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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米低漏电工艺技术的、

新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米低漏电工艺技术的、

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Synopsys推出用于TSMC 28纳米工艺的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库

思科技有限公司(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票市场代码:SNPS)日前宣布:即日起推出用于台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)28纳米高性能(HP)和移动高性能(HPM)工艺技术
2012-02-22 14:04:27754

科锐公司推出两项新型GaN工艺技术

科锐公司(CREE)宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50VG50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统的技术相比
2012-07-18 14:30:561306

联华电子与SuVolta宣布联合开发28纳米低功耗工艺技术

日前,联华电子与SuVolta公司宣布联合开发28纳米工艺技术,该工艺将SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate高效能移动工艺
2013-07-25 10:10:521049

三星10nm工艺技术已经在Galaxy S8上提供支持

三星10纳米工艺技术公告:全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布,其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术,10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11580

我国智能工厂产业链国际合作联盟正式成立

由和利时、华为、川仪股份、新松机器人等一批拥有智能工厂技术方案的优秀企业倡议组建的智能工厂产业链国际合作联盟正式成立。
2018-07-12 16:27:003650

Synopsys推出用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

, Inc., 纳斯达克股票市场代码:SNPS)日前宣布:即日起推出面向多种180纳米工艺技术的DesignWarereg; AEONreg;非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次
2018-10-14 17:36:01374

Synopsys推出支持TSMC 7nm工艺技术

思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工艺技术的汽车级DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517

三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233008

东芝推出第二代工艺技术 采用新型嵌入式NAND闪存模块

东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC),该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660

IBM推出一项微芯片工艺技术中的新改进

IBM日前推出一项微芯片工艺技术中的新改进。该公司表示,这项改进将让为手机和其它通信设备制造更高速的硅设备
2021-03-26 11:08:541281

思科技与芯耀辉就IP业务建立战略合作伙伴关系 一流科技OF智能云首发亮相

思科技(Synopsys)与芯耀辉(Akrostar)双方已达成数年期战略合作,新思科技授权芯耀辉运用新思科技12-28纳米工艺技术、适配国内芯片制造工艺的DesignWare® USB、DDR、MIPI、HDMI和PCI Express的系列IP核。
2022-03-16 15:31:171586

思科技、台积公司和Ansys强化生态系统合作,共促多裸晶芯片系统发展

在3DFabric™技术和3Dblox™标准中的合作,新思科技能够为台积公司先进的7纳米、5纳米和3纳米工艺技术上的多裸晶芯片系统设计,提供业界领先的全方位EDA和IP解决方案。台积公司先进工艺技术集成
2023-05-18 16:04:08790

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