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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用创新存储技术串起关键数据存储一揽子解决方案

FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用创新存储技术串起关键数据存储一揽子解决方案

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什么是FRAM,它的优势都有哪些

富士通FRAM主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成,速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗
2021-05-04 10:17:001850

关于富士通FRAM技术和工作原理的详细讲解

不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 富士通FRAM技术和工作原理 FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。 •当一个电场被加到铁电晶体时,
2021-05-04 10:16:00515

富士通这么多的FRAM都用到了哪些领域之中

与传统的存储技术相比,FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来,出货量更是超过了41亿颗!咱们富士通这么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走来,它是如何崛起的

FRAM是如何崛起的呢? 以销量数据而论,FRAM一路走来已然大获成功:截止2016年富士通全球FRAM存储器累计销量已超过33亿片,其中面向世界电表客户累计交货4000万片,FRAM在威胜集团、海兴电力、林洋能源、Itron、西门子等业界主流的电表供应商中的应用渗透率非常高
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性铁电存储FRAM有着广泛的应用

富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储FRAM富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器,FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗
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2021-05-11 17:18:08503

富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等工业领域

,只要不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM 是一种与 Flash 相同的非易失性存储器。 经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通 FRAM 产品已成功应用于智能卡及 IC 卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医
2021-05-24 15:31:081638

富士通FRAM主要具备的三大优势是什么

不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗RFID标
2021-06-08 16:51:17436

串行FRAM存储器64K MB85RS64概述及特点

富士通FRAM是新一代非易失性存储器,其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存储器MB85RS128B概述及特点

富士通FRAM(铁电RAM)是新一代非易失性存储器,性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器,功耗更低,速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储
2021-06-28 15:52:461394

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力实现高速数据传输

富士通半导体一款具有快速数据传输功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最高108MHz的工作频率和带有四个I/O引脚的Quad SPI接口下实现每秒54MB
2021-07-26 18:05:54713

富士通FRAM存储器的详细介绍

FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存储器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加贺富仪艾电子旗下代理品富士通半导体的FRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。 这么优质的存储器都用在了哪里呢?今天小编就为大家梳理一下FRAM的应该领域。 物联
2021-10-28 10:26:562565

富士通新品8Mbit FRAM高达100万亿次的写入耐久性

FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点,富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片,这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

FRAM 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 (如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123

使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案

       FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。          富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿
2022-01-12 15:12:20351

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

器是一款非易失性存储器产品,与传统的非易失性存储器相比,具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。   近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通推出12Mbit电阻式随机存取存储器MB85AS12MT

富士通半导体存储解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT,这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。
2022-04-24 16:06:021133

铁电存储FRAM

铁电存储器称FRAM或FeRAM,FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质,利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。    FRAM结构图 FRAM技术特点: 非易失性:断电
2022-11-10 17:00:141785

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片
2023-11-09 13:59:01432

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