已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外（EUV）的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。 与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，从而使其能够拥有更多创
2019-04-18 15:48:47
6010 国内半导体制造商中芯国际（SMIC）于8月8日宣布，已开始使用FinFET工艺生产半导体芯片，并计划在2019年底前将其市场化。 这是该公司2019年第二季度财务报告中公布的内容，其联合首席执行官
2019-08-20 09:25:016602 作为业界少数几家加入FinFET俱乐部的公司，中芯国际已经开始使用其14 nm FinFET制造技术批量生产芯片。该公司设法开发了依赖于此类晶体管的制造工艺。有点遗憾的是，中芯国际的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 在Synopsys 的协助下，台湾联电（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造，而这
2013-06-28 09:57:581023 在国际电子电路研讨会大会（ISSCC）上，三星展示了采用10纳米FinFET工艺技术制造的300mm晶圆，这表明三星10纳米FinFET工艺技术最终基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 与台积电较劲，将10 奈米 FinFET 正式纳入开发蓝图 、联电携 ARM，完成 14 奈米 FinFET 工艺测试。到底什么是FinFET？它的作用是什么？为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢？
2015-09-19 16:48:004522 
据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（FinFET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属
2017-01-13 09:27:373046 FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。
2017-02-04 10:30:2214159 
现在，随着FinFET存储器的出现，需要克服更多的挑战。这份白皮书涵盖：FinFET存储器带来的新的设计复杂性、缺陷覆盖和良率挑战；怎样综合测试算法以检测和诊断FinFET存储器具体缺陷；如何通过内建自测试（BIST）基础架构与高效测试和维修能力的结合来帮助保证FinFET存储器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 
5月14日， Cadence宣布基于中芯国际14nm工艺的10Gbps多协议PHY研发成功，这是行业首个SMIC FinFET工艺上有成功测试芯片的多协议SerDes PHY IP。
2020-05-15 09:32:165309 近日，深圳中软国际有限公司（以下简称“中软国际”）推出的电子哨兵终端顺利通过OpenAtom OpenHarmony（以下简称“OpenHarmony”）3.1 Release版本兼容性测评，获颁
2023-01-11 11:05:27
在高温及压力的作用下形成共晶合金，实现连接及固定的方法。树脂粘接：芯片背面及载体之间，通过含有大量Ag颗粒的环氧树脂作为粘着剂，而达到固定的作用方法。胶带粘接：芯片表面与载体之间通过胶带的粘接，达到固定的作业方法。芯片封装测试工艺教程教材资料[hide][/hide]
2012-01-13 14:46:21
正在从二维走向三维世界——芯片设计、芯片封装等环节都在向3D结构靠拢。晶体管架构发生了改变当先进工艺从28nm向22nm发展的过程中，晶体管的结构发生了变化——传统的平面型晶体管技术（包括体硅技术
2020-03-19 14:04:57
`请问这颗5脚芯片 丝印AN1N是什么芯片`
2019-08-02 15:57:07
`7纳米芯片一直被视为芯片业“皇冠上的珍珠”，令全球芯片企业趋之若鹜。在大家热火朝天地竞相布局7纳米工艺时，全球第二大的芯片大厂GlobalFoundries（格罗方德，格芯，以下简称GF）突然宣布
2018-09-05 14:38:53
`产品和应用要在全球发布，需考虑全球化流程，即“国际化”和“本地化”。国际化简称「i18n」，是一种趋同的设计方式，通过一种方案去满足不同国家的需求。本地化简称「L10n」, 是针对各个国家的个性化
2020-09-24 17:21:49
MPS美国芯源 MPS公司具有独特的技术创新系统，同时和客户保持密切接触，深度理解客户和市场的需要，以在应用设计、工艺上的优势，用体积小、成本低、高性能的芯片为客户提供最有价值的应用方案。 MPS
2015-08-26 12:16:55
基于软件的数字安全全球领导者V-Key宣布，V-OS成为首个在Apple iOS和Google Android手机中均获得通用准则EAL3+认证的虚拟安全元件。由于V-OS是所有V-Key产品
2021-07-26 07:33:33
苹果晶圆代工龙头台积电16纳米鳍式场效晶体管升级版（FinFET Plus）将在明年1月全产能量产，搭配整合型扇出晶圆尺寸封装（InFO WLP）的系统级封装（SiP）技术，在x86及ARM架构64位
2014-05-07 15:30:16
了高通的订单。之后，中芯国际凭借极具竞争力的价格从Globalfoundries手中夺走了订单，成为高通电源管理芯片的主要合作伙伴。我们知道，在高通的帮助下，中芯国际实现了28nm工艺量产，而且还加快14nm硅片的量产。由于产能、价格及新芯片技术的原因，此次高通将电源管理芯片交给了台积电生产。
2017-09-27 09:13:24
14nm工艺量产的计划，中芯国际是在今年下半年量产，华虹是将在2020年量产，但制程工艺确实是要比台积电等公司落后两代以上。在芯片制造领域制约我国晶圆代工企业发展的，主要是两大部件：“刻蚀机”与“光刻机
2019-08-10 14:36:57
输入,这就要求一种新的键盘结构,即用尽量少的I/O口实现尽可能多的键盘输入。 本文将从硬件和软件两个方面介绍一种用N+1个I/O口实现N×N矩阵式键盘的方法（为了与传统键盘区分,以下简称新型键盘
2012-02-15 22:02:49
