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晶圆制造主要设备市场情况

2019年10月14日 10:18 次阅读

半导体产业秩序/竞合关系陷入大洗牌

在More than Moore的时代,晶圆代工业者除了制程微缩之外,还有许多其他道路可走。不管是还留在先进制程竞技场上的台积电、三星英特尔,或是已经策略转向的联电、格芯,以及本来就走小而美路线的特殊制程晶圆代工业者,都必须用更全方位的眼光跟策略布局来面对未来市场需求的变化跟潜在竞争对手的动向。

举例来说,台积电近日便宣布将在铜锣兴建先进封装厂,英特尔跟超微则联合开发概念上类似台积电CoWoS封装技术的EMIB封装,并借此联合推出搭载了英特尔CPU、超微GPU的模组解决方案。

不过,目前EMIB封装只用来串联GPU跟周边的HBM记忆体,CPU跟GPU之间的连线还是藉由模组基板上的PCIe来实现。或许在未来,EMIB也有机会用来实现CPU跟GPU之间的互联,而这也意味着台积电除了InFO、CoWoS之外,在先进封装上还会有其他牌可打。该公司对先进封装的投入,不是只有产能扩张这么简单。

半导体供应链上各家厂商之间的关系正在大洗牌,昨日的合作伙伴,未来可能是最大的竞争对手;本来井水不犯河水的两家厂商,也可能瞬间成为竞争关系;势不两立几十年的死对头,也有可能坐下来谈联合技术研发。半导体产业的未来,显然还很有看头。

晶圆制造主要设备市场情况

根据2017年SEMI公布的数据,在集成电路制程中,晶圆制造设备投入占比约占设备投资的80%,而封装、测试设备投入则占比分别为9%和6%。在制造过程中,最主要、价值最昂贵的三类分别是沉积设备,包括PECVD,LPCVD等、刻蚀设备、光刻机,占半导体晶圆厂设备总投资的15%、15%、20-25%。

而这些设备因为被应用于制造,因此其精度和稳定性也要求最高。而凭借技术资金等优势占据大份额的龙头企业在这些领域尤为领先。

晶圆制造主要设备市场情况

2017年全球营收前十大半导体设备公司

数据来源:各公司公告、国泰君安证券研究

几乎垄断了高端光刻市场份额高达80%的ASML,在CVD设备和PVD设备领域都保持领先的美国应用材料(AMAT)以及刻蚀机设备领域龙头Lam Research稳坐前三。下面将就沉积、刻蚀、光刻这三大领域及代表公司进行详解。

1. 沉积设备

沉积是半导体制程工艺中的一个非常重要的技术,分为物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。

PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写,中文意思是“物理气相沉积”,是指在真空条件下,用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术。

PVD镀膜技术主要分为三类,真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类,相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。

CVD是英文Chemical Vapor DeposiTIon的缩写,中文意思为“化学气相沉积”,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,其可用于沉积大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说,化学气相沉积法时将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。

在集成电路制成中,经常使用的CVD技术有:大气压化学气相沉积(APCVD)、低气压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以及新型气相外延生长技术金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)等。相应的设备也就有APCVD设备,LPCVD设备,PECVD设备以及MOCVD设备。

代表企业:AMAT

美国应用材料股份有限公司AMAT是最大的纳米制造技术企业。自1967年成立以来至今,作为全球最大的半导体与显示行业制造设备供应商,产品与服务已覆盖原子层沉积、物理气相沉积、化学气相沉积、刻蚀、快速热处理、离子注入、测量与检测、清洗等生产步骤。特别是其沉积设备技术更是全球领先。在PVD设备市场,AMAT全球占比近55%,在CVD市场,AMAT全球占比近30%。

在2018年,公司推出采用全新设计的新型CENTURA 200毫米常压厚硅外延反应室PRONTO。该反应室专为生产工业级高质量厚硅(厚度为20~150微米)外延膜而设计,能使当前的外延膜生产效率最大化。

