电子芯闻早报：高通骁龙830处理器今年发布

半导体：
　　1、三星10nm制程高通骁龙830处理器或今年发布
　　据可靠的消息人士透露，高通（Qualcomm）采用10nm FinFET制程生产的骁龙（Snapdragon）830处理器将在今年内（2016年内）发表，且搭载该款处理器的智能手机产品（首发机）将在明年（2017年）Q1现身。

　　据报导，除骁龙830之外，目前也已知有比现行骁龙820拥有更高性能的骁龙823处理器的存在，而该款骁龙823产品似乎将持续采用14nm FinFET制程，高通骁龙830（代号为“MSM8998”）将采用叁星10nm制程、撘载改良版“Kryo”架构、且将支援8GB RAM，预计将在2017年初发布。

　　报导指出，从搭载骁龙830的智能手机可能会在明年Q1现身这点来看，骁龙830可能将撘载在叁星Galaxy S7、LG G5、小米Mi 5或宏达电HTC 10等旗舰机种的后继机种上。

　　2、武汉新芯着手3D NAND研发

　　据韩联社报导，大武汉新芯最近发表27兆韩元（约240亿美元）的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。地方政府已从投资机构湖北省集成电路产业投资基金方面取得钜额资金。

　　韩联社引述EE TImes对日本分析师访问指出，武汉新芯想赶上三星至少还需要3~4年时间，而认为武汉新芯想消除与韩厂之间的技术差距，花费时间可能不只如此的分析师也大有人在。

　　NAND Flash领域霸主三星市占率在31~35%左右，并拥有独家3D NAND Flash堆叠技术。即便如此，全球业者对于3D NAND Flash领域龙头三星的追逐战仍在热烈上演。

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智能硬件：
　　1、索尼新旗舰首曝光：全球首款HDR屏手机！
　　索尼打算为这款新旗舰配备HDR技术的显示屏，而这又会是全球首例，其屏幕约5.5寸（1080p分辨率），采用10Bit IPS-NEO WhiteMagic LCD面板，刷新率提高到120Hz，在亮度和对比度方面，则为全白的状态下可达1000nits，并拥有2000:1的对比度。

　　手机上引入HDR技术，这会带来怎样的效果呢？简单来说就是，提升屏幕显示画面的宽容度，使高光处不至于过于明亮以致一片惨白，黯淡处也不至于一片死黑，从而丢失细节，并且这种画质的提升用户也能够通过肉眼得到直观的感受。

　　据悉，索尼这款手机的HDR屏，具体数据为MaxCLL达到了1000nits，支持80%的Rec.2020色域标准，以及10Bite的HDR灰阶过渡EOTF曲线。

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　　2、12寸新MacBook发布：五大亮点
　　苹果悄然更新了12寸ReTIna MacBook笔记本产品线，虽然外观设计、屏幕等都没有任何变化，但升级之处也不少，处理器、核芯显卡、内存、电池、配色都是新的。

　　首先，处理器从五代酷睿Broadwell升级到六代酷睿Skylake，包括三款型号：Core m3-6Y30 1.1-2.2GHz、Core m5-6Y54 1.2-2.7GHz、Core m7-6Y75 1.3-3.1GHz。它们都是14nm工艺制造，双核心四线程，4MB三级缓存，热设计功耗4.5W，可上调至7W、下调至3.5/3.8W。相比于之前用的Core m-5Y系列其实变化并不大，也别指望性能有多大提升。核芯显卡从第八代HD 5300升级为第九代HD 515，不过还是24个执行单元，频率也差不多，只有Core m7-6Y75可以加速到950MHz，性能同样波澜不惊。内存依然配备8GB LPDDR3，只是频率提高到了1866MHz。（SSD总线有可能升级到了PCI-E 3.0但不确定）。电池容量从39.7Wh增加到了41.4Wh，最长可使用10个小时。

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