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英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片

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2023-02-24 15:28:34

英飞凌发布全新LTE及3G射频芯片SMARTi LU和SMA

英飞凌发布全新LTE及3G射频芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro 英飞凌(Infineon Technology)宣布推出具备最高传输速率的第二代LTE射频收发器样片──SMARTi
2009-01-27 17:52:511417

创新的IGBT内部封装技术

创新的IGBT内部封装技术 英飞凌推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT
2010-05-11 17:32:472392

英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命

英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命 2010年5月6日,德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101061

英飞凌推出IGBT系列RC-D功率开关器件

英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP™ IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管,具有很低的开关损耗和传导损耗,并且减小了永磁电机驱
2011-05-31 09:00:421610

英飞凌推出可信平台模块(TPM)芯片

英飞凌科技推出可信平台模块(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架构不可或缺的组成部分。英飞凌成为适合与面向网络应用的全新操作系统结合使用的TPM芯片的首家供应商
2011-08-04 08:45:342126

杂散电感对高效IGBT逆变器设计的影响

IGBT技术不能落后于应用要求。因此,英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。
2011-08-10 11:21:003649

英飞凌推出全新XMC4000 32位单片机

英飞凌科技今日推出全新的XMC4000 32位单片机产品家族,它们选用ARM®的Cortex™-M4处理器。英飞凌利用自身在开发针对应用而优化的外设,并具备出色的实时功能的单片机方面的30多年的丰
2012-02-22 09:22:591285

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827

英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了?

基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术,英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ,针对工业电机驱动应用进行芯片优化,实现更高功率密度与更优的开关特性。
2018-06-21 10:10:4412361

英飞凌igbt型号及参数大全

英飞凌igbt型号及参数大全 英飞凌(Infineon)是德国西门子半导体集体(Siemens)的独立上市公司。前身也叫欧派克(EUPEC:欧洲电力电子公司)。 一.拓扑图与型号的关系:型号开头
2023-02-08 14:17:295593

英飞凌IGBT

英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高,在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于
2023-02-16 16:30:581136

igbt可控硅有什么区别?

igbt可控硅有什么区别?  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)与可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:315661

英飞凌(Infineon)IGBT管前10热门型号

Infineon(英飞凌)作为一家全球领先的半导体解决方案提供商,其IGBT管产品在市场上备受瞩目。下面将介绍英飞凌IGBT管前10热门型号:一、英飞凌IGBT管前10热门
2023-08-25 16:58:531479

英飞凌IGBT单管命名规则

英飞凌IGBT单管命名规则
2023-11-23 09:09:35653

英飞凌IGBT模块命名规则

英飞凌IGBT模块命名规则
2023-11-23 09:09:36527

英飞凌IGBT模块封装

英飞凌IGBT模块封装  英飞凌是一家全球领先的半导体公司,专注于电力管理、汽车和电动汽车解决方案、智能家居和建筑自动化、工业自动化、医疗、安全和物联网等领域。在电力管理领域,英飞凌IGBT模块
2023-12-07 16:45:21469

可控硅和igbt区别

可控硅和igbt区别  可控硅和IGBT是现代电力电子领域中常用的两种功率半导体器件。虽然两者都能在电力控制和转换中发挥重要作用,但它们在结构、工作原理、性能特点和应用等方面存在着显著差异。下文
2023-12-07 16:45:323214

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