本站原创，作者：章鹰，电子发烧友执行副主编。
回首半导体发展10年的轨迹，我们发现全球半导体销售额在2009年达到2263亿美元，2018年全球半导体市场销售额4688亿美元，增长了2倍。中国半导体的市场需求在过去10年间增长迅猛，带动了本土中国芯片厂商的快速增长。
自2015年起，中国已经成为全球最大集成电路的单一市场。但是中国集成电路进口依赖问题仍旧突出。2018年，中国进口的半导体产品达到3000亿美元，中国芯如何在全球半导体找到自己应有位置。中国芯的市场机会在那里？中国芯在哪些细分领域有实力留下来？哪些是中国芯难以进入的领域？企业如何在国际标准中有所作为？在第七届中国电子信息博览会中国芯创新高峰论坛上，来自华为海思、华大半导体、澜至半导体、圣邦微和艾普柯高管分享他们的最新思路和市场前瞻。
现场嘉宾：
在物联网、人工智能、数字孪生等热门应用领域中，你们认为中国芯片企业有哪些市场机会？
吕宽亮：我来自华为影像事业部，华为在智能安防行业内产品得到了大家的认可，在大数据得到广泛重视后，Camera作为数据的重要输入口，AI计算的到来让市场有了更大的空间。
AI产业的未来前景可期，但目前我们看到的是问题，AI市场雷声大，雨点小。AI芯片的出货量没有达到华为的预期。
两大原因：第一、AI落地应用一定要和应用场景、细分市场结合来谈，目前细分市场没有行业标准，阻碍了应用的落地。比如安防行业，各个智慧城市的安防规格都没有统一的标准；第二、AI技术能力已经有所提高，包括芯片性能和算法能力，准确度还没有达到客户最终要求。智慧杆摄像头白天的准确度可以达到80%以上，但是到夜晚准确度就下降到60%。现在AI芯片已经没有很高的差价，但是价格贵，一方面是厂商的毛利诉求，现在购买的客户还没有那么多，价格高；另外一方面是算法比芯片还要贵。
AI产业要真正启动，首先需要政府、行业和企业一起来努力，制定清晰的标准制。其次，细分行业的需求，需要专家和企业不断深挖需求；还有，算法公司、设备制造商和芯片公司抱团，把整个AI产业应用需求推动起来。
赵琴琴：华大半导体的MCU产品立足满足物联网市场需求。MCU作为物联网的核心器件，在终端模组中的价值应该在30%以上，物联网细分市场应用不断兴起，市场规模在万亿级，终端接入在百亿级以上。针对物联网行业的市场需求，华大推出了超低功耗的MCU产品，要求做到极致。这是我们对国产芯片做出的贡献和努力。
杨毅：圣邦微是国内重要模拟元器件公司，2003年成立，2017年上市。在国际上，圣邦微排名位列TI和ADI之后。中国消耗全球半导体产品70%以上的需求。我们有市场、人才的优势。在模拟芯片中，圣邦微的产品还不算很全，2018年销售额达到1亿美元，与TI相比，我们的业绩还有很大的增长空间，赢得新市场，我们意识到还有许多基础工作要做。
芯片主要布局在传统领域，企业主要通过不断提高性价比来提高竞争力。但对于芯片应用新拓展的领域，谁先进入市场谁就有话语权和定价权，中国公司对客户响应速度快，这是我们的优势。
蒋益杰：澜至半导体为市场提供OTT/STB家庭娱乐整体解决方案以及Wi-Fi/BT无线互联解决方案，主力做WIFI芯片，还有智能音箱。
在智能语音交互市场上，AI芯片性能普遍达到终端产品的应用需求，算法部分国内公司有瓶颈，重要的算法和先进的算法还掌握在国外公司手中。算法部分还是可以提高的。物联网市场中，边缘计算和本地计算有很多的市场机会，如何真正用语音控制还是市场的痛点，目前都是展示的Demo，真正的产品还有一段距离。
中国芯市场足够大，在物联网和AI市场有足够的机会，关键是中国公司要研发出有竞争的产品和算法。
李碧洲：公司聚焦光电传感器，光电传感器不会集成在芯片里面，从最初为智能手机和平板电脑提供环境光和距离传感器，到开发出可穿戴设备应用的心率传感器，3D人脸识别应用，艾普柯新增了ToF传感器及解决方案。我们和中国算法公司合作，提高整个产品的体验。
