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日韩贸易战与东芝跳电影响内存和闪存价格走势?

2019年07月17日 09:09 次阅读

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,继6月中旬东芝断电事件后,日本政府近日宣布从7月4日起,开始管控向韩国出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料,造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况,然而,由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出货,仅是申请流程延长,短期结构性供需反转的可能性低。

日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转,集邦咨询分析指出,因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑,下游模组厂的库存水位普遍偏低,也因此当前确实有观察到部分模组厂利用该原物料事件而开出上扬的价格或表示将停止生产。

然而,目前现货市场占整体DRAM市场仅不到10%水平,中长期产业的供需态势仍需关注占比超过9成的合约市场为主。

从需求面来看,不论零售端的PC、智能手机,或是企业用服务器与数据中心建置,目前整体终端需求仍呈现十分疲弱的态势。

然而,反观供给端目前DRAM供应商的库存水平仍普遍高于3个月,也导致PC、服务器内存及行动式内存的合约价在第三季初仍旧持续走跌,暂时未看见反转向上的迹象。集邦咨询认为,DRAM市况受此原物料事件而出现结构性供需反转的可能性低。

NAND Flash市场行情则受到日本材料出口审查趋严,以及东芝停电事件的影响。由于Wafer市场报价已经偏低,预计七月起各供应商报价将浮现涨势。然而,由于供应商普遍备有2-3个月的库存水位,多数模组厂不会第一时间接受涨价,后续则需视市场及供应端库存状况决定交易价是否上涨。

至于对OEM的各类SSD、eMMC/UFS产品报价方面,目前虽有部分供应商暂停出货,但从供需状况分析,并考量OEM端的库存水位,集邦咨询认为,虽然NAND Flash价格短期将出现上扬,但长期仍有跌价压力。

本文来自全球半导体观察微信号,本文作为转载分享。

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