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台积电采购的EUV设备已超35台占ASML过半产量

2020年09月29日 17:26 次阅读

  据估算,ASML今年下半年可能会再出货 22 台EUV设备,明年全年最多50台。据台媒DIGITIMES报导,台积电也将扩大采购 EUV 设备,抢下ASML明年超过1/3的供货,这样一来台积电明年EUV机台数将超 50 台,估计可达 55 台。相较之下,三星可能还不到一半,而英特尔更少,这将令台积电持续维持工艺优势。从 EUV 光罩盒的采购量看来也支持这样的说法。

  台积电采购的EUV设备已超35台占ASML过半产量

  一台EUV光刻机的价格大概是1.2亿美元(约合8亿元人民币),也就是在2020年底前,台积电光是买EUV设备就要花超过440亿元人民币,大约相当于台积电当前两个月的总收入。

  早在2011年,台积电就从ASML引进了第一台研发型号的EUV光刻机。在2012年,台积电联合英特尔、三星参股ASML推进EUV光刻机研发。可以说台积电和ASML是辛辛苦苦一起合作努力了超过30年才能在今天称霸全球。

  这种合作模式,无论英特尔、三星还是中国大陆的晶圆代工厂商,都不可能弯道超车。

  值得注意的是,在 EUV 成为显学后,美光等内存大厂也开始更积极地引入 EUV,目前最新的台中厂无尘室是设计成能使用 EUV 设备的,今年落成后可望进场评估。虽然美光没有松口,但面对三星的压力,将计划提前也不令市场意外。

  5纳米芯片成本曝光

  乔治敦大学沃尔什外交学院安全与新兴技术中心(CSET)的两位作者编写的一份题为《AI Chips: What They Are and Why They Matter》的报告中,他们借助模型预估得出,台积电5纳米制造的12吋晶圆成本约为16988美元,远高于7nm约为9346美元的成本。

  报告假想了一颗5纳米芯片,该芯片大小与英伟达(Nvidia)P100 GPU相当,这款GPU基于台积电16纳米工艺节点制造,包含153亿个晶体管,裸片面积为610 平方毫米,相当于晶体管密度25 MTr/mm 2。

  由此计算,直径300mm(12吋)的晶圆能够生产71.4颗 610平方毫米的芯片,平摊单颗芯片成本将高达238美元(约合1600元人民币)。

  假设5nm GPU的芯片面积为610平方毫米,并且晶体管密度比P100 GPU高,达到907亿个晶体管。下表中是用模型估算的台积电90至5纳米之间的节点晶体管密度。在90至7纳米范围内的节点,模型使用具有相同规格的假想GPU,包括晶体管除晶体管密度,假想的5纳米 GPU与假设节点关联。

  台积电采购的EUV设备已超35台占ASML过半产量

  CSET的成本模型使用的是无晶圆厂的角度,包含建造工厂的成本、材料、人工,制造研发和利润等。芯片制造出来后,将外包给芯片测试和封装(ATP)公司。所以这还只是晶圆制造成本,而一颗芯片的诞生还需要包含设计成本和封装、测试成本,这部分的成本也是非常高的。

  有市场研究机构给出数据,芯片的成本迅速暴增,7纳米芯片设计成本为3.49亿美元,5纳米芯片设计成本将增至4.76亿美元。也就是说,像设计一款A14或者麒麟5纳米芯片,总成本可能高达近5亿美元。

  台积电采购的EUV设备已超35台占ASML过半产量

  该机构通过调查估算后,每颗芯片的设计和封装、测试成本,分别为108美元和80美元。

  如果这份研究报告的准确性高的话,那么意味着一颗5纳米芯片支付的总成本将可能达到426美元(约为2929元)  


台积电采购的EUV设备已超35台占ASML过半产量

  当然,这一估算也只是最理想的状态,考虑到5纳米工艺几个月前才开始量产,其使用的晶圆厂以及设备都还没有折旧,所以可能会有比较高的损耗。同时光刻机的成本也极高,由于EUV工艺复杂多达14层,每一层都要动用ASML的Twinscan NXE光刻机,而一台EUV光刻机的价格高达1.2亿美元。

  实际上,麒麟9000的成本可以并不需要这么多。因为晶体管密度大增,同是300mm(12吋)晶圆能切割出来的芯片增多,大概能够切割出400颗麒麟9000芯片。若按此计算,使用N5制造610m㎡芯片的成本为42美元(287元人民币),加上设计和封装、测试成本,一颗芯片的最终成本可能在238美元(1570元人民币)左右,比使用N7生产同样芯片的233美元只贵了5美元。

  在16/12纳米节点上,同样的处理器会大得多,制造成本为331美元。此外在N5时,还可以带来15%的性能提升和30%的功耗下降。

  但大家要做好的心理准备是,今年苹果和华为的旗舰机注定不会太便宜。

  3纳米、2纳米都在路上了

  据此前供应链消息,台积电虽然失去了华为的订单,但AMD、英伟达、联发科高通与苹果迎来了出货旺季,已陆续加大7/5纳米订单。其中,7纳米现已提前达到每月13万片产能,年底约将再增至14万片。而5纳米目前由每月5万片逐步提升,原定2021年上半8万~9万片月产能目标,近日已上调至10.5万片,产能仍旧供不应求。

  台积电最近还公开了3纳米工艺的产量目标,预计于2021年进入风险生产,2022年下半年量产单月产能可以跃升至5.5万片;至2023年的单月产能更可以升至10万片。首批生产晶圆将由苹果全包,第二、第三批客户则有英特尔、AMD、高通、赛灵思(Xilinx)及英伟达等。

  与5纳米相比,3纳米可以在相同的功率水平下提高10-15%的性能,或者在相同的晶体管速度下降低25-30%的功率。InternaTIonal Business Strategies (IBS)给出的数据显示,三星称其3纳米环绕闸极(GAA)工艺的成本可能会超过5亿美元。

  台积电采购的EUV设备已超35台占ASML过半产量

  此外,台积电还称在2纳米制造节点方面取得重大研究突破,有望在2023年中期进入2纳米工艺试生产阶段,并在一年后开始批量生产。

  据悉,台积电的2纳米工艺将采用差分晶体管设计,采用GAA工艺为基础的多桥沟道场效应(MBCFET)架构,解决FinFET因工艺微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。而在极紫外光微显影技术方面的进步让台积电的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术更为成熟,良品率的提升比预期的顺利许多。

  值得注意的是,这也是台积电第一次将MBCFET设计用于其晶体管。

  台积电一位高管对外表示,“我们乐观预计2023年下半年风险试产收益率将达到90%,这将有助于我们未来继续赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”。同时,他还提到,量产将于2024年开始。

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各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华 ...
发表于 2015-12-17 19:52 13769次阅读
各类常用工艺库台积电,中芯国际,华润上华

[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果

转自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM 台积电借16nm FinFET Plus及I...
发表于 2014-05-07 15:30 3196次阅读
[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果