三星/TSMC/Intel/AMD争先恐后研发7nm

　　2016年半导体的主流工艺是14/16nm FinFET工艺，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格罗方德）三大阵营，下一个节点是10nm，三方都会在明年量产，不过10nm主要针对低功耗移动芯片，下下个节点7nm才是高性能工艺，是首次突破10nm极限，也是三方争抢的重点，TSMC及三星都准备抢首发。不过此前缺席了的GlobalFoundries公司这一次杀回来了，誓言在7nm节点领先。

　　IBM、GF去年率先公布了7nm工艺的突破进展

　　在7nm节点上，Intel表态很谨慎，14nm及10nm工艺都要战三代，7nm工艺要等到2020年了，但是TSMC和三星就激进多了，三星前不久巨资购入了EUV光刻机，希望在明年开始试产7nm工艺，TSMC公司也不甘落后，联合CEO刘德音日前表态称7nm工艺的SRAM良率已达30-40%，将是业界首家通过7nm工艺认证的半导体公司。

　　在这三家公司之外，还有一家公司不容忽视——从AMD半导体业务剥离出来的GlobalFoundries（格罗方德）公司，虽然被称为AMD的GF，但他们现在已经跟AMD没多大关系了，AMD的股份已经全都出手了，双方现在更像是一般的代工合作伙伴关系。

　　GlobalFoundries此前在半导体工艺上走的磕磕绊绊，但在14nm节点果断放弃自研工艺转而选择了三星14nm FinFET授权，现在已经走上正规了，不过他们显然不会甘心于此，2014年收购了IBM公司的晶圆厂业务——他们没花钱，反倒是IBM补贴了15亿美元。

　　GlobalFoundries在这次收购中获得了大量有经验的员工，这对推动新工艺研发很有帮助。去年7月份，GlobalFoundries联合IBM、三星及纽约州立大学率先推出了7nm工艺，他们也要在新一代工艺上保持领先了。

　　日前GlobalFoundries公司CTO。高级副总Gary Patton透露了他们的7nm工艺进展，表示已经激进地缩减了新工艺的栅极间距（pitch，衡量工艺水平的关键指标之一，数值越小越好）。

　　Patton表示他们在纽约州马耳他市的晶圆厂正在量产14nm工艺，这为他们开发更先进的工艺奠定了基础。

　　对于7nm，Patton声称即便没有EUV工艺，他们的新工艺也能降低晶圆成本。

　　按照Patton的预计，EUV工艺预计会在2020年量产，2018/2019年可能会少量生产。