2016年下半年开始了新一轮存储芯片的旺季，DRAM内存及NAND闪存的价格从那时候开始疯涨，今年已经进入第三个年头了，不过情况也不一样了DRAM内存颗粒今年的涨价速度放缓到个位数，不过今年并没有
2018-10-31 09:49:01
2076 根据IC Insights的数据，总存储器市场在过去两年中对IC市场的总体增长产生了重大影响，但可能会对2019年的IC市场总体增长产生非常不利的影响。 DRAM和NAND闪存市场继续紧跟原有的IC
2019-04-28 11:03:184363 DRAMeXchange数据显示，第二季度全球DRAM存储器产业的产值连续下降9％，而NAND闪存业则持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出货量连续增长，但芯片价格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005149 本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
2016-12-27 15:49:1320415 
本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446 
的五个最大细分市场。 DRAM和NAND闪存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成为两个最大的IC领域。今年的销售额预计增长3.2％，预计DRAM市场将达到近646亿美元，比去年增长15
2020-08-05 09:29:065234 Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上，除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的技术分享外，大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM内存开发创新架构的厂商，其去年推出的X-NAND第二代技术，允许3D NAND闪存
2023-05-08 07:09:001983 
电子发烧友网报道（文/周凯扬）在近期的闪存峰会上，一家由英国兰卡斯特大学孵化的初创公司Quinas Technology获得了创新大奖。他们展示了ULTRARAM，一个结合了DRAM高性能和闪存
2023-10-09 00:10:001311 导读：VR 在2016年取得不错的成绩，在2017年市场逐渐成熟，可以预测未来五年市场发展前景良好，VR设备也将更多考虑市场需求，设计出满足顾客期望的设备。
美国知名科技媒体
2016-12-21 11:31:56
Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。 驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。应用环境NOR型闪存现在的容量
2012-08-15 17:11:45
步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。同时，另一家半导体大厂
2018-10-12 14:46:09
超高画质电视等消费性产品。以及后续2020年受惠游戏机卡匣、5G基地台、资料中心及笔电用存储器出货强劲成长，旺宏的19nm SLC NAND FLASH将在众多产品中成为中流砥柱。截至目前为止，19nm
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
已超越DRAM比重，跃升为最重要产品线，全球市占率达30~35%，攀至全球第二大，今年预估出货量还会成长5~10%，市占率上看40%。对NAND Flash近期市况，他指出，目前下游库存低，农历年前拉
2022-02-10 12:26:44
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了
2015-11-04 10:09:56
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
亲爱的大家，任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板，并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
***地区厂商达17.9%。由于三星、海力士与美光等厂商在产能配置上着重于Flash颗粒以及CMOS Image Sensor等产品，2007年仅***地区厂商大量的扩充DRAM产品的产能，因此未来***地区厂商DRAM销售额比重仍将持续攀高。
2008-05-26 14:43:30
时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40％，但是第一季度过后NAND价格就开始暴降，据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
求DM3730用的NAND+DRAM 的线路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09
)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND
2022-06-16 17:22:00
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
26 Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新获得半导体Insight奖
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的D
2009-05-08 10:39:06909 尔必达计划收购Spansion NAND闪存业务
据国外媒体报道，日本尔必达公司表态计划收购美国Spansion（飞索半导体）旗下的NAND闪存业务资产。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
内存市场日益扩大，研调机构 IC Insights 最新报告预测，DRAM 与 NAND 闪存等，未来 5 年年均复合增长率（CAGR）可达 7.3%，产值将从去年的 773 亿美元扩增
2017-01-09 11:19:11238 2016年全球PC市场继续下滑，除了游戏相关的硬件之外，活得最滋润的就是DRAM内存、NAND闪存了，2016下半年开始的缺货、涨价使得相关厂商的营收看涨。作为全球最大的DRAM内存及NAND闪存
2017-01-16 10:40:24638 三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 策略进行了讲解。 首先，Micron 公司 CEO Mark Durcan 讲解了 DRAM 和 NAND 存储器的市场趋势。他说，未来几年 DRAM 出货量增长速度将减缓。如图 1 所示，2015
2017-10-20 16:08:2649 NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础，也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片，国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光，紫光集团旗下的长江存储正在
2018-05-16 10:06:003750 内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析，储存型闪存（NAND Flash）和DRAM市况不同调 。三星和美光同指本季NAND价格持续下探，但DRAM价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下，价格将持稳到年底。
2018-06-21 18:45:00912 随着移动设备、物联网应用的兴起，对于节能的数据储存与内存技术需求日益增加。 目前的内存技术以DRAM与NAND闪存为主流，但DRAM的读写速度快无法长时间储存数据；NAND Flash能保存数据， 但读写速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 目前存储器市况呈现两样情，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。
2018-06-22 15:48:00733 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 根据Yole 预测2018年DRAM价格将上涨23%，NAND价格下降15％。
2018-06-28 17:05:015696 
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 根据韩国媒体《BusinessKorea》的专文报导说到，由于市场预测，半导体价格已达到高点并开始下跌，未来韩国半导体出口价格将呈下降的趋势。特别是NAND Flash快闪存储器价格的下降，越来越有可能连带影响DRAM价格下跌。
2018-08-15 10:45:033248 8月21日，调研公司IC Insights发布报告称，由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长，今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出22%，而一年前的该比例仅为1%。