中国芯在哪些细分领域有实力留下来？
杨毅：中国芯可以耕耘的领域更多，在模拟芯片领域，TI和ADI都是非常有实力的国际企业，圣邦微要扩大市场份额，必须加快产品迭代。5G基站，华为已经全球占据非常高的份额，我们的观察时，必须耐心把研发做好，产品技术实力增强后，我们会有更大的市场空间。
赵琴琴：涉及到消费类终端产品，中国芯做得还不错。在高端制造领域，中国制造还依赖国外芯片公司的高端产品。与国际名声相关的多在高端产业，比如工业控制，华大MCU承接中国电子集团工业控制转型升级的使命，这是国家需要重要发力和关注的领域。
在工业控制领域，华大半导体不仅要有关键芯片，还要建立从芯片到应用整体产业链，满足核心领域客户的主要需求，扩大市场份额。
蒋益杰：首先，企业要把芯片质量打磨好，不要让客户有太多抱怨。第二、如何和算法公司合作？如何软硬件结合更加一体化？让客户在使用新品后体验更好。我们遇到一个情况是，国际客户拿国际芯片标准对我们提出要求，我们快速反应，解决客户的痛点问题，客户对我们产品的接受度就加大。
李碧洲：中国芯片公司需要提高自身产品的含金量，以更有力的产品进行市场竞争。
哪些是中国芯难以进入的领域？
杨毅：除了存储芯片以外，中国芯片在市场的表现都有很大提高。以模拟芯片领域，圣邦微从2014年持续进行研发投入，和客户一起进行测试，客户对我们产品的接受度不断提高。国际客户对国产芯片公司敞开大门之后，我们深刻体会到国际客户对芯片产品的可靠性、安全性的要求。未来，如果更多的国际客户可以给中国本土芯片设计公司机会，我们会有更快的增长。
李碧洲：我们愿意为国际大客户进行定制性开发，甚至可以考虑不盈利的情况。我们在光传感器领域有80%的技术储备，还是以技术实力和产品赢得客户。
蒋益杰：国内市场和国际市场都有增长空间。比如国内市场由广电在主导，只要抓住它的主要需求，并提供产品去满足，就有自己的市场空间。国内WiFi市场还有广阔空间，有赖于厂商把市场做大，把产品质量做好，软硬件结合做好，我们立足差异化产品，未来三年以差异化的产品捕捉公司新增长点。
吕宽亮：中国芯要敢于在国际对手面前亮剑，关键是技术实力比拼，如果中国芯技术上不如对手，就很难谋求新的市场份额。
华为的经验时，中国芯必须在技术、服务和性价比方面确立自己的优势。只有真正解决产业痛点和客户痛点，客户才会选择你的产品。面对全球化的客户，我们就要提供全球化标准的产品。
在国际标准上，中国芯片厂商有哪些空间？
蒋益杰：这与公司的规模和技术实力密切相关，华为海思是国内IC设计的龙头企业，澜至半导体现在是100-200人的规模，目前还没有能力成为IC设计的领导企业，我们呼吁大的公司建立联盟，将中小企业的诉求加入，这是我们期盼的。
杨毅：当中国芯片在细分领域的产品领先于国际对手时，符合客户需求的，我们就拥有一些范围的定价权。
吕宽亮：物联网领域，AI领域的行业标准需要政府、产业和企业三方合力，而且标准一定要具有开放性，外资公司业可以进入，在产业不断发展的过程中，中国厂商提倡的标准就有机会成为国际标准的一部分。
中国芯片厂商要拥有某些领域的芯片定价权，就必须在公司企业战略中对不同市场形成不同的利益诉求，以性价比来让市场需求起量，最终撬动市场的真实需求。
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和特点 低功耗：285 mW +5 V单电源 积分非线性误差：2.5 LSB 微分非线性误差：0.6 LSB 折合到输入端噪声：0.36 LSB 片内采样保持放大器和基准电压源 信纳比：77.5 dB 无杂散动态范围：90 dB 超量程指示 数据输出格式：标准二进制 44引脚MQFP封装产品详情 AD9240是一款10 MSPS、14位模数转换器（ADC），采用单电源供电。