中芯国际CEO发话:今年研发7nm工艺!

来源:网络整理 作者:佚名2017年03月17日 10:07
[导读] 国内把半导体技术作为重点来抓,首先要突破的是3D NAND闪存,这方面主要是长江存储科技在做,而在芯片制造工艺方面,国内比Intel、三星、TSMC落后的更多,这方面追赶还得看SMIC中芯国际。日前中芯国际CEO邱慈云表态今年晚些时候会投资研发7nm工艺,不过他并没有给出国产7nm工艺问世时间,考虑到14nm工艺目标定在2018-2020年左右,估计国产的7nm工艺至少也得在2020年之后了。
关键词:7nm中芯国际

国内把半导体技术作为重点来抓,首先要突破的是3D NAND闪存,这方面主要是长江存储科技在做,而在芯片制造工艺方面,国内比Intel、三星、TSMC落后的更多,这方面追赶还得看SMIC中芯国际。日前中芯国际CEO邱慈云表态今年晚些时候会投资研发7nm工艺,不过他并没有给出国产7nm工艺问世时间,考虑到14nm工艺目标定在2018-2020年左右,估计国产的7nm工艺至少也得在2020年之后了。

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中芯国际是国内最先进的半导体代工厂,2016年营收29亿美元,同比增长30%,不过与全球晶圆代工一哥TSMC台积电差距还是相当大的,后者去年营收约为300亿美元,半导体工艺更是领先——TSMC早就量产16nm FinFET工艺了,今年还会量产10nm工艺,SIMC目前最先进的工艺还是28nm,主力工艺还是40nm、55nm等。

2015年比利时国王访华时,中比双方签署了一系列合作协议,其中一条就是中芯国际、华为、高通与比利时微电子中心IMEC合作研发14nm FinFET工艺,预计会在2020年之前达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的16/14纳米工艺实现规模量产的目标。

中芯国际从28nm直接进入14nm,跳过了20nm节点,未来也很有可能跳过10nm节点,直接进入7nm节点。该公司CEO邱慈云博士日前对外表态称今年晚些时候会投入R&D研发资金开发7nm工艺,他还提到近年来中芯国际加大了研发投入力度,R&D投资占据公司12-13%的营收,2016年资本支出也创纪录地达到了27亿美元。

邱博士并没有提到国内7nm工艺的具体情况,目前看来只是开始投入研发资金,这一点上要比Intel、三星GF、TSMC早几年就研发7nm工艺要晚得多,不过他们依然是全球第五家表态研发7nm工艺的半导体公司,随着制程工艺越来越先进,全球有能力研发新工艺的晶圆厂越来越少。

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