9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 武汉新芯将成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器。紫光集团董事长赵伟国出任
2016-08-02 17:57:401620 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升,以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘(SSD),NAND Flash需求正快速成长,各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:128497 2月16日据中科院网站消息,近日,由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-16 11:35:24863 通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来,促成了NAND 技术进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 知情人士告诉半导体行业观察记者,国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。
2018-07-17 10:03:054958 集微网消息,9月19日,2018年中国闪存市场峰会(CFMS2018)在深圳举行,长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构:释放3D NAND潜能”为主题,介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。
2018-09-20 10:22:075376 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:292569 NAND Flash是一种非易失存储器,也就是掉电不丢失类型,现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash,比如U盘、固态硬盘,手机存储等等,电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 采购。日经新闻引述两名知情人士消息称,苹果将把这些芯片用于新款 iPhone 以及特别是其他在中国国内市场销售的产品。 苹果与长江存储科技皆未立即回应置评请求。 长江存储32层3D NAND Flash获得了突破性进展 2016年3月,总投资约1600亿元人民币的国家存储器基地在武汉启动。四个月
2018-02-16 17:44:085459 2018年底长江存储实现32层64Gb 3D NAND Flash量产。它注定将开创中国存储芯片的历史。
2019-01-28 17:18:5517026 对相关业务进行了重新聚焦:压缩了NAND部分产品线。 紫光存储方面表示,未来随着长江存储3D NAND稳步量产,相关业务将逐步转移到长江存储;同时,还将增强DRAM部分产品线。 去年9月2日,紫光集团旗下长江存储宣布,已开始量产中国首款
2020-03-19 09:18:225200 ,重量轻,强度高,定义闪存科技新钛度。致钛将提供高品质3D NAND闪存产品及解决方案,让记忆承载梦想。 长江存储宣布推出SSD品牌致钛ZHITAI 据悉,长江存储将在未来推出致钛品牌的SSD产品。根据官方发布的海报来看,这款产品应该是一款采用M.2接口的SSD硬盘。它
2020-08-28 18:24:142933 近期,加快芯片国产化进程已经成为中国科技企业最重要的议题之一,中国存储器芯片设计与制造公司——长江存储正在加速生产。长江存储将缓慢提高其NAND芯片产量,以争取更多的市场份额。
2020-09-23 10:05:432655 什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿?
2021-06-18 06:06:00
,市场规模快速增长,在航空航天领域应用不断扩大。 3D打印技术持续发展,市场规模快速增长 3D打印技术在技术方法、制造平台、行业标准等方面取得重要进展,在市场规模方面保持快速增长态势。 3D打印
2019-07-18 04:10:28
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据;②存储器内部以块为单元进行分割,而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门,之后在此基础上,形成组合逻辑用于存储信息,例如R-S锁存器和门控D锁存器,进而进一步组合复杂化,形成我们
2021-12-10 06:54:11
NAND FIash存储器的特点FIash文件系统的应用特点 FAT文件系统的结构FAT文件系统的改进设计
2021-04-25 09:18:53
处理的一部分在内核之间共享。KeyStone 架构可提供一些改进措施,以简化共享内部与外部存储器的一致性管理操作。 在 KeyStone 架构中,LL2 存储器始终与 L1D 高速缓存保持一致,所以
2011-08-13 15:45:42
及SRAM相当,大大超出了闪存的105次。在功能及性能方面均超过现有存储器的自旋注入MRAM,很有可能将会取代在设备中使用的多种存储器(见图1)。如果关键技术的研发工作进展顺利,自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
娱乐等,未来AI实时应用、分析、移动性,对存储要求低延迟、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。为了满足不断增长的需求,西部数据在2017年发布第四代96层3D NAND,Fab工厂每天可生产
2018-09-20 17:57:05
,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。
SRAM:
SRAM利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
据新华社7月2日报道,相变存储器,具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点,被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉,由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域,并实现千万量级市场化销售,未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44:43
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中,外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash,都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址,页(Page),块(Block)。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
随着集成电路制造工艺水平的提高,半导体芯片上可以集成更多的功能,为了让产品有别于竞争对手的产品特性,在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长,其复杂性、密度和速度也日益增加,从而需要提出一种专用存储器设计方法。
2019-11-01 07:01:17
近日,微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器研究工作中取得进展,并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器(ReRAM)具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
2018年上半进入96层的技术规格,2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高,美日韩存储器大厂都卯尽全力,在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出,第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别?特点?小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分,片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性静态存储器)等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势:存储器