2. 刻蚀设备

刻蚀是采用物理或者化学的方法,通过掩膜图形使薄膜材料选择性销蚀的技术,是薄膜制备的“反”过程。

刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两类。湿法刻蚀是将硅片浸泡在可与被刻蚀薄膜进行反应的溶液中,用化学方法除去不要部分的薄膜。早期制造业以湿法为主。当半导体制造业进入微米、亚微米时代以后,要求刻蚀的线宽越来越细,传统的湿法化学刻蚀因其固有的横向钻蚀,无法控制线宽,甚至造成断裂,已不再适应科研及生产的要求,取而代之的是以等离子体技术为基础的干法刻蚀方法。这种方法是将被加工的硅片置于等离子体中,在带有腐蚀性、具有一定能量离子的轰击下,反应生成气态物质,去除被刻薄膜,此种方法具有各向异性。

干法刻蚀种类较多,常见的有等离子体刻蚀(分为圆筒型和平行电极型)、反应离子刻蚀、溅射刻蚀、离子束刻蚀、反应离子束刻蚀等。相应的设备就有等离子体刻蚀机、反应离子刻蚀机、离子束刻蚀机等。

代表企业:Lam Research

Lam Research CorporaTIon创立于1980年,总部位于美国加州弗里蒙特,是向世界半导体产业提供晶圆制造设备和服务的主要供应商之一,是目前全球第三大半导体生产商。

公司的三大核心产品是:刻蚀(ETCH--RIE/ALE)设备、沉积(DeposiTIon--CVD/ECD/ALD)设备,以及去光阻和清洗(Strip & Clean)设备。

Lam Research通过专利刻蚀技术-变压器耦合等离子(TCP,transformer coupled plasma)提供高水平的刻蚀,巩固了Lam Research在半导体业界的地位。目前Lam Research占有全球刻蚀设备市场一半以上的市场份额。

3. 光刻机

光刻机是芯片制造的核心设备之一,按照用途可以分为好几种:有用于生产芯片的光刻机;有用于封装的光刻机;还有用于LED制造领域的投影光刻机。

在加工芯片的过程中,光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程。

代表企业:ASML

1984年,ASML从荷兰著名电子制造商飞利浦独立,此后主要专精于晶片制造微缩影设备之设计制造与整合,积体电路生产流程中,其关键的制程技术则是微缩影技术将电路图影像投射在晶片上之曝光。

阿斯麦公司在世界14个国家和地区有50个子公司和生产据点,主要产品是用来生产大规模集成电路的核心设备光刻机,在世界同类产品中有90%的市占率。

今年,ASML已经开始出货新品Twinscan NXT:2000i DUV(NXT:2000i双工件台深紫外光刻机),可用于7nm和5nm节点。

值得一提的是,ASML有一个非常奇特的规定,那就是只有投资ASML,才能够获得优先供货权。这样奇特的合作模式使得ASML获得了大量的资金,包括英特尔、三星、台积电、海力士都在ASML中有相当可观的股份,可以说大半个半导体行业都是ASML一家的合作伙伴,形成了庞大的利益共同体。

半导体装备是一个高度垄断的市场。根据各细分设备市场占有率统计数据,在光刻机、CVD、PVD及刻蚀机,前三家设备商的总市占率都达 90%以上,且行业龙头都能占据一半的市场,所以要想在半导体装备市场中能分一杯羹,公司就必须在细分领域能够做到全球前三。

中国半导体制造设备企业

2016年中国半导体设备销售收入总计57.33亿元,同比增长21.5%,其中前十强单位完成销售收入47.7亿元,同比增长28.5%,也就是说,前十强的增速快于整体增速,市场集中度在不断提高,可喜可贺。

晶圆制造主要设备市场情况

2016全国半导体设备十强 数据来源:中国半导体产业协会

从图中可以看到,国内的设备公司在前道制造中有一席之地有:中电科、北方华创、中微半导体、上海微电子。下面就来介绍这几家公司:

1. 中电科电子装备公司

中电科电子装备集团有限公司是在中国电子科技集团公司2所、45所、48所基础上组建成立的二级成员单位,属中国电子科技集团公司独资公司,具备集成电路局部成套和系统集成能力以及光伏太阳能产业链整线交钥匙能力。已形成以离子注入机、电化学沉积设备等为代表的微电子工艺设备研究开发与生产制造体系,可服务于材料加工、芯片制造、先进封装和测试检测等多个领域。