它采用高速、低成本的CMOS工艺及新颖的架构，分辨率和速度均达到现有混合方案的水平，而功耗与成本却低得多。这是一款完整的单芯片ADC，内置片内高性能、低噪声采样保持放大器和可编程基准电压源。也可以选用外部基准电压，以满足应用的直流精度与温度漂移要求。该器件采用多级差分流水线架构，内置数字输出纠错逻辑，在整个工作温度范围内保证无失码。AD9240的输入非常灵活，能够与成像、通信、医疗和数据采集系统实现轻松接口。真差分输入结构使单端输入和差分输入接口均支持各种输入范围。采样保持放大器（SHA）既适用于在连续通道中切换满量程电平的多路复用系统，也适合采用最高Nyquist速率及更高的频率对单通道输入进行采样。AD9240在采用直接IF下变频的通信系统中也有出色的表现，因为在差分输入模式...
发表于 2019-02-22 12:46
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和特点 高线性度±0.01%（最大值，10 kHz FS） ±0.05%（最大值，100 kHz FS） ±0.2%（最大值，500 kHz FS） TTL/CMOS兼容输出 V/F或F/V转换 动态范围：60倍 电压或电流输入 可靠的单芯片结构 提供符合MIL-STD-883标准的版本产品详情 业界标准产品ADVFC32是一款低成本的单芯片电压频率(V/F)转换器或频率电压(F/V)转换器，具有良好的线性度（10 kHz时最大误差为0.01%），且工作频率最高可达0.5 MHz。在V/F配置中，只需几个外部元件，就能将正或负的输入电压或电流转换为成比例的频率。对于F/V转换，需要使用同样的元件及一个简单的偏置网络，以支持宽范围的输入逻辑电平。V/F工作模式下，可利用开集频率输出实现TTL或CMOS兼容。上拉电阻可以连接到最高30 V的电压，或者连接到+15 V或+5 V电压，以支持传统CMOS或TTL逻辑电平。在要将流过开集输出的电流限制在最高8 mA时，应该选择此电阻。若是驱动高阻抗负载，可以使用较大的电阻。输入失调漂移仅为满量程的3ppm/°C，而低温度系数齐纳二极管使满量程校准漂移保持在100 ppm/°C (ADVFC32BH)以下。ADVFC32提供三种温度等级产品：商用、工业和...
发表于 2019-02-22 12:46
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和特点 满量程频率（最高2 MHz）由外部系统时钟设置 极低的线性误差：0.005%（最大值，1 MHz FS），0.02%（最大值，2 MHz FS） 无需关键外部元件 高精度5V基准电压源 低漂移：25 ppm/°C（最大值） 双电源或单电源供电 电压或电流输入 提供符合MIL-STD-883标准的版本产品详情 AD652同步电压频率转换器(SVFC)是一个功能强大的精密模数转换应用构建模块，100 kHz输出频率时的非线性误差典型值为0.002%（最大值0.005%）。传递函数固有的单调性和宽时钟频率范围使得转换时间和分辨率可以针对特定应用进行优化。AD652使用多种常用的电荷平衡技术来执行转换功能。它利用外部时钟定义满量程输出频率，而不是依赖于外部电容的稳定性。因此，传递函数更稳定、线性度更高，这对单通道和多通道系统都有很大好处。精密低漂移基准电压源和低温度系数片内薄膜调整电阻使增益漂移最小。此外，激光晶圆调整将初始增益误差降至0.5%以下。AD652的模拟和数字部分设计允许采用单端电源供电，从而简化隔离电源的使用。AD652按性能分为五种等级。JP级和KP级采用20引脚PLCC封装，额定工作温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。AQ级和BQ级采用16引脚...