雄芯开发的首款基于Chiplet异构集成的智能处理芯片，该芯片采用12nm工艺生产，HUB Chiplet采用RISC-V CPU核心，可通过灵活搭载多个NPU Side Die提供8~20TOPS
2023-02-21 13:58:08
各类常用工艺库台积电，中芯国际，华润上华
2015-12-17 19:52:34
购买单的总代价为 1201598880 美元。这部分主要为 duv 光刻机。今日，据财联社，透露，中芯正在努力重新获得订单，是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注：finfet 工艺是指鳍
2021-07-19 15:09:42
工艺技术的演进遵循摩尔定律，这是这些产品得以上市的主要促成因素。对整个行业来说，从基于大体积平面晶体管向FinFET三维晶体管的过渡是一个重要里程碑。这一过渡促使工艺技术经过了几代的持续演进，并且减小
2019-07-17 06:21:02
利用模拟开关实现T1E1J1的N+1冗余
2019-04-03 10:36:30
给出好或是坏的测试结果（即此结果与被测试芯片实际的好坏无关）。 给出所有芯片的测试结果，问哪些芯片是好芯片。 输入格式 输入数据第一行为一个整数n，表示芯片个数。 第二行到第n+1
2021-07-29 07:49:10
)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片，一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后，锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
式播报”，标志着“搜狗分身”技术再次取得突破。 2018年互联网大会期间，搜狗与新华社联合发布的全球首个AI合成主播初次亮相，引起了全球传媒业和人工智能领域的极大关注。 三个月来，首批入职新华社的一中
2019-02-25 09:28:26
也将受到美国的“毁灭性打击”，并且点名要把中芯国际搞到“关门”。众所周知，美国近两年对华为采取了一系列的类似行动，切断了其在全球使用美国技术制造的芯片和其他电子产品的供应。制裁最终也削弱了华为成功的移动和宽带业务。对此，你有什么看法，对中芯国际是否造成影响？
2022-03-11 10:34:37
结合实时热点、助力解决行业痛点难点，赋能产业融合发展，由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会 （IIC Shanghai）将3月29日-30日在上海国际
2023-02-28 16:11:42
亿元人民币，只能说明是英特尔高瞻远瞩，提前布局，抢占先机。4、中芯国际深圳厂投产、28nm试量产芯片制造进步快速中芯国际集成电路有限公司12月17日宣布其在深圳的8英寸晶圆厂正式投产。根据计划，中芯
2015-01-13 15:48:21
2023年1月13日，知名物理IP提供商 锐成芯微（Actt） 宣布在22nm工艺上推出双模蓝牙射频IP。近年来，随着蓝牙芯片各类应用对功耗、灵敏度、计算性能、协议支持、成本的要求越来越高，22nm
2023-02-15 17:09:56
实现，比如电源管理芯片、电机驱动芯片、照明驱动芯片、快充/无线充芯片、BMS电池管理系统中的模拟前端芯片等。BCD（Bipolar-CMOS-DEMOS）工艺通过集成高驱动能力的Bipolar器件、高
2023-03-03 16:42:42
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36:46
知名芯片设计厂商ARM公司日前与台积电公司签订了一份为期多年的新协议，根据该协议，双方将就使用台积电的FinFET工艺制造下一代64bit ARM处理器产品方面进行合作。
2012-07-24 13:52:57911 该14纳米产品体系与芯片是ARM、Cadence与IBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。 这
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 三星于2015年第一季度发布了半导体芯片行业首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工艺量产的Exynos 7 Octa处理器，成为FinFET逻辑制程上的行业引领者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年5月19日，北京讯——ARM今日发布了首款采用台积电公司（TSMC）10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。
2016-05-19 16:41:50662 中芯国际是全球芯片代工行业中的四大厂商之一。然而，目前，中芯国际投入量产的最先进的制程工艺是28纳米PolySiON工艺。并且，中芯国际仍需对高端的28纳米HKMG工艺继续深入探究。 中芯国际是全球
2017-04-26 10:05:11712 
本文介绍设计人员如何采用针对FinFET工艺的IP而克服数据转换器设计的挑战。
2017-09-18 18:55:33
17 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作，将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性（CCIX）的加速器测试芯片，并计划在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布计划在 2018 年交付 7 纳米 FinFET 工艺芯片。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明 CCIX 能够支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器实现一致性互联。
2017-09-25 11:20:206826 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工艺的认证。Nitro-SoCTM 布局和布线系统也通过了认证，可以支持 TSMC 的 12FFC 工艺技术。
2017-10-11 11:13:422372 在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上［3］。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
