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格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即

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中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段,其试产的良率已经可以达到95%的水准,距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14纳米FinFET制程技术获联电认证

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子(UMC)的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案,支援共同客户满足下一代行动和高效能运算(HPC)应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:003390

三星10nm工艺性能方面如何? 7nm工艺是极限了吗?

与上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺在减少30%芯片尺寸基础上,实现性能提升27%或高达40%功耗降低。让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。
2018-07-22 11:13:494568

中芯国际再获技术重大突破

中芯国际14纳米FinFET技术获得重大进展 8月9日,中芯国际公布了在14纳米FinFET技术开发上获得的重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC,28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量,良率达到业界水平。
2018-08-18 10:31:003773

GlobalFoundries宣布将暂停所有7纳米FinFET技术的研发

格芯方面表示,他们正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图,以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源,让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用,提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042

台积电3纳米技术有望突破 5纳米明年试产

台积电7纳米制程明年营收占比估逾2成,有望持续领先对手,7纳米制程加强版以及5纳米进度也按计划进行,3纳米制程技术更已进入实验阶段,业内人士更透露,3纳米制程在"Gate All Around(GAA) "、环绕式闸极技术上已有新突破。
2018-11-05 16:39:464435

格芯回应为何搁置7纳米FinFET项目

三个月前,晶圆代工大厂格芯突然宣布搁置7纳米FinFET项目,业内哗然。在台积电、三星等竞争对手正在努力抢占7nm制程市场之时,格芯为何作出此举?放弃7nm制程后,格芯未来的路又将走向何方?这是业界关心的问题。
2018-12-03 14:30:562838

三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233008

益华计算机宣布已与台积电合作 助推台积电5纳米FinFET制程技术制造交付

Cadence客制/类比工具获得台积电领先业界的5纳米制程技术认证,这些工具包括Spectre加速平行模拟器(APS)、Spectre eXtensive分割模拟器(XPS)、Spectre RF
2019-05-07 16:29:202491

FinFET技术未来有怎样的发展的前景

FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门3D晶体管。
2019-09-23 08:53:363193

中芯国际取得海思14纳米FinFET工艺代工订单

据中国台湾消息报道,中国大陆芯片代工厂商中芯国际已经从竞争对手台积电手中,夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的14纳米FinFET工艺的芯片代工订单。
2020-01-14 15:31:432677

中芯国际从台积电手中夺得海思14纳米FinFET工艺芯片代工订单

关注半导体产业的台湾《电子时报》(DigiTimes)1 月 13 日报道称,中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电,夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:015094

FinFET到了历史的尽头?

如果说在2019 年年中三星宣称将在2021年推出其“环绕式栅极(GAA)”技术取代FinFET晶体管技术FinFET犹可淡定;而到如今,英特尔表示其5nm制程将放弃FinFET而转向GAA,就已有一个时代翻篇的迹象了。
2020-03-16 15:36:392616

台积电将继续采用FinFET晶体管技术,有信心保持良好水平

台积电3纳米将继续采取目前的FinFET晶体管技术,这意味着台积电确认了3纳米工艺并非FinFET技术的瓶颈,甚至还非常有自信能够在相同的FinFET技术下,在3纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929

3纳米量产在即 如何实现2纳米芯片?

据悉,台积电在本次技术论坛上主要透露以下三点信息:一是半导体产业正发生三大改变;二是低端芯片短缺成为供应链瓶颈;三是3纳米量产在即,2纳米2025年量产。
2022-09-06 16:00:202998

行业首创!恩智浦携手台积电,推出汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM

的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品       了解详情     全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件
2023-05-26 20:15:02396

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程,助力加速射频芯片设计

是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该
2023-10-30 16:13:05106

性能翻倍的新型纳米片晶体管

IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步,并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴奋的是,它可能会导致更强大的芯片类别的开发。
2023-12-26 10:12:55199

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