中电科装备公司主营业务是光伏。不过在中电科电子的不断努力下,公司在离子注入机和CMP(化学机械抛光机)两个领域实现了重大突破。

承担02专项后,电科装备在离子注入机方面的研发可谓是一年迈一个台阶。在14年通过02专项的验收后,其离子注入机即在中芯国际投入使用。

2015年,电科装备12英寸中束流离子注入机在中芯国际先后完成了55nm、45nm和40nm小批量产品工艺验证,并开始批量生产,逐步提升产能,增加验证机台的数量。同年,中束流设备实现了批量销售,量产晶圆超过300万片。

2016年,用于45nm~22nm低能大束流离子注入机与中束流离子注入机通过了28nm工艺制程同步验证,已经实现销售。

2017年,电科装备离子注入机批量制造条件厂房及工艺实验室已投入使用,重点打造离子注入机零部件检测、模块装配及局部成套三大平台,可实现10台设备同时组装调试,具备年产20台以上的批量制造能力,具备集成电路装备系统集成能力及局部成套工艺生产能力。

在CMP抛光机方面,中电科装备也有了新的突破。2017年8月,电科装备成功研发出了国内首台拥有完全自主知识产权的200mm化学机械抛光商用机,研发团队在3年的时间里突破了10余项关键技术,完成技术改进50余项,经过3个批次近10000片的马拉松测试,性能指标获得中芯国际工程师的好评,并于2017年11月21日成功在中芯国际天津厂8英寸大生产线装机验证,已经进入24小时生产阶段。

在沉积设备方面,也有PECVD的产品。

就在今年8月,电科装备正式发布了“SEMICORE烁科”系列品牌,将把离子注入机和CMP设备注入烁科装备,推动其进入生产线批量应用,实现进口替代、自主可控,具备国际竞争能力。

2. 北方华创

北京北方华创微电子装备有限公司是北方华创科技集团股份有限公司的全资子公司,主营业务由原七星电子的半导体装备相关业务与原北方微电子的全部业务整合而成。产品涵盖:等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积、氧化/扩散、清洗、退火等半导体工艺装备;平板显示制造装备和气体质量流量控制器等核心零部件。涉及集成电路、先进封装、LED、MEMS、电力电子、平板显示、光伏电池等半导体相关领域。

北方华创目前和所有国内大厂都有合作,比如正在武汉和南京如火如荼建设的长江存储公司,3D NAND FLASH产线的氧化炉设备就有采用北方华创的产品,2017年11月搬入产线。

在氧化炉领域,2017年11月30日,北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的12英寸立式氧化炉THEORISO 302 Move In长江存储生产线,应用于3D NAND Flash制程,扩展了国产立式氧化炉的应用领域。

在硅刻蚀机领域,在2003年启动研制时,中国和国外差距在20年以上,仅仅能够制造90nm制程,在国家02专项的支持下,北方华创在硅刻蚀机领域不断实现突破,先进制程工艺一路上扬,28nm,22nm都实现了突破,2016年研发出了14nm工艺的硅刻蚀机,更先进的7nm硅刻蚀机也正研发中。

除了氧化炉和刻蚀机领域以外,北方华创在PVD设备(物理气相沉积,薄膜沉积设备的一种)和单片退火设备领域也实现了批量出货,目前主要在28nm级别。

在薄膜沉积设备领域,北方华创进展较快,多种14nm的生产设备也在产线验证中,包括ALD,AL PVD,LPCVD,HM PVD等,基本都是不同的沉积设备,目的是制作氧化薄膜,便于绝缘,和控制不同的杂质扩散速度,或者金属化,PVD是物理气相沉积,CVD是化学气相沉积,ALD是原子层沉积,他们的工作原理不同,但是目的是一样的。