英特尔采用7nm FinFET工艺制成的EyeQ4无人驾驶芯片将会在明年上市，EyeQx芯片来自Mobileye，单颗芯片的TDP是5W。NVIDIA Xaiver会是她最强劲的对手。
2017-12-15 12:43:212862 中芯国际联席CEO梁孟松透露，中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺，2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺，并藉此进入AI芯片领域。
2018-05-14 14:52:005009 。Mentor 的工具和 TSMC 的新工艺将协助双方共同客户更快地为高增长市场提供芯片创新。 TSMC 设计基础架构营销部资深总监 Suk Lee 表示：“Mentor 通过提供更多功能和解决方案来支持我们最先进的工艺，持续为TSMC 生态系统带来了了更高的价值。
2018-05-17 15:19:003391 Synopsys设计平台用于高性能、高密度芯片设计 重点： Synopsys设计平台获得TSMC工艺认证，支持高性能7-nm FinFET Plus工艺技术，已成功用于客户的多个设计项目。 针对
2018-05-17 06:59:004461 替换高清大图 请点击此处输入图片描述 中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺，2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺，并借此进入...... 晶圆制造是目前芯片设计环节
2018-05-17 09:37:354975 在领先、变革、开放、合作的掌声中，全球首个7nm量产芯片发布会落下帷幕。
2018-08-13 16:53:0818352 梁孟松是台积电前研发处长，是台积电FinFET工艺的技术负责人，而FinFET工艺是芯片制造工艺从28nm往20nm工艺以下演进的关键，2014年台积电研发出16nm工艺之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 根据中芯国际之前的爆料，其14nm工艺良率已达95%，进展符合预期，已经进入了客户导入阶段，正在进行验证及IP设计。另外，中芯国际联席CEO梁孟松宣布计划在2019年上半年风险试产14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 和KylinCloud银河麒麟云平台上的SPEC Cloud IaaS 2018测试结果。这是全球首个在ARM64平台上通过SPEC测试并正式发布的结果。
2019-12-26 14:04:222720 据中国台湾消息报道，中国大陆芯片代工厂商中芯国际已经从竞争对手台积电手中，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的14纳米FinFET工艺的芯片代工订单。
2020-01-14 15:31:432677 关注半导体产业的台湾《电子时报》（DigiTimes）1 月 13 日报道称，中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:015094 今年 2 月份 2019 年 Q4 财季的财报会议上， 联席 CEO 梁孟松博士公开了中芯国际 N+1、N+2 代工艺的情况，N+1 工艺相当于台积电的第一代 7nm 工艺，N+2 相当于台积电的 7nm+ 工艺。
2020-03-12 09:14:332804 去年，中芯国际表示将在四季度开启基于 14nm FinFET 制程的量产芯片。同时，该公司也在努力开发下一代主要节点（N+1），宣称具有可媲美 7nm 工艺的部分特性。
2020-03-24 13:45:342567 业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电7nm+，重点在提升性能，年底即可量产。
2020-03-24 17:09:1824612 国内最大的晶圆代工厂中芯国际昨晚发布了2019年报，营收31．16亿美元，公司拥有人应占利润为2．347亿美元，同比增长75%。
2020-04-01 16:29:4822296 5月14日， Cadence宣布基于中芯国际14nm工艺的10Gbps多协议PHY研发成功，这是行业首个SMIC FinFET工艺上有成功测试芯片的多协议SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 称，该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产，第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。 按照这样的时间表推测，中芯国际N+1代工艺确实会在2021年规模量产。 N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，但从未明确
2020-09-26 10:11:392092 第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。 据集微网2月报道，在中芯国际2019第四季度财报会议上，梁孟松博士透露了中芯国际下一代N+1工艺的详细数据。 梁孟松博士透露，中芯国际的下一代
2020-09-30 10:49:592771 710A 芯片等进行代工。 对此，中芯国际回应称，公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产，第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。在没有使用EUV光刻机的情况下，中芯国际实现了14nm以下的先进制造工艺，不能不说
2020-09-30 14:24:188395 9月21日消息，上周有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示，中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底进行小批量试产。
2020-10-12 09:42:551413 
据珠海特区报近日报道称，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业——芯动科技发布消息称，该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N＋1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，为国产半导体生态链再立新功。
