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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM

三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM

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2014-08-22 15:47:31

请问DNW只能用三星的ARM芯片吗?

DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗?
2019-08-05 22:52:59

郭台铭收拾三星,决定富士康停止向三星供应面板

三星电子在2010年的时候告密导致鸿海集团(富士康)子公司奇美电子被罚三亿欧元,郭总裁当时痛斥三星电子为”专打小报告的小人”,同时他也表示一定会从韩国人的手裡把这个钱给赚回来,时隔多年,郭总裁收购
2016-12-18 01:18:05

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2021-07-06 19:32:41

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2021-02-23 17:54:12

XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案

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2023-05-29 10:09:46

IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD强势登场

IBM新一代的FlashSystem存储设备中,将利用磁阻RAM(MRAM)来做写缓存,而不再使用传统的DRAMMRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一
2018-12-02 09:31:053664

高密度MRAM未来将会取代DRAM和闪存等现有设备

高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。 对于Everspin而言,Toggle MRAM的成功正在
2020-07-28 11:26:41891

MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较

了基础。 1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下: 技术指标: 具有sram芯片的随机存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存储密度; 具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。 产品目标: 取代计算机的DRAM内存,
2020-09-07 18:19:335079

STT-RAM取代DRAM内存

自旋转移扭矩随机存取存储器(STT-RAM)技术希望用其下一代MRAM取代DRAM,最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势,SRAM的快速读写性能以...
2022-01-26 18:32:390

切换面向5G的MRAM准备

高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。
2022-01-26 18:46:465

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