2022 年 4 月 21日，中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议，四家公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体
2022-04-21 17:18:48
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意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241298 
意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223744 半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:22949 耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033179 
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 获得英 特尔（Intel）、三星、台积电（TSMC）等大厂采用的FinFET制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节 点，FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:021835 
鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22845 22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:098151 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 绝缘体上硅(FD-SOI)技术开发10纳米低功耗工艺技术模块，该技术未来将进一步向7纳米拓展，这也是浸没式DUV光刻技术的极限。该机构透露，FD-SOI新一代工艺将与18、22和28nm的现有设计兼容，并且还将包括嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺。该项目由法国政府独立于《欧盟芯片法案》提供资金。
2023-07-20 10:54:19428 ，随着RF开关变得越来越复杂，这两种工艺变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽的SOI（FD-SOI），适用于数字应用。与FD-SOI类似，RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层，能够实现高击穿电压和低
2017-07-13 08:50:15
成本。与FinFET技术相比，FD-SOI的优势更为明显。FD-SOI向后兼容传统的成熟的基板CMOS工艺。因此，工程师开发下一代产品时可沿用现存开发工具和设计方法，而且将现有300mm晶片制造厂改造成FD-SOI晶片生产线十分容易，因为大多数设备可以重新再用。
2016-04-15 19:59:26
的硬盘上点击鼠标右键，选择“新建磁盘分区”： 系统弹出“新建磁盘分区向导”，点选“主磁盘分区”： 下一步，在“指定分区大小”对话框中的“分区大小（MB）”右面的数字框中输入你想要的容量，这里需要
2011-02-27 16:44:56
恩智浦智能赛车的驱动模块定时器应该定时多久才能开始打脚，定时一般怎么编写
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能赛车舵机打脚pwm占空比实际是输出电压高低，但在定时器中处理要怎样进行
2017-03-30 17:38:10
适应相控阵架构、直接射频采样、波束成形和 5G 无线电等应用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工艺设计了一款名为 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
LabView如何实现按键后显示操作内容并进入下一步
2015-06-11 14:17:31
使其终端产品实现差异化。其次，他们正在努力加快产品上市速度，以收回在复杂的设计上面所耗费的越来越多的投资。第三，他们试图在不增加成本的情况下实现上述两个目标。MCU用户面临的这些挑战为MCU的下一步发展奠定了基础。
2019-06-26 06:40:07
，随着RF开关变得越来越复杂，这两种工艺变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽的SOI（FD-SOI），适用于数字应用。与FD-SOI类似，RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层，能够实现高击穿电压和低
2017-07-13 09:14:06
fpga入门后下一步如何走，学习通信算法吗
2013-09-20 15:19:00
二三部分所示。三、下一步规划：1. 重新规划设计电机驱动场景的构建2. 理解底层FOC的实现3. 在FOC的基础之上，搭建PID算法来对电机进行稳健控制四、峰绍所给出的代码框架与整体代码分析
2021-09-08 09:00:24
项目名称：进行进一步学习和研究试用计划：此前一直从事单片机开发，想进一步深入学习各种MCU，看到有此活动，特来申请。也为下一步项目无人机摄像头驱动选择合适的芯片。
2020-04-23 10:36:17
下载器。下载器硬件开源地址：https://oshwhub.com/Vandoul/cmsis-dap_jx实物图如下：下一步计划接下来基于blink工程移植rtthread系统，在使用AC6的编译器下不清楚会不会遇到什么疑难杂症呢？
2022-11-26 16:21:59
上一个帖子的问题搞定了，ubuntu烧录好，老规矩adb进去先看下资源
再看下CPU
按照手册，先测试一下GPIO，可以看到初始电平为低
用杜邦线拉高，再看下
可以见到成功的被拉高了，后面APP可以通过IO来适配我的其他传感器的信号了，下一步准备适配我这个433的开门传感器，敬请期待
2023-08-08 22:36:37
早有计划。 2017年，三星与NXP达成代工合同，从这一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列将通过三星28nm FD-SOI工艺批量生产，并计划2018年将三星的eMRAM嵌入式存储器技术将用于下一
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用？
2021-06-26 07:14:03
`我是学生，最近学了***。。我想问下大家我做到pcb图了，下一步就是给图厂家了么？能打印一张的么？？如图，大家看看这个图可不可行。。。谢谢大家啦~~~~~~~~~~~~~~~~~~`
2013-11-08 13:26:41
如何开始着手学习或者说有哪些相关的书籍
2017-08-01 16:30:30
求求求求求，学完51下一步学AVR还是430呢？
2015-06-01 19:37:34
学完51，msp430单片机，下一步该学什么？？是学习ARM,Linux 还是DSP ??
