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首家国内半导体设计公司量产12英寸MOSFET

2019年10月10日 16:34 次阅读

2019年9月27日,深圳市锐骏半导体(www.ruichips.com)在深圳市南山区科兴科学园会议中心召开了他们12英寸MOSFET成功投产的发布会,2019年12英寸新产品发布会,据小编所知道这是首家国内半导体设计公司能在12英寸上面量产了MOSFET。填补国内设计公司在这一领域的空白,值得庆祝与期待!

首家国内半导体设计公司量产12英寸MOSFET

在发布会上,深圳市锐骏半导体股份有限公司董事长黄泽军上台进行致辞,他表示,此次12英寸晶圆的投产成功,预示12英寸功率器件已经登场,12英寸将是未来三年内高端MOSFET功率器件主流投片平台,锐骏公司提前布局,值得期待,值得投入更多资源去研发出更多差异化结构,极致优化的工艺。

12英寸的亮点主要体现在光刻,刻蚀的优势,在器件各个结构尺寸精确度大幅提升前提下,器件各个静态,动态参数的一致性与性能指标极为卓越。

黄总也诚挚的邀请更多终端客户前来咨询与索样测试,共同推动国内功率器件的发展,希望更多性能有优势,品质卓越,高可靠性的产品给予一如既往支持锐骏公司的海内外广大客户。

首家国内半导体设计公司量产12英寸MOSFET

随后,锐骏学院文院长阐述了功率器件晶圆发展历程,12英寸外延生长,12英寸的光刻优势、12英寸刻蚀优势,以及如上几点优势对功率器件在批次与批次之间,片与片之间,片中间与外圈等一致性的贡献,在各个参数性能(晶胞单元线宽阻抗电流密度,雪崩,DV/DT设计。..)相对8寸的卓越表现在也做了详细阐述,目前锐骏是国内首家设计公司发布12英寸MOSFET,已经连续3个批次陆续可靠性通过1000个小时,良率卓越极致,相信在近期,这必将是一个新的增长点,也会给广大客户朋友带来更好性能,更好的品质,更好可靠性,更高性价比的产品。

明明享受孤独,却总喜欢床上放着2个枕头

此次发布会,现场更是多家知名代理商以及200多家知名终端客户聚集,发布会也在此起彼伏的抽奖、茶歇以及互相交流中圆满完成它的使命。

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NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

NCV1034 AEC Qual - 100...

4是一款高压PWM控制器,专为高性能同步降压DC-DC应用而设计。 NCV1034采用高达500 kHz的可编程开关频率驱动一对外部N-MOSFET,可灵活调整IC的工作,以满足系统级要求。外部同步功能允许简化系统级过滤器设计。对于低压应用,可以使用内部1.25 V基准电压精确调节输出电压。提供欠压锁定和打嗝电流限制等保护,以便在发生故障时提供所需的系统级安全性。 特性 优势 输入电压高达100V + 48V或+ 60V输入使用的宽输入电压 2输出驱动能力 能够使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反温电压 整个温度范围内的系统级精度优异 外部频率同步 能够同步到外部频率或输出同步脉冲 可编程切换频率高达500 kHz 效率和尺寸优化 AEC-Q100合格 中压DC-DC系统 应用 终端产品 48 V非隔离式DC-DC转换器 汽车高压DC-DC转换器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 20:02 181次阅读
NCV1034 AEC Qual  -  100...

NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 20:02 260次阅读
NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 20:02 183次阅读
NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制...

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 2019-07-29 19:02 193次阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制...

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 2019-07-29 19:02 276次阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 19:02 53次阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 2019-07-29 19:02 43次阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级...

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 2019-07-29 19:02 45次阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级...

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应...

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 19:02 64次阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应...

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 2019-07-29 19:02 76次阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 2019-07-29 19:02 60次阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节...

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 2019-07-29 19:02 30次阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节...

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 18:02 45次阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 2019-07-29 18:02 272次阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 17:02 45次阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 2019-07-29 17:02 42次阅读
NCP3030 同步PWM控制器

三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这...

7月23日,2019英飞凌电源管理研讨会在深圳盛大开幕,英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级....
发表于 2019-07-25 17:04 4012次阅读
三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这...

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车...

RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品(样品价格 100日元/个,不含税),预计于2019....
发表于 2019-07-24 16:13 860次阅读
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Maxim发布新型LED驱动器,内置MOSFET...

MAX25610A/B内置MOSFET,效率高达90%并符合CISPR 25 EMI要求
发表于 2019-07-23 14:41 591次阅读
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MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

产能已满,有事排队
发表于 2019-07-19 10:00 831次阅读
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儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET ...

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,....
发表于 2019-07-15 16:37 316次阅读
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What ?55页PPT就把Mosfet从入门到...

收藏
发表于 2019-07-15 09:58 2651次阅读
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MOSFET栅极电压对电流的影响

FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。沟道是由(是否)加在栅极和源....
发表于 2019-07-12 17:50 967次阅读
MOSFET栅极电压对电流的影响

增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式...

根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,....
发表于 2019-07-06 09:48 1279次阅读
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碳化硅(SiC)功率器件发展现状

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预....
发表于 2019-07-05 11:56 4522次阅读
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常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技...

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通....
发表于 2019-07-03 16:26 343次阅读
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功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂...

自2018年开始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售价(ASP)持续上升,其中以工....
发表于 2019-07-02 16:42 1010次阅读
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如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏...

