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DB3双向触发二极管,DB3双向触发二极管原理是什么

2010年02月26日 14:49 www.elecfans.co 作者:佚名 用户评论(0

DB3双向触发二极管,DB3双向触发二极管原理是什么

FEATURES
  VBO:32V and 40V
  LOW BREAKOVER CURRENT
DESCRIPTION
  Functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the DB3/DB4 series can be used in conjunction with triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorenscent lamp ballasts.
  A new surface mount version is now available in SOT-23 package, providing reduced space and compatibility with automatic pick and place equipment.

此型号器件提供多种品牌的品种

DB3 双向触发二极管 - STAR -  电子与电器
双向触发二极管DB3

  工作原理:二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层,并建自建电场。当外加电压不存在,是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的,同时漂移,并在平衡状态。当外面的世界有着积极的偏压,外电场与电场的相互自我抑制的作用,在消除承运人增加,从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压,外电场和电场,以进一步加强自身建设,在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到一定程度, PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中,大量的电子空穴对,有相当部分的数值反向击穿电流,击穿现象被称为二极管。 该类型的二极管 有许多类型的二极管,根据半导体材料的使用,可分为锗二极管(葛管)和硅二极管(硅管) 。根据其不同用途,可分为探测器二极管,整流二极管,二极管调节器,开关二极管,隔离二极管,肖特基二极管,发光二极管等。根据该核心结构,可分为点接触二极管,接触式平面二极管和二极管。二极管是一个联络点,与一个很小的金属丝压在清洁表面上的半导体芯片,一个脉冲电流,导线接触到年底晶片牢固烧结在一起,形成一个" PN结" 。点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安) ,适用于小型高频率电流电路,如无线电探测器。接触二极管的" PN结"面积较大,允许更大的电流(几的数十个) ,它可以用来变换交流电源到直流"整治"电路。平面二极管是一个特别设计的硅二极管,它不仅可以通过更大的电流,而且性能稳定可靠,以及更多交换机,以及高频率脉冲电路。

双向触发二极管主要参数和工作原理
DB3 双向触发二极管 - STAR -  电子与电器

  双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护等用途。

  图1是它的构造示意图。
  图2、图3分别是它的符号及等效电路,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。
  因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

  双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5)。
  当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(bo)时,器件呈高阻态。当U>V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。
  同样当U大于反向转折电压V(br)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。
  △V(b)=V(bo)-V(br)。
  一般△V(B)应小于2伏。
  双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V、100-150V、200-250V。
  由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管,表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。
  检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。
  用晶体管耐压测试器检测十分方便。
  如没有,可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次),电压大的一次V(br)。

  例如:
  测一只DB3型二极管,第一次为27.5V,反向后再测为28V,
  则△V(b)=V(bo)-V(br)=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。

  图7是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。
  通过调节电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。
  如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
  该电路在双向可控硅加散热器的情况下,可控负载功率可达500W,各元件参数见图所标注。

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