除了这三大类设备外,北方华创还有第四种关键设备:清洗机。

2017年8月7日,北方华创1500万美元,也就是才1亿人民币多点实现了对美国Akrion公司的收购。Akrion公司是位于美国宾夕法尼亚州的一家专注于硅片清洗设备业务的公司,主要用于集成电路制造领域,硅晶圆制造领域、微机电系统和先进封装领域,该公司拥有多年的清洗技术积累和广泛的市场与客户基础,累计在线机台千余台。

北方华创自研的12英寸单片清洗机产品主要应用于集成电路芯片制程,成功收购Akrion公司,北方华创微电子的清洗机产品线将得以补充,形成涵盖应用于集成电路、先进封装、功率器件、微机电系统和半导体照明等半导体领域的8-12英寸批式和单片清洗机产品线。

实际上,根据北方华创2017年披露的2016年年报,其自研的12英寸清洗机到2016年底的累计流片量已突破60万片,收购Akrion之后,北方华创的实力进一步加强。

3. 中微半导体

中微半导体是尹志尧创办,他之前是全球最大的半导体生产设备商应用材料公司的副总裁,回国创办中微。

中微的产品,主要是三大领域,一个是LED芯片的MOCVD机台,这个是LED芯片制造的核心设备,以致于衡量芯片厂家的制造能力,都是用它有多少MOCVD机台来衡量,机台数量越多的产能越大。国产MOCVD设备从2012年底研发成功,到2016年开始完成批量验证,目前处于迅速上升的态势。经过不断洗牌,中微半导体已占据领先地位,目前国产MOCVD市场份额已呈现增长局面。

中微半导体的另外一个领域,主要是其最早开始研发,具有多年经验的介质刻蚀机,这个目前是用在集成电路芯片制造上面,目前已经可以做到22nm及其以下,且中微半导体的14nm也在产线进行验证,同时在推进5nm的联合研究。

目前总体而言,中微处于比较好的发展态势,MOCVD机台已经经受住了量产的考验,将会迎来大批量出货时期,其多年来集中力量攻关的等离子体介质刻蚀机,已经在国际大厂部署多年,同时目前也开始进入最先进的5nm制程的预研。

4. 上海微电子公司

上海微电子装备(集团)股份有限公司是一家掌握了高端光刻机相关技术且具有高端投影光刻机生产能力的企业。于今年3月份,与全球领先的半导体设备企业ASML签署了战略合作备忘录。公司主要从事半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。旗下产品可应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。

总结

目前,中国半导体设备已有了一定的基础,虽然设备总量不大,但一直并保持着高速增长的态势。但需要认清的是,目前我国的技术实力与国外相比仍存在较大的差距,尤其与市占率超80%的设备企业如ASML、应用材料等相比,实力偏弱且绝大部分设备厂商无法满足国际已经实现量产的制程,较难进入国际代工巨头的产线。

当然,在落后的局面下,我国半导体设备也在奋起直追,并取得了一定成绩,在国内产线上已经进行了一部分国产替代。半导体设备是我国发展半导体集成电路的基石,我们要把握好先行条件,率先推进,争取早日完成进口替代。

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福斯匹克:为集成电路标记“长春智造”

在长春新区福斯匹克研发中心记者看到,技术人员工作场所更像高端写字间,窗明几净,里面看不到人头攒动,只....
发表于 2019-10-12 11:47 186次阅读
福斯匹克:为集成电路标记“长春智造”

万业企业:入股产业基金,布局半导体设备

芯鼎由中青芯鑫、上海半导体装备材料基金和河南战兴基金分别持50.1%、28%和21.9%股权。上海半....
发表于 2019-10-12 11:41 442次阅读
万业企业:入股产业基金,布局半导体设备

杭州市全新的姿态拥抱集成电路和高端芯片产业的下一...

该负责人表示:“按照目前的发展计划,杭州的集成电路产业将从设计延伸至制造,突出关键领域的芯片制造,以....
发表于 2019-10-12 11:38 357次阅读
杭州市全新的姿态拥抱集成电路和高端芯片产业的下一...