2018-08-24 14:16:001012 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 据日媒指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出；而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:443278 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
存储级内存（SCM）这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容，但兼具DRAM的速度，最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。
2019-01-28 14:23:18641 存储级内存（SCM）克服了NAND闪存的局限性，因而势必会取而代之。 存储级内存（SCM）这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容，但兼具DRAM的速度，最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。
2019-05-11 10:47:434471 近日，HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测，在他看来，存储级内存（SCM）或将在10年内取代NAND闪存，成为企业首选的高速存储介质。
2019-02-19 14:06:365827 IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。 据IDC数据显示，2019年上半年闪存
2019-03-20 15:09:01282 在本周的活动上，西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟，采用SLC或者MLC颗粒。
2019-03-25 14:44:563061 2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市，领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片，其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价，迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630 DRAM与NAND Flash持续维持下降走势。
2019-07-06 11:38:563485 NAND闪存与机械存储设备一样，默认情况下是不可靠的 - 这是电子世界中不寻常的情况。它的不可靠性通过使用专用控制器来处理。另一方面，DRAM被认为是“非常”可靠的。服务器通常具有错误检测（并且可能是校正）电路，但消费者和商业机器很少这样做。我将专注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
国际半导体市场研究企业IC Insights近日发布预测称：“在世界半导体贸易统计协会（WSTS）分类的33个IC（集成电路）产品中，25个产品今年的销售额将会出现负增长。尤其是DRAM和Nand闪存，销售额将分别比去年减少38%和32%，减少规模是半导体市场整体预期减少幅度（15%）的两倍。”
2019-08-15 15:14:552211 根据Tom‘s Hardwared的报道，东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存，以及PLC的NAND开发。
2019-08-26 16:15:583539 据韩媒BusinessKorea报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND闪存需求将增加，5G通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球DRAM和NAND闪存市场的增长。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日讯，据韩媒报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘密度和性能提升，明年全球 NAND 闪存需求将增加，5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM 和 NAND 闪存市场的增长。
2019-12-23 14:13:44647 任何了解SD卡，USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道，控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
3月13日消息，据国外媒体报道，此前外媒曾预计NAND闪存和DRAM内存的合约价格，在今年二季度的涨幅将达到两位数，现在外媒也逐步给出了具体的预测。
2020-03-14 10:18:501780 近日，三星电子宣布了在韩国平泽厂区的扩产计划，除扩建采用极紫外光（EUV）的晶圆代工生产线及DRAM产能之外，还将扩大3DNAND闪存方面的产能规模。业界预估三星电子仅用于3DNAND闪存方面
2020-06-16 10:07:173162 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 DRAM是目前常见的存储之一，但DRAM并非唯一存储器件，NAND也是存储设备。那么DRAM和NAND之间有什么区别呢？DRAM和NAND的工作原理分别是什么呢？如果你对DRAM和NAND具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
市场跟踪数据显示，DRAM和NAND闪存相关产品在10月份的价格暴跌，韩国科技媒体THE ELEC指出，出现这一现象的原因可能在于美国对华为的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 日前，TechInsights高级技术研究员Joengdong Choe在2020年闪存峰会上作了两次演讲，详细介绍了3D NAND和其他新兴存储器的未来。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰
2020-11-20 16:07:132330 日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月结束后DRAM内存芯片和NAND闪存芯片的价格情况。
2020-12-02 09:51:261705 
NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的3D NAND将如何发展？如何正确判断一款3D NAND的总体效率？ 在2020年的闪存
2020-12-09 10:35:492766 上周，美光科技调升了公司二季度营收和利润的预期。而高盛分析师注意到，可以从调研分析预测当前和未来几个季度的NAND和DRAM市场状况。
2021-03-08 14:50:172554 写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么？
2021-04-01 17:50:562894 该NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281 不同于一季度的疲软，可以看到在 二季度存储市场明显有所回暖，打破自2022年二季度以来的连续下滑，重新恢复增长。 据CFM闪存市场分析， 2023年二季度全球NAND Flash市场规模环比增
2023-09-05 16:13:32317 
据消息人士透露，nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹，到目前为止已经上涨了10%以上。他表示：“nand价格上涨将为dram价格上涨营造有利的市场氛围。存储器模块制造企业正在密切关注dram价格反弹的时间。
2023-09-20 10:19:50503 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 从2024年第四季度开始，DRAM和NAND闪存的价格将全面上涨，这已经导致国内存储器下游企业的闪存采购成本上涨了近20%，而内存采购成本上涨了约30%。
2023-10-17 17:13:49793 dram和nand的区别 DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种随机存取存储器，而NAND（Not AND）是一种逻辑
2023-12-08 10:32:003921 部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；
2024-01-03 10:46:21550 有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价，但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%，大幅提升DRAM价格，但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。
2024-01-08 16:43:54466
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