2019-07-23 06:15:10
,功耗和成本之间的平衡.在另一些情况下,根据基本存储器的特性进行分割成为一个合理办法。例如,将一位可变性内容放进一位可变性存储器而不是将一位可变性内容放进块可变性存储器,带宽分割在高水平上,主要有3个
2018-05-17 09:45:35
优势,或许,未来将有更多的玩家参与其中。存储产品的3D时代 伴随着三星、美光、东芝、英特尔纷纷开始投入到3D NAND的生产和研发中来,存储产品也开始走向了3D时代。在这些厂商发展3D闪存的过程当中,也
2020-03-19 14:04:57
英特尔SSD 800P,900P,905P系列的存储介质都是相变存储器,我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-19 11:53:09
而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-21 10:49:57
如图 2 所示,DINOR闪速存储器如图 3 所示,AND闪速存储器单元的结构如图 4 所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种,其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的,其他所有类型
2018-04-09 09:29:07
紫光南京半导体产业基地主要将生产3D NAND FLASH存储芯片和DRAM存储器芯片,一期占地约700亩,二期占地约800亩;这也是紫光拟在武汉投资控制长江存储、在成都打造晶圆厂,另一个紫光大型的存储器生产南京基地也已经实质启动。
2017-11-28 12:54:401970 NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础,也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片,国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光,紫光集团旗下的长江存储正在
2018-05-16 10:06:003750 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-06-20 10:26:001857 存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR),两者各占三成。非易失性:断电以后
2018-04-09 15:45:33109972 4月11日,长江存储以芯存长江,智储未来为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。 2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装,正是为4月搬入机台设备而准备,预计很快就可以实现 3D NAND 量产。
2018-04-15 10:08:009280 日前,长江存储以“芯存长江,智储未来”为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。目前,长江存储新建的厂房已经完成厂内洁净室装修和空调、消防等系统的安装。只要生产设备搬入并完成调试之后,就可以量产NAND Flash芯片,打响中国在存储芯片领域的第一枪。
2018-05-30 02:28:007739 从第四批科技成果转化签约大会湖北大学专场上获悉,湖北大学物理与电子科学学院王浩教授领衔的团队,与长江存储科技有限责任公司签约受让3D存储器选通管技术,年产值预计将达60亿元。双方达成战略合作,将继续
2018-06-11 01:15:002233 作为3D NAND闪存产业的新晋者,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(长江存储)今年将首次参加闪存峰会(Flash Memory Summit),并发表备受期待的主题演讲,阐述其即将发布的突破性技术XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486 长江存储科技公司表示,尽管仍采用3D分层,但速度却可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器(NAND Flash)报捷,已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利,预计明年完成生产线建置、2020年量产,震撼业界。
2018-08-13 09:45:002185 作为NAND行业的新晋者,长江存储科技有限责任公司(以下简称:长江存储)昨日公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据,2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中,NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品,2015年营收达到267亿美元,占半导体存储器市场总额的32%。
2018-08-13 09:01:001349 作为NAND行业的新晋者,长江存储今天公开发布其突破性技术——XtackingTM。据知情人士透露,这之前存储一直都是三星的强项。
2018-08-13 16:08:273366 日本PC Watch网站日前刊发了长江存储CEO杨士宁博士在FMS会议上的演讲,我们之前也做过简单的报道,这次他们的介绍更加详细,我们可以一窥长江存储的3D NAND闪存现在到底进行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885 根据紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩,将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线,并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
2018-10-16 15:58:402365 目前世界上存储器芯片市场主要由美、日、韩主导,是高度垄断的寡头市场格局,长江存储的成立就是希望打破这一行业垄断。
2018-11-21 17:40:027293 (CITE2019)上展示了企业级P8260硬盘,使用的就是长江存储的32层3D NAND闪存。长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存,该公司CTO程卫华在接受采访时表示今年下半年量产64层堆栈的3D NAND闪存,目前计划进展顺利,没有任何障碍。
2019-04-18 16:18:522080 长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后,进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash战局,对比今年三星、SK海力士(SK Hynix )进入90层3D NAND芯片生产,长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281277 江波龙已经导入长江存储 32 层的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盘等产品上
2019-06-14 10:25:105191 根据官网资料,长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品,广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
2019-08-29 14:28:002164 Xtacking是长江存储在去年FMS(闪存技术峰会)首次公开的3D NAND架构,荣获当年“Best of Show”奖项。其独特之处在于,采用Xtacking,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。
2019-09-06 16:30:372625 长江存储科技(YMTC)本周早些时候表示,已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:161661 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界,井水不犯河水”。但在即将来临的时代,存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场,而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND,正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:41742 据悉,长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:002612 长江存储打破全球3D NAND技术垄断,作为国家重点打造的存储器大项目,经历多年的研发,终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:052849 根据国科微官方的消息,国科微搭载长江存储3D NAND闪存的固态硬盘产品已完成批量测试。