555数字集成电路介绍

.555集成电路采用单电源。双极型555的电压范围为4.5~15V,而CMOS 型的电源适应范围更宽....
发表于 2019-10-12 11:33 244次阅读
555数字集成电路介绍

中环领先集成电路用大直径硅片项目投产仪式举行

“宜兴中环领先产业园是梦想成真的地方,也是中环股份‘造梦’、中环领先‘圆梦’的地方”。沈浩平在发言时....
发表于 2019-10-12 11:28 431次阅读
中环领先集成电路用大直径硅片项目投产仪式举行

工信部答复政协十三届全国委员会第二次会议第228...

集成电路是高度国际化、市场化的产业,资源整合、国际合作是快速提升产业发展能力的重要途径。工信部与相关....
发表于 2019-10-12 11:01 331次阅读
工信部答复政协十三届全国委员会第二次会议第228...

山东在集成电路制造产业领域可谓是起了个大早,赶了...

封装测试方面,细分领域优势较为明显。盛品电子是国内少数拥有MEMS智能传感器封装制造核心技术的企业,....
发表于 2019-10-12 10:56 201次阅读
山东在集成电路制造产业领域可谓是起了个大早,赶了...

国内集成电路发展路在何方?

随着半导体行业专业化不断增强,半导体设计、制造、封装测试等业务分开,形成了垂直分工模式。例如海思、台....
发表于 2019-10-12 10:53 234次阅读
国内集成电路发展路在何方?

“第六届全球集成电路。传感器高峰论坛”在黄埔区、...

“全球集成电路。传感器高峰论坛”已连续举办六届,本届大会以“用‘芯’感知,物联世界”为主题,延续了往....
发表于 2019-10-12 10:49 1142次阅读
“第六届全球集成电路。传感器高峰论坛”在黄埔区、...

我国集成电路产业进行了新一轮的规划

为推动我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展,我部、发展改革委及相关部门,积极研究出台....
发表于 2019-10-12 10:46 246次阅读
我国集成电路产业进行了新一轮的规划

大规模集成电路分类

双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL....
发表于 2019-10-12 10:43 57次阅读
大规模集成电路分类

集成电路的封装种类  

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过....
发表于 2019-10-12 10:38 54次阅读
集成电路的封装种类  

集成电路的分类 

按集成度高低分类集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大....
发表于 2019-10-12 10:26 49次阅读
集成电路的分类 

功率放大集成电路分类介绍

集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模....
发表于 2019-10-12 10:21 48次阅读
功率放大集成电路分类介绍

5G可以拯救颓废的半导体行业吗

在半导体、智能手机厂商之外,会有更多的企业从5G的发展中受益,比如运营商。
发表于 2019-10-12 09:48 61次阅读
5G可以拯救颓废的半导体行业吗

半导体业明年复苏,有望增长5%~8%

中国大陆今年投资下滑,明年在本土及外商投资带动下,有望恢复成长态势。
发表于 2019-10-12 09:25 1253次阅读
半导体业明年复苏,有望增长5%~8%

兴森科技与大基金达成共识 将为兴森科技半导体封装...

6月27日,深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司(以下简称“兴森科技”)发布公告称,公司与广州经济技术....
发表于 2019-10-11 16:51 372次阅读
兴森科技与大基金达成共识 将为兴森科技半导体封装...

三星电子业绩出现触底反弹的迹象 开始为中国工厂订...

日媒称,韩国三星电子开始增强半导体设备。该公司10月8日发布的2019年7月至9月合并财报速报值显示....
发表于 2019-10-11 16:43 646次阅读
三星电子业绩出现触底反弹的迹象 开始为中国工厂订...

台湾半导体产业园项目落户江苏句容经济开发区 总投...

7月31日,台湾半导体产业园项目签约落户江苏省句容经济开发区。最新消息是,句容市融媒体中心指出,目前....
发表于 2019-10-11 16:38 242次阅读
台湾半导体产业园项目落户江苏句容经济开发区 总投...

英迪那米半导体项目投产仪式正式举行 将填补国内芯...

