就在Intel稍早以公开信件说明近期处理器产能受限，并且针对市场供货短缺情况致歉，市场传出三星将协助Intel生产处理器产品，借此缓解Intel在14nm制程处理器产能需求。 根据韩联社引述消息来源
2019-11-29 09:36:41
3979 根据最新报告，华为子公司海思半导体已从中芯国际半导体制造公司订购了新的14nm工艺，同时也已收到台积电（台湾半导体制造公司）的订单。 前者于2015年开始研发14nm工艺，并自2019年第三季度开始
2020-01-14 11:21:195461 2022 年 4 月 21日，中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议，四家公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体
2022-04-21 17:18:483472 
三星14nm同样引入了FinFET晶体管技术，而且又类似GlobalFoundries、联电，三星也使用了14+20nm混合工艺，大致来说就是晶体管是14nm的，其它各部分则都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241298 
在Synopsys 的协助下，台湾联电（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造，而这
2013-06-28 09:57:581023 意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223744 格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
2015-07-14 11:18:181462 近日Global Foundries(以下简称GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工艺都取得了突破，成功量产，这似乎为半导体代工厂GF近数年的颓势带来一股希望，不过在笔者看来，GF未必能就此扭转命运，不过是GF与那些半导体厂商豪门恩怨的延续。
2015-07-25 22:16:206622 半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:22949 耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033179 
三星半导体（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节，包括将扩展其FD-SOI产能，以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 芯片制造的重点永远是成本。从28nm HKMG工艺转换到14nm FinFET工艺，将会增加50%的成本，这个代价值得吗？虽然FinFET能实现令人印象深刻的性能数据。
2016-05-11 09:33:191337 
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 获得英 特尔（Intel）、三星、台积电（TSMC）等大厂采用的FinFET制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节 点，FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:021835 
鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22845 半导体市况好热闹，就在台积电透露5nm将在2019年试产之际，联电23日也宣布，自主研发的14nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
2017-02-24 07:56:012534 ，台积电透露5nm将在2019年试产之际，联电2月23日也宣布，自主研发的14nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
2017-02-24 08:25:501308 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 一、前言：14nm的巅峰！Intel主流平台迎来10核心 曾经有一段时间笔者也难以理解，为什么早在2018年笔记本端的i3-8121U处理器就用上了10nm制程工艺，而桌面上最新十代酷睿还在坚持
2020-07-28 16:27:2118704 
中芯国际第1季收入预计为全年相对低点，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已进入客户验证阶段，产品可靠度与良率进一步提升，同时12nm制程开发也取得突破。
2019-02-17 20:31:531241 3 月 10 日消息从供应链获悉，中芯国际 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90%-95%。目前，中芯国际各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 随着半导体产业技术的不断发展，芯片制程工艺已从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升级到到现在比较主流的10nm、7nm，而最近据媒体报道，半导体的3nm工艺研发制作也启动
2019-12-10 14:38:41
年代的第一年，半导体工艺制程发展的状况又会如何变化呢？是否会带来一些新的进展呢？ 英特尔 10nm快速崛起，重返Tick-Tock时代 英特尔的发展步伐一直是业内关注的焦点。2019年下
2020-07-07 11:38:14
14nm工艺的肖特基二极管和与非门导通延时是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
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2023-06-01 14:52:23
们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机，一台设备的单价就可以达到1.2亿美元，可见半导体
2020-02-27 10:42:16
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
摘要 : 导读：ASEMI半导体这个品牌自打建立以来，就一直不间断在研发半导体各类元器件，在半导体的制程和原理上可谓已经是精益求精，今天ASEMI半导体要和大家一起分享的，就是这个半导体的制程导读
2018-11-08 11:10:34
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工艺、Silvermont新架构的智能手机、平板机处理器，而接下来的14nm路线图也已经曝光了。 根据规划，在平板机平台上，Intel将于2014年
2013-08-21 16:49:33
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V/SOI 波导电路的化学机械抛光工艺开发编号：JFSJ-21-064作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
从7nm到5nm，半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极
2021-07-29 07:19:33
半导体为代表的欧洲半导体科研机构和公司相继迎来技术突破，快速发展，为MRAM的商业化应用埋下了伏笔。 2014年，三星与意法半导体签订28nm FD-SOI技术多资源制造全方位合作协议，授权三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用？
2021-06-26 07:14:03
和二硫化钼（MoS2）制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要
2016-10-08 09:25:15
尊敬的先生/女士，您能否提供步骤和可能的图表，以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线？提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，年底会开发完毕。简山杰表示，截止到现在，我们14nm的产能虽然不多，但其利用率还不错。至于是否再继续投资14nm制程的产能，简山杰说：“要再观察。”RF-SOI谈到越来越火热的RF-SOI工艺时，简
2018-06-11 16:27:12
22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56427 英特尔（Intel）日前公布了将部署14nm及以下制程的晶圆厂投资计划。据表示，总投资金额将超过十亿美元。 英特尔（Intel） CEO Paul Otellini稍早前说明了英特尔的晶圆厂部署14nm及未来更先
2012-05-30 11:31:11989 
为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机，格罗方德将率先导入三维鳍式电晶体（3D FinFET）架构于14nm制程产品中，预计明年客户即可开始投片，后年则可望大量生产。
2012-10-09 12:02:37911 意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 在2012年度的国际电子元件大会上，有专家指出，半导体制程在14nm的节点上会迎来大挑战，而不符合偶尔定律的要求。