2020-01-17 15:17:495053 美光在二季度财报电话会议上透露,该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划,美光将于 2020 Q3 采集开始生产,并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型,第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:521542 据证券时报消息,长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示,128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377 4月8日零时,武汉市正式解除离汉离鄂通道管控措施,而位于武汉的国家存储器基地长江存储的研发进展以及受疫情影响情况受到业内的高度关注。
2020-04-08 16:20:413255 2020年4月13日,中国武汉,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内
2020-04-13 09:29:415557 4月13日,紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司(长江存储)宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功。
2020-04-13 17:14:491128 据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片,这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术,意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2-6070研发成功,已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:002648 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM),其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:572584 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 (PHISON; TPEx:8299) 与长江存储自2016年开始接洽合作,从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226,至近期的64层3D NAND,群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091032 长江存储科技有限责任公司宣布,128层QLC 3D NAND闪存研发成功,这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:224866 长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-12 09:54:014145 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 杨士宁表示,很多人反映很少看到国产内存, 实际上华为Mate 40系列手机现在也使用了长江存储的64层3D NAND闪存。 他强调,与国际存储大厂6年的路程相比, 长江存储仅用了短短3年时间实现了3D NAND的32层、64层、128层的跨越。 会议上, 他还展示了长江存储 先进的Xt
2020-11-23 11:59:264351 大咖来答疑栏目给出了相关技术答复,让大家更加的了解致钛品牌固态。 背景介绍: 长江存储于2014年,开始3D NAND flash的研发,技术团队从最初开始研发相关技术到现在已经有六年的时间,并在,2016年注册公司,短短的时间内就做到了从闪存颗粒,到X
2020-11-24 09:56:483572 作为国产存储行业的佼佼者,长江存储近两年凭借在3D NAND闪存领域的突飞猛进,引发普遍关注,尤其是独创了全新的Xtacking闪存架构,最近还打造了首个消费级SSD品牌“致钛”。
2020-11-24 10:12:314014 日前,有媒体报道称,消息人士透露,长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10万片晶圆,并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片,不过为确保量产芯片质量,该计划有可能会被推迟至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468 此前4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。
2021-01-17 10:19:202851 2020年4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,这也是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存。同年8月14日,长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在紫光集团展台上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362092 昨日消息,国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业长江存储宣布推出UFS 3.1通用闪存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812 存储器的历史始于1984年,彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash(NAND 闪存)。1989年,东芝首款 NAND Flash 上市。2001年,许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 据外媒报道,长江存储去年7月生产了232层3D NAND闪存样机,同年11月开始投入量产。
2023-02-28 10:51:251662 随着信息技术的飞速发展,数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势,在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析,以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 长江存储在专利侵害诉讼场主张说:“此次诉讼是为了中断美光公司广泛而无许可地使用长江低利的专利革新。”长江存储诉讼称,美光使用长江存储的专利技术,从与长江存储的竞争中防御,确保和保护市场占有率。
2023-11-12 14:26:45314 诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。
2023-11-13 15:47:51289 在起诉书中,长江存储声称自己目前是全球3D NAND技术的领导者,并得到了行业和第三方机构的广泛认可。长江存储的技术创新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和产量,推动了多种电子设备的创新。
2023-11-13 16:03:05369 长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。
2023-11-13 16:53:04531 长江存储与美光芯片战升级。3D NAND闪存制造商长江存储,已于9日在美国加州北区地方法院对美国记忆芯片龙头美光科技提告,指控美光侵犯了长江存储8项与3D NAND相关的美国专利。
2023-11-13 17:24:51547 在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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