近日,英迪那米半导体科技集团成立暨半导体蚀刻机精密零部件生产与修复项目投产仪式在徐举行。该项目的投产....
发表于 2019-10-11 16:32 509次阅读
英迪那米半导体项目投产仪式正式举行 将填补国内芯...

浦口区重大项目开工仪式正式举行 总投资达269....

南京浦口经开区消息,10月10日,浦口区重大项目开工仪式在开发区举行,现场共有15个重大项目集中开工....
发表于 2019-10-11 16:27 290次阅读
浦口区重大项目开工仪式正式举行 总投资达269....

嵌入式系统的层次你都懂了吗

随着微电子技术的不断创新和发展,大规模集成电路的集成度和工艺水平不断提高。
发表于 2019-10-11 15:31 59次阅读
嵌入式系统的层次你都懂了吗

家电厂商研发芯片,意在布局智能家居

随着家电市场进入存量时代,产品的同质化程度越来越高,家电厂商需要深入产业链上游、进而打通整个生产链条....
发表于 2019-10-11 15:03 213次阅读
家电厂商研发芯片,意在布局智能家居

意法半导体推出高性能的模拟技术以满足工业应用需求

2019年8月7日,STNRGPF12是意法半导体的双通道交错式升压PFC控制器,兼备数字电源的设计....
发表于 2019-10-11 14:45 61次阅读
意法半导体推出高性能的模拟技术以满足工业应用需求

如何更新PSOC4模块4.2 ble功能?

你好 我有一个CY8CITK-042-BLE先锋套件与BLE 4.1模块(PSoC和PoC)。我想知道是否有可能获得4.2个B...
发表于 2019-10-11 11:47 47次阅读
如何更新PSOC4模块4.2 ble功能?

下一代的模拟和射频设计验证工具将会是什么样的?

目前最先进的模拟和射频电路,正广泛应用于消费电子产品、无线通讯设备、计算机和网络设备的SoC中。它们带来了一系列...
发表于 2019-10-11 06:39 26次阅读
下一代的模拟和射频设计验证工具将会是什么样的?

150种各类电机控制的集成电路与应用实例

本教材集实用性、资料性、手册性于一体,较详细地介绍了国内外著名集成电路制造厂商生产的约150种各类交直流电动机、伺...
发表于 2019-10-10 17:17 396次阅读
150种各类电机控制的集成电路与应用实例

超温与降温报警器怎么构成?

这是一只由CD4011四与非门集成电路构成的超温与降温报警器,供监视恒温箱的温度用。当恒温电路发生故障或停电,箱内...
发表于 2019-10-10 08:00 92次阅读
超温与降温报警器怎么构成?

吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案

吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管...
发表于 2019-10-08 15:41 382次阅读
吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案

半导体测试设备BaseSupport软件功能和优点概述

This document describes the features and benefits of BaseSupport software phone assistance....
发表于 2019-10-08 08:13 38次阅读
半导体测试设备BaseSupport软件功能和优点概述

如何利用μPC1366与CμPC1353C进行电视机装配调试?

一般的黑白电视机是通过购买三片机芯JG-988型散件进行组装的。主要特点是图像通道采用集成电路μPC1366C,伴音通...
发表于 2019-09-30 08:13 38次阅读
如何利用μPC1366与CμPC1353C进行电视机装配调试?

国产EDA与国际领先水平还差多少呢?

EDA的概念范畴很宽。包括在机械、电子、通信、航空航天、化工、矿产、生物、医学、军事等各个领域,都有EDA的应...
发表于 2019-09-30 08:00 267次阅读
国产EDA与国际领先水平还差多少呢?

金丝球焊机怎么操作?

近年来半导体封装工业己经开始在中国蓬勃兴起和发展,对中国工业技术的提高具有很大的推动作用。金丝球焊线机是芯片封...
发表于 2019-09-29 10:19 56次阅读
金丝球焊机怎么操作?

