硅层进行研磨,三星已经能够使组成裸片的厚度减少40%,并同样减少层间距——因此这些密度更大的DDR5集成芯片组实际上更薄,分别为1.0毫米和 1.2 毫米。
2022-06-28 15:10:251026

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

(nm)级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。‍ “  三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示: 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:54756

ddr5的主板可以用ddr4内存吗 几代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4内存。DDR5(第五代双倍数据率)和DDR4(第四代双倍数据率)是两种不同规格的内存技术,它们在电气特性和引脚布局上存在明显差异。因此,DDR5内存模块无法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4内存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823

ddr5为什么能跑得那么稳呢

随着DDR5信号速率的增加和芯片生产工艺难度的加大,DRAM内存出现单位错误的风险也随之增加,为进一步改善内存信道,纠正DRAM芯片中可能出现的位错误,DDR5引入了片上ECC技术,将ECC集成到DDR5芯片内部,提高可靠性并降低风险,同时还能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106

澜起科技宣布推出DDR5第四子代寄存时钟驱动器芯片DDR5 RCD04)

近日,澜起科技宣布推出DDR5第四子代寄存时钟驱动器芯片DDR5 RCD04),该芯片支持高达7200 MT/s的数据速率,较DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:58289

澜起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片

澜起科技,一直致力于引领内存接口芯片领域的创新,近日再次实现了重大突破。经过不断的技术积累和产品升级,他们成功研发出DDR5第四子代RCD芯片DDR5 RCD04),进一步巩固了其在这一领域的领先地位。
2024-01-07 16:30:11457

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