2012-08-25 15:47:35
业内普遍认为，四核处理器出来以后核数竞争将逐渐放缓，提升内容和用户体验将成为国内平板电脑厂商下一步该走的路。
2020-04-16 06:24:01
有没有什么办法可以让程序一直等待图里“相机检测结果”的数据，等到接收到数据时才跳转下一步，然后等待下一次接收“相机检测结果”数据时在执行下一次，依次下去。新人刚自学不久，刚学会怎么使用VISA和生成TXT，想自己做一个上位机软件，不是伸手party，请各位老师指教。
2018-05-11 16:45:19
怎样一步一步去建立STM32工程呢？其过程是怎样的？
2021-10-28 08:53:27
的基于磁感应（MI）的技术具有许多限制，阻碍了整个市场和消费者的采用。 A4WP的下一代技术基于磁共振（MR），提供无线充电所需的解决方案。安森美半导体正在积极开发A4WP标准的解决方案，您将开始看到将在
2018-10-12 08:58:17
裔美国工程师和物理学家尼古拉·特斯拉（Nikola Tesla，1856-1943），他在电力的生产，传输和应用方面取得了数十项突破。特斯拉以其对现代交流（AC）供电系统设计的贡献而闻名。作为一
2018-10-31 09:03:17
到这一点将为进一步取得成功奠定基础。如果你投入垃圾，那么你会从任何物联网分析云平台中获取垃圾。因此，最成功的物联网系统将测量并报告到其他系统无法做到的水平。对改进测量和报告的这种需求使得良好的硬件非常重要
2018-10-29 17:14:24
近年来巨头们都在积极布局眼球追踪技术，除了眼球追踪在人机交互的巨大潜能以外，眼球追踪技术还可能成为VR和AR的基础性技术，为AR的VR的发展提供必要的支持。目前我们的人机交互还主要靠的是键盘、鼠标
2019-10-15 06:52:40
尊敬的先生/女士，您能否提供步骤和可能的图表，以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线？提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
我根据HPM_SDK的说明文档，在WINDOWS下一步一步执行里面的操作，最后尝试“4. 为Ninja-build产生构建文件:”失几，提示截图如下：
哪位大神指导下这是什么问题，是哪一步出错了吗？
2023-06-06 22:15:24
本帖最后由 suicone 于 2012-7-22 18:24 编辑
就是运行时会有个提示 不要对话框的 就是一段文字显示在某个特定的地方然后按照提示完成一步 比如“请按布尔1按钮”然后你点布尔1后 文字改变到下一个提示“请按布尔2按钮”诸如此类的现在完全没有思路额。。。。。
2012-07-22 18:15:14
下一步也不知道怎么的不能按next键进行下一步
2016-01-20 17:01:34
`我有：傅里叶分析+函数综合+下一步傅里叶分析+轨迹综合+下一步小波分析+函数综合+下一步小波分析+轨迹综合+下一步我有这四种事件我用了事件结构来处理这个问题，但是似乎行不通，谁有好的建议，可以帮忙
2015-08-13 14:58:52
e络盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F开发板，进一步丰富其面向基于ARM Cortex-M4内核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
嵌入式硬盘录像机(DVR)发展的下一步
目前，中国嵌入式硬盘录像机（又名嵌入式DVR）市场已经发展得非常成熟，技术也已经很完善，但这并不意味着DVR产品技术就功成
2009-11-28 15:38:13936 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45:27793 随着移动的想象空间以及医疗刚需的完美结合，移动医疗正成为通信行业的下一座“金矿”。移动医疗下一步指向何方？人体数字化、移动的HIS、慢性病的移动管理是趋势。
2013-01-15 09:39:311540 3月8日，工信部召开会议，研究部署通信工程建设突出问题与光纤到户落实情况，会议强调，贯彻落实光纤到户是国务院会议要求重要成果，下一步要切实抓好光纤到户标准的实施。
2013-03-13 10:15:141096 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:425975 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工艺节点进展方面，三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示，三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向，FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示，与传统的块状硅技术相较，FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性，而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容；此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流
2018-03-10 01:25:00705 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002368 11月15日，在2018重庆·国际手机展上，紫光展锐首席技术官仇肖莘接受媒体专访表示，紫光展锐现在聚焦5G和AI，继续深入布局自研CPU，未来将高中低市场全面覆盖。“我们下一步目标起码要能够追上联发科，然后与高通PK”。
2018-11-16 15:36:212076 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上，三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603 日前，格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm FD-SOI工艺。
2018-09-03 16:41:425128 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应，满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求，确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00495 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122777 据报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-25 14:42:512985 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
日前，格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上，此份协议即刻生效，以确保未来数年的高水平大批量生产。
2019-06-11 16:47:333457 事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！
2019-08-06 16:22:453340 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22纳米 FD－SOI （22FDX）平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-27 14:54:38739 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
2020-03-11 10:54:37713 本文展望了SiC下一步需要做什么，将在哪里应用以及如何成为功率半导体的主导力量。
2020-04-02 17:12:183400 “FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-06 17:03:361984 
“FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 Tony Armstrong ADI公司电源产品营销总监
今天，我们与Tony Armstrong讨论ADI公司如何应对电源领域的下一步挑战。Tony Armstrong是ADI公司Power
2021-01-27 06:08:290 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719 高级驾驶辅助系统的下一步动向是什么？
2022-11-02 08:16:111 于2019年举行。因特殊原因暂停了三年，2023年主办方重启再次主办，第八届FD-SOI论坛，邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化，FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化？ 半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
Prevayl的下一步是什么2022年，Prevayl推出了SmartWear——这是世界上第一款采用临床级心电图增强的高性能服装，其准确性无与伦比。生物识别先驱还创建了一个功能齐全的智能服装
2024-02-17 18:10:48138 
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369
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