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富士通FRAM产品特性介绍(视频)

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什么是FRAM,它的优势都有哪些

富士通FRAM主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成,速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗
2021-05-04 10:17:001850

关于富士通FRAM技术和工作原理的详细讲解

不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 富士通FRAM技术和工作原理 FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。 •当一个电场被加到铁电晶体时,
2021-05-04 10:16:00515

富士通这么多的FRAM都用到了哪些领域之中

与传统的存储技术相比,FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来,出货量更是超过了41亿颗!咱们富士通这么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走来,它是如何崛起的

FRAM是如何崛起的呢? 以销量数据而论,FRAM一路走来已然大获成功:截止2016年富士通全球FRAM存储器累计销量已超过33亿片,其中面向世界电表客户累计交货4000万片,FRAM在威胜集团、海兴电力、林洋能源、Itron、西门子等业界主流的电表供应商中的应用渗透率非常高
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富士通的非易失性铁电存储器FRAM有着广泛的应用

富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器,FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗
2021-04-26 15:49:16689

富士通FRAM实现低成本通用智能表计的方案说明

经过智能电表市场的长期验证,富士通FRAM产品在不断优化性能与降低成本的同时也逐步转向更广泛的智能表计市场。富士通FRAM在近几年也逐渐打入全球智能水和气表的主流供应链,成为准确记录和存储智能水和气
2021-05-08 15:41:37421

FRAM车规级是满足汽车电子无延迟要求的优先存储器选择

开发和量产及组装程序。富士通代理商宇芯电子本篇文章简单介绍一下为何可以说FRAM车规级是满足汽车电子可靠性和无延迟要求的优先存储器选择。 为什么这么说?这就要从FRAM产品特性开始说起。FRAM的学术名字叫做FERAM,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,
2021-05-11 17:17:09704

富士通FRAM在存储智能电表重要数据应用中的作用

商需考虑挑选合适的存储产品予以应对。富士通FRAM在需要准确记录和存储智能电表重要数据的应用中、发挥着关键作用。 例如电表使用的重要数据,需要在非常短的间隔(1-3次/秒)里保存在存储器,并确保掉电情况下数据依然完整。
2021-05-11 17:18:08503

富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等工业领域

,只要不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM 是一种与 Flash 相同的非易失性存储器。 经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通 FRAM 产品已成功应用于智能卡及 IC 卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医
2021-05-24 15:31:081638

富士通FRAM主要具备的三大优势是什么

不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗RFID标
2021-06-08 16:51:17436

富士通半导体正在量产快速数据传输功能产品

每秒 54MB 的数据传输速率。 该产品具有高速运行和非易失性的特点,非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备,如可编程逻辑控制器(PLC)和路由器。 20 多年来,富士通半导体量产的 FRAM 产品与 EEPROM 和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。迄今为止,这些
2021-06-25 15:26:231603

128K串行接口FRAM存储器MB85RS128B概述及特点

介质用于各种应用,包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。富士通代理英尚微介绍富士通半导体128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力实现高速数据传输

的数据传输速率。 MB85RQ4ML具有高速运行和非易失性的特点,非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备,如可编程逻辑控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持样品测试及技术支持。 富士通半导体20多年来量产的FRAM产品与EEPROM和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54713

富士通FRAM存储器的详细介绍

FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

富士通新品8Mbit FRAM高达100万亿次的写入耐久性

FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点,富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片,这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA,这是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写周期的产品。评估样品目前可用。
2022-01-10 15:50:314123

使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案

       FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。          富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿
2022-01-12 15:12:20351

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

是一款非易失性存储器产品,与传统的非易失性存储器相比,具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。   近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通在不同业务场景下的具体变革

富士通近日发布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022(富士通技术与服务愿景,以下简称“FT&SV”)》,对富士通面向未来的商业与社会愿景进行了展望。
2022-08-30 10:27:191108

关于FRAM技术的设备配置介绍

设计人员可以找到FRAM存储器支持并行,SPI串行或I2C / 2线串行接口。例如,连同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM富士通提供1MB的SPI串行器,MB85RS1MT,使设计人员能够采用典型的SPI主/从配置(图1)设备的任意数字。
2022-11-18 16:48:271466

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片
2023-11-09 13:59:01432

什么是FRAM?关于铁电存储器FRAM特性介绍

FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是:“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417

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