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电子发烧友网>制造/封装>英飞凌推出全新采用TO-247-3-HCC封装的TRENCHSTOP™ 5 WR6系列,带来更佳的系统可靠性

英飞凌推出全新采用TO-247-3-HCC封装的TRENCHSTOP™ 5 WR6系列,带来更佳的系统可靠性

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2020-09-29 11:43:232051

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品

英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29130

英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC技术的输出电流能力强,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3567

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