2012-12-13 08:51:371035 日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半导体（ST）宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。根据客户的节能与性能权衡策略，FD-SOI芯片本身可节约20%至50%的能耗，使终端设备可更快散热，并实现更长的使用寿命。
2013-05-10 09:06:43913 ，而台积电在16/10nm之间捣鼓了一个12nm，其实就是16nm的深度改良版，号称可带来更高的晶体管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地竞争三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141234 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:425975 集微网消息，格罗方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半导体供应商意法半导体（ST）选择采用格罗方德 22 纳米 FD-SOI（22FDX）制程技术平台，以支持用于工业及消费
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工艺节点进展方面，三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示，三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向，FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002368 全球半导体业中还能继续跟踪14nm工艺节点者可能尚余不到10家，包括英特尔、三星、台积电、格罗方得、联电、东芝、海力士、美光等。显然在半导体业中领军尺寸缩小的企业是NAND闪存及CPU制造商及一批
2018-04-09 16:24:001952 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上，三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 今天，Globalfoundries（简称GF）宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。
2018-08-31 15:03:012841 日前，格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm FD-SOI工艺。
2018-09-03 16:41:425128 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未来的先进工艺之争，专注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工艺，虽然他们还提到了未来某天有可能杀回来，但是这对市场已经没什么影响了。
2018-09-04 11:08:362165 先进制程的研发令人有些惋惜，不过格芯倒是显得稳重、平和。日前举行的GTC大会，格芯还是强调先进制程不是市场唯一方向，当前旗下22纳米FD-SOI制程，以及14/12纳米FinFET制程依然大有市场。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应，满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求，确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00495 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122777 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 年中国集成电路产业销售额达到了6532亿元，复合增长率为20.3%，其中国内公司的半导体设计水平达到了7nm级别，半导体制造上也即将量产14nm工艺，但与国外先进水平依然有很大的差距。
2019-04-10 14:39:423730 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
虽然从技术水平上看，台积电和三星掌握了10nm 的高端制程量产技术，格芯和联电等掌握了高端14nm的量产技术，而中芯国际，28nm已实现量产，目前良率较低，技术处于逐步成熟阶段，不过在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！
2019-08-06 16:22:453340 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 英特尔已经使用了 N 年的 14nm 工艺制程了，而现在这家科技巨头似乎遇到了 10nm 的产能问题，于是 14nm++++ 成为未来两三年内英特尔的主力制程，这也是消费者所不想要看到的。然而事实便是这样，于是大家也就只能硬着头皮使用英特尔的 14nm 产品了。
2019-12-02 16:31:328187 这两年中国公司受国外技术限制最多的领域就是半导体芯片了，从内存、闪存到CPU，再到5G射频等等，卡脖子的问题依然没有解决。不过2020年就是一个分水岭了，明年中国公司将掌握多项先进半导体技术，比如14nm工艺、国产的内存、闪存等。
2019-12-30 09:05:112540 在半导体制造领域，存在着明显的金字塔模型。市场上的主流制程工艺节点从22nm、16/14nm一直到目前最先进7nm，越往上玩家越少，即将到来的5nm更是只有台积电和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 华为旗下的海思半导体已经向中芯国际下单，通过后者最新的14nm工艺生产芯片。
2020-01-14 17:56:224930 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-27 14:54:38739 我们要不要过分夸大中芯国际呢，14nm能够发挥7nm工艺的水平？如果说14nm高于12nm，笔者是相信的，毕竟当年的iphone 6s的两个处理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 “FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 梁孟松在会议上表示：中芯国际的14nm在去年第四季度进入量产，良率已达业界量产水准。良率意对芯片至关重要，这意味着其14nm已经进入真正意义上的量产。总体来说，我们正在与国内和海外客户合作十多个先进工艺，流片项目，包含14nm及更先进工艺技术。
2020-12-11 14:16:442648 要说谁是CPU领域的常青树，那就非14nm莫属了，自从2014年推出首款14nm的产品之后，英特尔的这代工艺已经使用了7年之久，要知道在日新月异的半导体领域，制程水平能够保持7年之久实在是一件极其
2021-01-15 10:58:288387 从 14nm 制程工艺产品良率来说，中芯国际生产水平已经快等同于台积电，制程工艺产品良率可达90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719 : 片上高频电磁仿真与PDK建模 IRIS——Virtuoso无缝衔接的电磁仿真工具：该工具在三星多项先进工艺节点上获得认证，包括三星8nm/14nm LPP FinFET 工艺及28FDS FD-SOI
2021-11-17 18:00:165893 在芯片设计和制造中，纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离，在体积相同大小的情况下，7nm工艺的芯片容纳的晶体管的数量，几乎是14nm工艺芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 此外，美商科磊、应用材料等半导体设备还收到通知，禁止向中国大陆出口用于生产14nm及以下先进芯片的设备，不过当时还没有具体可执行的细节和时间。而日前据外媒报道，美国已经确定于10月再强化出口管制措施，包括严管14nm以下半导体设备出口到中国大陆。
2022-09-15 09:37:271725 2019年第四季度，中芯国际就表示14nm已投入量产。2021年时传出消息，中芯国际14nm的良率达到95%，已经追平台积电。（目前7nm也已小规模投产）
2022-11-17 15:22:38104629 的基础上，实现了国内14nm 晶圆芯片零的突破，并在梁孟松等专家的带领下，向着更加先进的芯片制程发起冲锋。 然而，最近在中芯国际的公司官网上，有关于14nm芯片制程的工艺介绍，已经全部下架，这让很多人心存疑惑，作为自家最为先进的
2023-06-06 15:34:2117915 于2019年举行。因特殊原因暂停了三年，2023年主办方重启再次主办，第八届FD-SOI论坛，邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化，FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化？ 半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369
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