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SiC功率模块关键在价格,核心在技术

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SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685

SiC功率模块的开关损耗

SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

SiC功率模块的开关损耗

SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28496

SiC功率模块封装技术:探索高性能电子设备的核心竞争力

随着电子技术的不断发展,硅碳化物(SiC功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能,为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装技术及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22850

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

​ 全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14353

sic功率半导体上市公司 sic功率半导体技术如何实现成果转化

解更多公司,建议查询相关网站。 sic功率半导体技术如何实现成果转化 SIC功率半导体技术的成果转化可以通过以下途径实现: 与现有产业合作:寻找现有的使用SIC功率半导体技术的企业,与他们合作,共同研究开发新产品,将技术转化为商业化
2023-10-18 16:14:30586

提高SiC功率模块功率循环能力

在商业应用中利用宽带隙碳化硅(SiC)的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术,Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:36372

车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419

SiC驱动模块的应用与发展

等领域。随着技术的不断进步和成本的降低,SiC驱动器模块将进一步提升性能,扩大市场份额,并推动下一代功率器件的发展。
2023-11-16 15:53:30257

基于SiC功率模块的高效逆变器设计

关键技术-SiC门驱动回路/电容器 通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感
2024-01-02 11:36:24116

碳化硅(SiC功率器件在新能源汽车中的深入应用解析

采用多芯片并联的SiC功率模块,会产生较严重的电磁干扰和额外损耗,无法发挥SiC器件的优良性能;SiC功率模块杂散参数较大,可靠性不高。 (2)SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132

碳化硅(SiC功率器件核心优势及技术挑战

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说,SiC的禁带宽度是硅的近3倍,这意味着在高温下仍可保持良好的电性能;其热导率是硅的3倍以上,有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542

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