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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>【大神课堂】碳化硅 (SiC):历史与应用

【大神课堂】碳化硅 (SiC):历史与应用

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6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-24 10:22:28480

6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.1SiC特有的基本现象6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.3热氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:37493

6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08743

6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.2n型SiC的欧姆接触
2022-01-26 10:08:16636

5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优势和应用

碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

奥迪宣布又增2款碳化硅SiC车型

前段时间,奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron(,最近,奥迪又有1款碳化硅车型公布,同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大优势

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅的特性、应用及动态测试

SiC碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称,是一种用途广泛的材料。
2024-01-09 09:41:31196

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