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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>“多、快、省”,FRAM以领先特性解决应用瓶颈、促进产品创新

“多、快、省”,FRAM以领先特性解决应用瓶颈、促进产品创新

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华为“创新”已到瓶颈期?

编者按 :手机圈已经趋向平静,只有当5G真正来临之时,才会有新的“惊喜”出现吧。 “创新”已到瓶颈期? 本文引用地址: 8月30日晚,华为在德国召开发布会,“惊喜”发布荣耀智慧手机Magic
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富士通半导体利用FRAM的高速写入,高读写耐久性(多次读写次数)特长, 提供RFID用LSI以及应用于电子设备的FRAM内置验证IC产品。富士通提供使用无限接口的FRAM内置RFID用LSI。富士通产品
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2021-05-11 17:32:202107

FRAM的应用场景

FRAM是电力计量系统中使用的主要存储器,由于具有高耐用性、快速写入和低能耗等优点,FRAM在此领域迅速占领了市场;随着电子设备和存储数据需求的增多使得FRAM受到广泛应用,FRAM能用于如智能电表、水表和煤气表等的常见的计量系统中。
2021-05-12 16:52:49616

西安紫光国芯亮相第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会

在第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会上,西安紫光国芯凭借世界领先的异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)成功斩获含金量极高的“中国芯”年度重大创新突破产品奖。本次获奖的SeDRAM可以突破冯·诺依曼架构的性能瓶颈,满足高性能计算、人工智能、近存计算、智能物联网等应用场景对高带宽、高容量内存的需求。
2021-12-30 15:35:152957

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM与SRAM的比较

铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口
2022-03-15 15:43:44741

什么是FRAM?关于铁电存储器FRAM特性介绍

FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是:“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417

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