2020-10-12 09:46:186133 根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示，N+1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。
2020-10-12 10:03:044881 自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。
2020-10-12 11:11:566384 我国一站式IP定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）近日宣布：已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。 芯动科技拥有自主
2020-10-13 17:33:192964 据消息，IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N＋1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次性通过。 在半导体领域，芯片流片也就等同于试生产，即设计完电路
2020-10-16 10:26:1112497 
作为中国大陆技术最先进、规模最大的晶圆代工企业，中芯国际的制程工艺发展一直备受关注。历经20年，其制程工艺从0.18微米技术节点发展至如今的N+1工艺。
2020-10-20 16:50:105947 近日，国际测试委员会（BenchCouncil）在2020青岛创新节期间举办的的智能计算机大会和芯片大会联合主论坛上发布了国际首个智能超级计算机榜单HPC AI500。日本富士通公司夺得榜首，腾讯公司位列第四，中日美三国公司包揽榜单前九。
2020-11-03 14:41:541838 ，可望于2020年底小批量试产。 此外，中芯国际方面还重申，目前公司营运和采购如常。 其实去年11月就曾有消息称，中芯国际已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产，且计划2019年年底前进行12nm FinFET的风险试产。 按照中芯国际当时在2019年Q3季度财报公布的情况，公司第一代FinFET已
2020-12-04 18:08:151858 据科创板日报报道称，中芯国际的第二代FinFET已进入小量试产。
2020-12-05 09:13:361519 2019 年四季度进入量产，第二代 FinFET 已进入小量试产。 IT之家了解到，中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。 今年9月份，投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示：中芯国际第二代
2020-12-07 11:23:372570 据最新消息，我国芯片生产巨头中芯国际在互动平台公开表示，该司即将在2020年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片，目前这一芯片已经进入客户导入阶段。去年年底，中芯国际率先完成任务，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量产工作。
2020-12-08 15:41:092788 从中芯国际官网的介绍来看，该公司提到的最先进工艺还是14nm，接下来的是N+1、N+2工艺，但没有指明具体的工艺节点。
2021-05-14 09:46:013193 ）认证，亦是全球首个荣获国际暗天协会认证的显示技术。E Ink电子纸的反射式显示特性使其可通过环境光源显示屏幕画面，不自发光。在夜间观看时，通过小型LED灯条即能照亮整个显示屏幕，减少过度消耗可能干扰所处社区或环境的杂散光。 电子纸成为全球首个荣获“国际黑暗天空协会”认证的显示技术 随着智慧城
2022-02-17 14:14:381416 作为全球顶级科研巨头的IBM在这一领域有了新的突破，通过与AMD、三星等多家公司合作，推出了2nm的测试芯片，这可是全球首颗2nm芯片。
2022-06-24 09:33:491041 全球首个2nm芯片是哪个国家的？全球首个研发出2nm芯片的国家亦不是台积电，也不是三星，更不是联发科，而是来自美国的IBM。
2022-06-29 16:34:144184 全球首个2nm芯片是中国的吗？全球首个2nm芯片并不是中国制造的，而是由来自美国的IBM公司制造的，全球首颗2nm芯片位于美国纽约州奥尔巴尼半导体研究机构设计和生产。
2022-06-29 17:09:084040 2021年5月，IBM发布全球首个2纳米芯片制造技术，首颗2nm工艺芯片用EUV光刻机进行刻蚀在指甲大小的芯片上，集成了500亿颗晶圆体，IBM通过与AMD、三星率先推出测试芯片，处于全球领先地位。
2022-07-04 09:21:412104 IBM宣布已开发出全球首个2nm工艺的半导体芯片,采用三层GAA环绕栅极晶体管技术，首次使用底介电隔离通道，其潜在性能和电池续航能力都将得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务（design implementation service），由客户指定制程（8纳米、7纳米、5纳米及更先进工艺）及生产的晶圆厂。
2022-10-25 11:52:17724 最小 Lg 是沟道栅极控制的函数，例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极围绕薄沟道的 FinFET，从而实现更短的 Lg。FinFET 的栅极控制在鳍底部最弱，优化至关重要。
2023-01-04 15:54:511488 当做到FinFET工艺时才了解到这个名词，在平面工艺时都没有接触SHE（self-heating effect）这个概念。为什么到FinFET下开始需要注意SHE的影响了呢？下面参考一些材料总结一下分享，如有不准确的地方请帮指正。
2023-12-07 09:25:09677 
且值此具有历史意义的时刻，位于法国格勒诺布尔的行业领军企业Dolphin Design，已于近期成功流片首款内置先进音频IP的12 nm FinFET测试芯片，这无疑是公司发展路上一座新的里程碑。
2024-02-22 15:53:11173
电子发烧友App
工商网监
评论