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多磷酸蚀刻剂的化学特性

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局部阳极氧化和化学蚀刻对硅表面的自然光刻

利用作为掩模的阳极多孔氧化铝的模式转移,制备了具有100nm周期性自有序结构的孔和柱阵列纳米结构,纳米图案的转移是通过一个涉及硅的局部阳极化和随后的化学蚀刻的组合过程来实现的。利用这一方法,可以通过改变蚀刻条件来制造负图案和正图案。
2022-03-23 11:05:54373

硅和二氧化硅的湿化学蚀刻工艺

硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底,也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述,所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。
2022-03-23 14:17:161812

详解单晶硅的各向异性蚀刻特性

观察到不同的蚀刻特性,当氢氧化钾浓度固定为20 wt%时,在80℃以上的蚀刻温度下观察到U形槽的蚀刻形状,在80℃以下观察到V形槽的蚀刻形状,蚀刻硅表面产生的小丘随着蚀刻剂温度和浓度的增加而减少。
2022-03-25 13:26:342506

一种制备PS层的超声增强化学蚀刻方法

本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层,利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构,用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔,超声波蚀刻所导致的质量的提高
2022-04-06 13:32:13331

基于喷射条件的蚀刻特性和雾化特性研究

本研究根据蚀刻条件的变化,对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析,并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性,并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-07 16:16:39398

硅晶圆蚀刻过程中的流程和化学反应

引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101682

硅晶圆蚀刻过程中的化学反应研究

硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16943

喷雾特性蚀刻特性的相互关系

本研究根据蚀刻条件的变化,对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析,并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性,并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-14 14:02:00395

一种制备PS层的超声增强化学蚀刻方法

本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层,利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构,用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔,超声波蚀刻所导致的质量的提高
2022-04-15 10:18:45332

硅晶片的化学蚀刻工艺研究

抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片),然后进行称为研磨的平整过程,该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前,蚀刻之后是各种单元操作,例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37670

蚀刻作为硅晶片化学镀前的表面预处理的效果

金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如硅晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究中,研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学
2022-04-29 15:09:06464

单晶硅的各向异性蚀刻特性说明

剂浓度观察到不同的蚀刻特性,当氢氧化钾浓度固定为20wt%时,在80℃以上的蚀刻温度下观察到U形槽的蚀刻形状,在80℃以下观察到V形槽的蚀刻形状,蚀刻硅表面产生的小丘随着蚀刻剂温度和浓度的增加而减少。 为了了解单晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:362658

碱性KOH蚀刻特性的详细说明

氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:201420

硅KOH蚀刻:凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481114

GaN的晶体湿化学蚀刻工艺详解

50纳米,4,5,尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454

磷酸的腐蚀特性及缓蚀剂 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸蚀刻

在半导体湿法蚀刻中, 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺, 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发, 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素, 并通过
2022-08-30 16:41:592998

什么是等离子蚀刻 等离子蚀刻应用用途介绍

反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553390

磷酸铁锂电池的温度特性有哪些表现?

总之,磷酸铁锂电池具有安全性高、循环寿命长、温度特性好和成本低等优势,具备广泛的应用前景。 磷酸铁锂电池是一种新型的锂离子电池,与传统的三元锂电池相比,其具有更高的安全性和更长的寿命。然而,磷酸
2023-03-07 16:19:271377

硅的湿式化学蚀刻和清洗

本文综述了工程师们使用的典型的湿化学配方。尽可能多的来源已经被用来提供一个蚀刻剂和过程的简明清单
2023-03-17 16:46:232013

什么是金属蚀刻蚀刻工艺?

金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172

p型氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻

大多数iii\-氮化物的蚀刻目前是通过干燥工艺完成的。虽然干蚀刻具有许多理想的特性,包括高蚀刻率和获得垂直壁的能力,但干蚀刻有几个缺点,包括产生离子致损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁,这是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501110

蚀刻技术蚀刻工艺及蚀刻产品简介

关键词:氢能源技术材料,耐高温耐酸碱耐湿胶带,高分子材料,高端胶粘剂引言:蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻
2023-03-16 10:30:163505

PCB印制电路中影响蚀刻特性的因素

蚀刻液的化学成分的组成:蚀刻液的化学组分不同,其蚀刻速率就不相同,蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&;碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题,蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553

氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻

目前,大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241

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