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电子发烧友网>嵌入式技术>嵌入式新闻>100万次擦写!三星首创45nm嵌入式闪存

100万次擦写!三星首创45nm嵌入式闪存

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45nm铜工艺 面临的挑战   摘要:本文综述了铜工艺即将面临的各种变化,包括扩散阻障层(barrier)、电镀添加剂、覆盖层以及与
2009-12-22 09:18:521456

45nm Penryn处理器新技术与规格

45nm Penryn处理器新技术与规格 ● 新的工藝起點—45nm處理器登場
2010-02-04 08:56:59438

三星电子和赛灵思宣布45nm Spartan-6 FPGA全

三星电子和赛灵思宣布45nm Spartan-6 FPGA全面量产   三星电子有限公司和赛灵思公司(Xilinx, Inc.)日前共同宣布,赛灵思 Spartan-6 FPGA 系列已取得三星电子旗下
2010-03-12 10:05:20768

三星电子和Xilinx宣布45nm Spartan-6 FP

三星电子和Xilinx宣布45nm Spartan-6 FPGA 系列  全球高级半导体技术领先者三星电子有限公司和全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX))日前共同
2010-03-12 10:34:47726

瑞萨电子开发出首款用于汽车实时应用的40nm工艺嵌入式闪存技术

瑞萨电子宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术,针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂
2012-01-05 19:44:13797

三星公布首款单芯片嵌入式通用闪存

三星电子公布了全球首款单芯片1TB UFS2.1闪存,该款嵌入式闪存标志着智能存储将迈入TB级别。
2019-07-03 11:15:34616

需求下滑导致台积电28nm和40/45nm产能利用率下滑

据国外媒体报道,由于需求下滑,芯片代工商台积电28nm、40/45nm的产能利用率有下滑。
2020-04-15 14:44:583348

IBM已解决QLC闪存寿命问题,实现1.6万次擦写

得益于容量大、价格低的优势,如今越来越多的SSD硬盘转向QLC闪存,大家担心的主要是QLC闪存的寿命,具体来说就是P/E擦写次数,通常在1000次左右,而IBM现在解决了QLC寿命问题,做到了史无前例的16000次擦写寿命,寿命比SLC还强。
2020-12-08 09:40:034095

闪存荣光:即贴即用,万次擦写不作死?

NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术,其中NANDFlash存储器具有容量较大,擦写速度快等优点。它们的广泛应用就不用小编敲黑板了吧?然而,市场上流行的NANDFlash产品,尤其是
2023-03-31 10:34:54383

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