发表于 2019-02-22 12:45
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和特点 低成本 单电源或双电源供电； 5 V至36 V, ±5 V 至 ±18 V 满量程频率最高达500 kHz 仅需极少的外部元件 多功能输入放大器- 正或负电压模式-负电流模式- 高输入阻抗、低漂移 低功耗：静态电流为2.0 mA 低失调：1 mV 产品详情 AD654是一款单芯片V/F转换器，由输入放大器、精密振荡器系统和高电流输出级组成。它只需要一个简单的RC网络，即可设置最高500 kHz的任意满量程(FS)频率和最高±30 V的任意FS输入电压。在250 kHz满量程时，线性误差仅为0.03%，保证工作动态范围为80 dB。整体温度系数（不包括外部元件的影响）典型值为±50 ppm/°C。AD654采用5 V至36 V单电源供电，静态电流仅为2.0 mA。 低漂移（典型值4 µV/°C）输入放大器可以直接采用来自热电偶或应变计等的小信号工作，同时提供高输入阻抗（250 MΩ)。与大多数V/F转换器不同，AD654提供方波输出，可以驱动最多12个TTL负载、光耦合器、长电缆或类似负载。 方框图...
发表于 2019-02-22 12:45
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和特点 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值） 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值） 高hFE： 500（最小值） 出色的hFE线性度：从10 nA至10 mA 低噪声电压： 0.23 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz） 高击穿电压： 45 V（最小值） 产品详情 MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。 方框图...
发表于 2019-02-22 12:40
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和特点 产品详情 AD53509是一款单芯片器件，用于在ATE VLSI和存储器测试仪中执行驱动器、比较器和有源负载的引脚电子功能。此外，它还内置一个用于有源负载的肖特基二极管桥和一个VCOM缓冲器。 驱动器采用专有设计，提供三种有源状态：数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态，以及一种抑制状态。输出电压范围为−2 V至+7 V，支持多种测试设备。整个信号范围内的输出漏电流典型值小于250 nA。 双通道比较器的输入范围与驱动器输出范围相同，内置锁存器并提供ECL兼容型输出。输出能够驱动端接到−2 V电压的50 Ω信号线路。信号跟踪能力大于>5 V/ns。有源负载可以用来提供最高40 mA的负载电流，整个设置范围内的线性度误差小于10 μA。IOH、IOL和缓冲VCOM均可独立调整。片上肖特基二极管具有高速开关和低电容特性。 片内还集成温度传感器，其作用是指示DCL的表面温度。可以利用此信息来测量θJC和θJA，或者在失去正常冷却功能时提示报警。传感器输出是一个与绝对温度成比例的吸电流。增益被调整到1.0 μA/K的标称值。例如，可以利用一个连接在10 V电压与THERM引脚之间的10 kΩ电阻来检测输出电流。该电阻上的压降为...
发表于 2019-02-22 12:31
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和特点 驱动器欲了解更多信息，请参考数据手册比较器窗口和差分比较器输入等效带宽：500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息，请参考数据手册电平欲了解更多信息，请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出范围：0 V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功耗：每通道900 mW（空载） 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案，用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器，能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态：数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态，以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时，有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压，ADATE305支持两种输出电压范围：−2.0 V至+6.0 V和−1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道，也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器，以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平都由片内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...
发表于 2019-02-22 12:31
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和特点 驱动器3电平驱动器，提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式：<10 nA（典型值）电压范围：−2.0 V至+6.0 V脉冲宽带：2.4 ns（最小值），2 V端接比较器窗口和差分比较器输入等效带宽：500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压范围：−2.0 V至+6.0 V5种电流范围：32 mA、2 mA、200 µA、20 µA、2 µA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出范围：0 V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功耗：每通道900 mW（空载） 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案，用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器，能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态：数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态，以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时，有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压，ADATE304支持两种输出电压范围：...
