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嵌入式存储器 意法半导体FD-SOI性能大升

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2019-04-10 08:00:0012

各企业积极投入FD-SOI元件开发 看好后续市场发展

为求低功耗、高能效及高性价比之元件,市场逐渐开发出FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构;而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心,透过传统Si芯片制程方式,进而以水平式晶体管架构,取代线宽较大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

云天励飞、Blink现身说法谈FD-SOI优势

事实胜于雄辩,与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比,本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势,其震撼效果难以言传!
2019-08-06 16:22:453340

高级工艺未来分化,FD-SOI受益

长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲,并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆发的唯一短板是IP?

FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平台的嵌入式磁性随机存储器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDXeMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

格芯宣布已完成22FDX技术开发 将用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器

据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405

格芯22FDX技术将用于批量生产eMRAM磁阻非易失性存储器芯片

据外媒报道称,美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries(格芯)宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工艺量产eMRAM,新型存储机会来临

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。
2020-03-11 10:54:37713

FD-SOI应用 从5G、物联网到汽车

FD-SOI使用的范围非常广,包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年,我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

半导体存储器及其测试.pdf

半导体存储器及其测试.pdf(汇编语言嵌入式开发)-半导体存储器及其测试.pdf半导体存储器及其测试.pdf
2021-07-30 09:39:3066

Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出FPGA产品加强边缘AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品,包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX,重新定义的Certus-NX,去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719

第八届上海FD-SOI论坛成功举行 芯原FD-SOI IP迅速成长赋能产业

于2019年举行。因特殊原因暂停了三年,2023年主办方重启再次主办,第八届FD-SOI论坛,邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化,FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化?   半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪?

本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺,支持嵌入式相变存储器

据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369

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