在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过....
发表于 2019-07-02 11:24 1816次阅读
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IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比....
发表于 2019-06-29 09:44 1260次阅读
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MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robu...

哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻,提高Robust增加一个电容。
发表于 2019-06-26 14:33 208次阅读
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MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响,实际在考虑工艺相关因素后都是比较复....
发表于 2019-06-18 17:19 868次阅读
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MOSFET开通时间和关断时间定义

电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原....
发表于 2019-06-18 16:49 1223次阅读
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MOS管参数及含义说明

 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十....
发表于 2019-06-18 16:01 708次阅读
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光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来....
发表于 2019-06-16 09:56 1766次阅读
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亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块...

虽然工业市场规模庞大,然而却高度碎片化,要像吃下这块“肥肉”并不那么容易。为了能顺利吃到肉,2019....
发表于 2019-06-14 20:29 4282次阅读
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在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET...

在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这....
发表于 2019-06-04 10:09 736次阅读
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英飞凌科联合Schweizer开发出面向轻度混合...

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发表于 2019-05-14 16:58 554次阅读
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CISSOID新型栅极驱动器板亮相纽伦堡PCIM...

CISSOID在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅....
发表于 2019-05-13 11:33 306次阅读
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详细分析MOSFET内部结构及参数特性的讲解

MOSFET从完全关断到完全导通经过哪几个阶段,在此过程中MOSFET为什么会发热。
发表于 2019-05-12 07:27 1491次阅读
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什么叫米勒电容?对MOSFET有何作用

什么叫米勒电容?如何作用和影响于MOSFET?
发表于 2019-05-12 07:27 3008次阅读
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电容在MOS管开关中CRSS的作用分析

CRSS也就是反向传输电容。这个电容在MOS管的开通和关的过程中,它的作用是十分重要的。
发表于 2019-05-11 09:39 2157次阅读
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浅谈MOSFET中栅极电阻的作用意义

MOSFET的栅极电阻有什么关键作用?
发表于 2019-05-11 09:32 2056次阅读
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MOSFET和三极管如何区分压控压型和流控流型

MOSFET和三极管哪个是压控压型,哪个是流控流型?
发表于 2019-05-11 09:22 1647次阅读
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MOSFET内部结构分析 驱动设计验证方案

什么叫MOSFET,作为电子硬件设计中非常重要的器件MOSFET有怎样的特性?MOSFET体二极管的....
发表于 2019-05-11 09:19 1037次阅读
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Buck电源基础知识讲解

我们设计的这个Buck方案中对事件的最小开关时间是有要求的,这是第一点,第二点就是开关电源的频率是有....
发表于 2019-05-10 09:25 1510次阅读
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闻泰科技收购安世半导体通过中国反垄断调查

根据公司战略规划和业务需求,并结合公司全资子公司昆明闻泰通讯有限公司(以下简称“昆明闻泰”)的实际经....
发表于 2019-05-09 11:10 1496次阅读
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电流驱动电流检测电路详解,如何使用分流电压作为输...

运放必须是轨对轨输入,或有一个包括正供电轨的共模电压范围。零漂移运算放大器可实现最小偏移量。但请记住....
发表于 2019-05-09 10:47 1302次阅读
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UC3842数据手册及UC3842内部结构讲解

UC3842是驱动MOSFET的一个理想器件,功能之前我们已经说到了,那么还有什么其它的保护特性呢?
发表于 2019-05-09 07:27 2484次阅读
UC3842数据手册及UC3842内部结构讲解

如何正确搭建UC3845电路次级线圈

上节课我们讲了MOSFET的前级驱动电路,同时也说到了这个芯片在第一次初始上电的时候,是如何进行启动....
发表于 2019-05-08 07:27 1416次阅读
如何正确搭建UC3845电路次级线圈

关于mosfet前驱电路搭建的视频教学

我们之前说到MOSFET前级电路是一个高压电路,220V整流之后变成的一个310V的电压。对于这样的....
发表于 2019-05-08 07:27 1186次阅读
关于mosfet前驱电路搭建的视频教学

隔离式反激开关电源设计中计算变压器的参数设置

MOSFET选型,吸收电路器件选型,输出二极管选型,输入输出电容等重要器件参数计算。
发表于 2019-05-06 08:44 1785次阅读
隔离式反激开关电源设计中计算变压器的参数设置

第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

SiC适合高压领域,GaN更适用于低压及高频领域。
发表于 2019-05-04 23:15 5373次阅读
第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

如何选择MOSFET——电机控制

本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项,首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制....
发表于 2019-04-30 17:59 434次阅读
如何选择MOSFET——电机控制

MOSFET,IGBT和三极管的优缺点分析(视频...

设计开关电源要选择合适的元器件,元器件多种多样,要如何选,元器件的优缺点都是怎么样的就是本节课程要跟....
发表于 2019-04-25 09:48 2244次阅读
MOSFET,IGBT和三极管的优缺点分析(视频...

气味传感器的实战设计应用

把学到的运放的知识用来在实际原理图的设计中进行运用。对于运放来讲,用哪种的输入形态是根据我们的实际项....
发表于 2019-04-22 15:57 1671次阅读
气味传感器的实战设计应用

前级驱动电路设计中的自举电容

一个电源正端的一个电源,那么我们说这里应该用P管,对吧?那么如果呢这个管子放在D端,它的下面直接通D....
发表于 2019-04-17 09:52 2975次阅读
前级驱动电路设计中的自举电容