发表于 2019-02-22 12:31
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和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流范围 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压和充电准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作范围 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC®2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作范围非常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ™) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限，则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
发表于 2019-02-22 12:23
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和特点 宽带宽： DC - 50 GHz 9款衰减器产品：固定电平：0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理： +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸： 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654, HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸： 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔，无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金，适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买，或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件（含10件）。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
发表于 2019-02-22 12:18
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和特点 超低SSB相位噪声： -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率： 5 dBm 单直流电源： +5V 小尺寸： 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC（使用方波输入）至13 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
发表于 2019-02-22 12:17
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和特点 输出IP3： +25 dBm P1dB： +16 dBm 增益： 13 dB 电源电压： +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸： 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益，采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率（1dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 2019-02-22 12:15
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和特点 增益： 16 dB (76 GHz) P1dB： +15 dBm 电源电压： +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸： 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益，在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率，采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 2019-02-22 12:15
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和特点 P1dB输出功率： +12 dBm 增益： 12.5 dB 输出IP3： +19 dBm 电源电压： +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸：3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片，在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益，+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为80 mA（采用+8V电源）。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的，内部匹配50 Ω阻抗，方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 2019-02-22 12:15
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和特点 噪声系数： 2 dB 增益： 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率： +6 dBm 电源电压： +4V (87 mA) 裸片尺寸： 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片，工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率（1 dB增益压缩），采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm²)，这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 2019-02-22 12:14
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和特点 噪声系数： 2.8 dB 增益： 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源： +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸： 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片，工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小，该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 2019-02-22 12:14
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和特点 噪声系数： <5 dB P1dB： +7 dBm 增益： 13 dB 电源电压： +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸： 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率（1 dB压缩），分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 2019-02-22 12:13
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和特点 出众的性能高单位增益带宽：50 MHz低电源电流：5.3 mA高压摆率：300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间（10 V步进）：65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益（PLOAD = 1 kΩ）低输入失调电压：0.5 mV额定工作电压：±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘（EIA-481A标准）提供双通道版本：AD827（8引脚）LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破，实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值，包括3500 V/V的开环增益（500Ω负载）和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V（负载低至150Ω）。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器，从低噪声AD829（1.7nV/√Hz）到终极的视频放大器AD811（差分增益0.01%，差分相位0.01°）。 方框图...
发表于 2019-02-22 12:12
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![AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器]()
和特点 噪声系数： 2.5 dB (20 GHz) 增益： 18 dB P1dB输出功率： +14 dBm 电源电压： +4V (90 mA) 裸片尺寸： 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片，工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率（1 dB增益压缩），采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小，HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 2019-02-22 12:08
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和特点 增益： 12 dB P1dB输出功率： +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸： 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²)，HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 2019-02-22 12:07
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和特点 输出IP3： +31 dBm P1dB： +22 dBm 增益： 20 dB (20 GHz) 电源电压： +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸： 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益，采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率（1 dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 2019-02-22 12:07
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和特点 输出IP3： +25 dBm P1dB： +17 dBm 增益： 24 dB 电源电压： +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸： 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益，采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率（1dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 2019-02-22 12:07
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和特点 宽IF带宽： DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率： +14 dBm 裸片尺寸： 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且体积要小得多，性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 2019-02-22 12:07
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和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差：±2% 复位时间延迟：200 ms或可调 待机电流：1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案，可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能：启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V，电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换，则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器，用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 2019-02-22 12:06
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和特点 低失调电压：400 μV（最大值） 高电流增益：300（最小值） 出色的电流增益匹配度：4%（最大值） 低电压噪声密度（100 Hz、1 mA）：3 nV/√Hz（最大值） 出色的对数一致性：体电阻 rBE = 0.6 Ω （最大值） 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管，具有出色的参数匹配性能，适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括：在很宽的集电极电流范围内提供高增益（最小300）、低噪声（在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz）以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV，精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试，符合数据手册性能规格。为使参数匹配（失调电压、输入失调电流和增益匹配），双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证，达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 2019-02-22 12:01
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工商网监
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