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强力参战!英特尔推出 4 款 SSD 新系列挑战容量与效能

2016年04月05日 09:25 数位时代 作者:佚名 用户评论(0

  电脑晶片巨人英特尔(Intel)于美西时间 3 月 31 日在旧金山举办 Intel Cloud Day,发表多款伺服器级用 CPU、记忆体,并发表其自去年开始整合旗下多项不同云端产品与终端解决方案的云战略:Intel Cloud for all(英特尔全云方案),与其定义的「软体定义基础设施(Sofeware Define Infrastructure)」。

  英特尔在现场正式发表了他们以 3D NAND 技术所推出的固态记忆体硬碟(Solid state drive,SSD):DC P3320 与 P3520 系列。根据 Intel 的数据,相对于 SATA-based 的 SSD,其效能预计可达至多 5 倍。
 

  ▲ Intel 说明其 3D NAND 技术。(Source:英特尔)

  3D NAND 最多可以堆叠 32 层,把 256GB 的 MLC(multilevel cell, MLC)或 384 GB 的 TLC(triple-level cell)晶粒放进标準封装裡。理论上这个技术可以在现有 m.2 接口这种规格,口香糖般大小的 SSD 裡塞进约 3.5 TB 的资料,如果是目前笔记型电脑上主流的 2.5 吋硬碟大小,则可塞入高达 10 TB 的资料。

  ▲ 3D NAND 这种技术,可让 m.2 接口、口香糖般大小的 SSD 裡塞进约 3.5 TB 理论值的资料容量。

  固态记忆体硬碟(SSD)市场竞争激烈,根据集邦 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 报告的数据显示,2016 年第一季 SSD 市场价格因为传统淡季与工作日数少致使採购量降低,平均价格下修在 7 – 12% 左右,虽然每 GB 的单位成本仍差距最多达 4 倍,但主流 SSD 价格竞争力已经可以与传统机械式硬碟(HDD)竞争。

  ▲ 根据其测试数据,Intel 3D NAND 技术的 SSD 有明显的效能优势。

  叁星(Samsung)目前在 SSD 市场具有领先优势,并已经开始量产以更高密度的快闪记忆体 3D NAND 技术的 SSD。英特尔(Intel)也在 2015 年与美光(Micron Technology)合作,推出 3D NAND 技术,将资料储存元立体化,最高可以达到塬有储存装置的 3 倍容量。这个技术可以将资料密度提高、提供更大容量、节省成本,也进一步有机会更节省能源,以应付需要更高效能表现的行动应用或企业部署环境。

  ▲ Lisa Spelman 展示新款 SSD。

  英特尔也在同一个发表会裡发布了新款的双 PCI 通道 SSD:DC D3700 与 DC D3600 系列,D3700 採用非挥发性记忆体通道架构(Non-Volatile Memory Express,NVMe),这样的设计可以承受关键冗余(Critical Redundancy)与容错移转(failover);这样的设计可以提供多达 6 倍于传统双 SAS 通道的 SSD 效能。

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( 发表人:林锦翔 )

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