飞思卡尔为L波段雷达应用推出LDMOS

一直致力于突破高功率射频（RF）技术的飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。

RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 － 1400 MHz之间时， MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。

飞思卡尔副总裁兼RF事业部总经理Gavin Woods表示，“利用新近推出的RF系列，现在，我们为1.2 - 1.4 GHz L波段频率的航空电子和雷达应用展示了50V LDMOS功能。我们不但利用了飞思卡尔LDMOS技术的卓著功能，而且在几个关键品质参数确立了新的RF性能标准。

先进的RF功率晶体管产品线（同时也是飞思卡尔50V RF功率LDMOS电子系统和雷达系列的首条产品线）为那些希望在L波段频率设计RF脉冲功率产品的客户提供了竞争优势，如标准电源、冷却成本低和托盘设计的高可靠性等。计划在今年下半年推出的飞思卡尔新版本雷达和航空电子，有望展示出良好的增益、效率和热阻性能，能够全面超过目前市场其它同类产品。

飞思卡尔MRF6V14300H器件封装在符合RoHS标准的气腔陶瓷封装内，热阻不到0.12o C/W  JC，能够有效管理散热，减少散热器规模。出色的热性能为冷却器提供结温。MRF6V10010N是过模塑料封装，也具有出色的热性能。当与其他产品结合使用时，就能实现冷却成本低和托盘设计的高可靠性优势。

MRF6V14300H的关键RF性能数字有：1200 －1400 MHz的频率范围，330W的最高输出功率（在1400MHz，脉冲宽度为300 μsec，12％的占空比）、17 dB增益、60％的漏极效率。特别值得一提的是，60％的漏极效率比竞争产品至少高出10个百分点。MRF6V10010N提供8W的最高输出功率（1400 MHz、300 µs、12％的占空比）、22 dB增益和60％的漏极效率。

与飞思卡尔50 V LDMOS系列的其它器件一样，这些先进器件融入了静电放电（ESD）保护功能，有助于减少它们对装配站点上的静电事件的敏感性。这种ESD保护支持-6 V 到 +10 V的大范围栅极电压，当器件运行在更高效率级（如C级）时，这一设计的优势就非常明显。

RF器件基于飞思卡尔第6代超高压（VHV6） 50 V LDMOS技术。首先被飞思卡尔实现商用的50 V VHV6 LDMOS平台显示出行业领先的增益和效率。加之器件封装和热管理领域内的创新，VHV6技术通过每晶体管额定功率的提高，进一步减少了器件计数和系统成本。

飞思卡尔拥有40多年的RF功率经验，是一家领先的RF功率器件提供商（信息来源：Allied Business Intelligence），迄今已经交付了40多亿瓦的大功率应用。飞思卡尔在交付创新、高度可靠、经济高效RF解决方案方面有着悠久的历史，能够帮助设计人员加快设计流程，在动态市场中取得成功，同时这还有助于确保提供长期大量运输的公司拥有充足的货源。

定价和供货情况
MRF6V10010N产品现已推出样品，并已投入批量生产。MRF6V14300H正在打样，并有望在2008年第三季度全面投入生产。MRF6V14300H的宽带参考文本也已上市。两款器件的大信号型号预计2008年年底推出。

有关RF产品的现场演示情况，请在6月17－19日期间参观2008 IMS/MMT的飞思卡尔915号展台。

有关样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体、飞思卡尔当地销售办事处或授权经销商联系。