半导体器件C-V特性测试方案

半导体器件C-V特性测试方案交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以...
发表于 2019-09-27 14:23 983次阅读
半导体器件C-V特性测试方案

FXLA2203 双模 双SIM卡电平转换器

03允许两个主机同时与两个客户身份模块(SIM)或两个用户身份模块(UIM)通信。双模指的是移动电话同时兼容多种数据传输或网络形式(如GSM,CDMA ,WCDMA,TDSCDMA或CDMA2000),其结果是双基带处理器配置。在双通道模式应用中,FXLA2203主机端口直接与基带处理器接口。双向I / O漏极开路通道具有自动导向和内部10KΩ上拉电阻。通过置位以下单一控制引脚,任一主机可切换SIM卡槽:CH_Swap。典型的通道切换时间为130 ns。 FXLA2203不包含内部低压差稳压器(LDO)。相反,FXLA2203架构集成了两个低RON内部功率开关,用于将现有的PMIC(功率管理集成电路)LDO路由至各个SIM卡槽。这可降低整体系统功率,利用现有LDO系统资源,而且符合将LDO集中到PMIC加强功率管理的理念。由于FXLA2203不阻止LDO功能到SIM卡,主机,PMIC和SIM卡之间维持了现有的激活/禁用时序透明度。该器件允许的电压转换范围为最高3.6 V,最低1.65 V.每一端口跟踪其各端口的电源。 特性 易用的“单引脚”SIM卡切换控制 通道切换时间:130 ns(典型值) 同时双模双SIM卡通...
发表于 2019-08-02 23:02 50次阅读
FXLA2203 双模 双SIM卡电平转换器

MM74HC86 四路2输入 异或 门

86“异或”门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与等效LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗和高抗干扰度特性。此类门完全可缓冲,并具有与10个LS-TTL负载的扇出.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:9 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:20μA,最大值( 74HCT系列) 输出驱动能力:10 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 20:02 29次阅读
MM74HC86 四路2输入  异或  门

MM74HC32 四通道2输入OR门

32“或”门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:10 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流: 20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是g一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 16:02 32次阅读
MM74HC32 四通道2输入OR门

MM74HC08 四路2输入与门

08 AND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.HC08具有缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns(t PHL ),12 ns(t PLH ) 10 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为2μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 16:02 10次阅读
MM74HC08 四路2输入与门

MM74HC04 六路反相器

04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HC04是一款三重缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 10 LS-TTL负载的扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μW 低输入电流:1μA,最大值 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序ications。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 15:02 20次阅读
MM74HC04 六路反相器

MM74HC02 四路2输入 或 门

02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 15:02 14次阅读
MM74HC02 四路2输入  或  门

MM74HC00 四路2输入NAND门

00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 14:02 12次阅读
MM74HC00 四路2输入NAND门

MM74HCU04 六路反相器

U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 11:02 8次阅读
MM74HCU04 六路反相器

MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
发表于 2019-08-02 03:02 8次阅读
MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 02:02 8次阅读
MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
发表于 2019-08-02 02:02 17次阅读
MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 02:02 84次阅读
MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-02 02:02 11次阅读
MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型...

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
发表于 2019-08-01 22:02 16次阅读
MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型...

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-01 22:02 12次阅读
MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发...

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-01 22:02 20次阅读
MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发...

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型...

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-01 22:02 18次阅读
MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型...

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发...

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-08-01 22:02 25次阅读
MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发...

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 16:02 12次阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V...

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 06:02 16次阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V...

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2...

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 05:02 20次阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2...

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 ...

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 2019-07-30 03:02 46次阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 ...

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 M...

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 02:02 26次阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 M...

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 ...

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 02:02 42次阅读
NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 ...

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出...

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 2019-07-30 01:02 64次阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出...

MGA-83563 3V PA /驱动器,22d...

MGA-83是一个3V器件,具有20dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,142mA;增益= 22dB; P1dB = 19dBm; IP3i = 7dB;全部在2.4GHz,PAE = 41%。
发表于 2019-07-04 09:58 28次阅读
MGA-83563 3V PA /驱动器,22d...

MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm...

MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。
发表于 2019-07-04 09:56 36次阅读
MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm...

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A ...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 2019-01-08 17:51 169次阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A ...

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 2019-01-08 17:51 193次阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 2019-01-08 17:51 168次阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A...