电源/新能源
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碳化硅和氮化镓等 宽带隙 功率半导体可减小组件尺寸、提高效率并改善混合动力和全电动汽车的性能。 现在越来越多的汽车制造商押注于 SiC 和 GaN,芯片制造商正在转变他们的业务,以利用电...
2022-07-29 471
通过基于SiC的改进的中性腿最小化EV充电器的二阶纹波和直流电容
太阳能光伏、风力涡轮机和储能系统具有三相逆变器,用作主动配电网络和分布式能源 (DER) 之间的接口。如今,具有更紧凑固态变压器 (SST) 的传统笨重变压器也需要三相逆变器来为负载供电。...
2022-07-29 459
为什么高级电动汽车充电系统需要精密电流感应?
电流测量是过流和欠流保护的一个关键方面。在电动汽车充电系统的速度和功率水平下,传统的保险丝和断路器无法胜任这项工作,除非用于防止极端情况下的灾难性故障。先进的电流感应可实...
2022-07-29 471
从升压转换器获得更长的电池寿命
ADP1612是一款低成本、高效率的升压转换器,工作频率为 1.3 MHz,非常适合需要体积小巧的消费电子电路。它有一个关断引脚,可将静态电流降至 2 μA 以下,并在低至 1.8 V 的输入电压下工作,非...
2022-07-29 425
电动汽车车载充电器中的宽带隙 (WBG) 晶体管
汽车行业的发展和创新在汽车设计的几乎所有方面都在快速发展,包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统。由于驾驶员的担忧和压力增加,对电池电动汽车 (BEV)的快速和广泛采用...
2022-07-29 943
SiC MOSFET发展趋势与解决方案
毫无疑问,所谓的第三代宽禁带半导体碳化硅正在发挥其众所周知的潜力,在过去五年中,汽车行业一直是该材料的公开试验场。基于 SiC 的传动系统逆变器——将来自电池侧的直流电转换为电...
2022-07-29 928
适用于CSP GaN FET的简单且高性能的热管理解决方案
本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同(如果不优于)的热性能。由于其卓越的电气性能,GaN FET 的尺寸可以减小,从而在尊重温度限制的同时提高功率密度。这种行为...
2022-07-29 417
GaN组件的单片集成提升了功率集成电路
本文分析了高性能肖特基势垒二极管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平台上的成功协同集成。这些组件的添加使芯片设计具有扩展的功能和更高的性能,使单片集成 GaN...
2022-07-29 882
驱动和保护电源开关的高级解决方案
功率开关要么使用传统的硅基技术制造,例如MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT),要么使用更新的宽带隙半导体制造,例如碳化硅和氮化镓。在相关应用中,汽车是近年来发展势头强劲的领域,主...
2022-07-29 491
电源设计说明:面向高性能应用的新型SiC和GaN FET器件分析
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常强大,导通电阻 (R DS(on) ) 仅为 6 mΩ 和 750 V,是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分。该组件基于“级联”电路的独特配置。带 R DS(on)不到竞争对手的一半,...
2022-07-29 479
适用于高达220W的USB PD 3.1 适配器的新型高压GaN解决方案
扩大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范围,使充电器/适配器设计人员能够轻松超过 23 W/in。3用于单输出或多输出 USB PD 3.1 认证设计,最大限度地减少组件并为 130-W USB PD 提供 94% 的效率。...
2022-07-29 581
成功实现质量优于低成本电源转换器的应用示例
选择合适的电源转换器仅仅是找到最便宜的部件吗?事实证明,电源电压转换领域的创新是值得的,并且在市场上得到了回报——因为这些解决方案带来了更高质量的产品。本文概述了一些成功...
2022-07-29 519
SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型
碳化硅功率器件已成为一种很有前途的技术,人们对降低能耗和在高开关频率应用下运行的兴趣日益浓厚。碳化硅还可以维持较高的工作温度,使其成为工业环境的合适候选者。宽带隙半导体器...
2022-07-29 1564
下一代高压SiC MOSFET的可靠性和稳健性测试
在当今这一代,电力电子设备几乎在从交流适配器到传输系统的各个领域都有应用。这些器件包含硅 (Si) 作为低压和高压器件的主要元素。然而,随着半导体行业的最新进展,碳化硅 (SiC) 已被...
2022-07-29 1802
GaN-on-Si功率技术:器件和应用
在过去几年中,氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体,具有更快的开关速度、更...
2022-07-29 1020
汽车LED驱动器电源转换拓扑指南
在许多系统中,包括部署在汽车供电系统中的无数稳压器,电源转换稳压器的设计通常是一项艰巨而复杂的任务。本文旨在通过解释用于 LED 驱动器的不同开关拓扑的优势、权衡和应用来简化选...
2022-07-29 550
降低 SiC 电阻之路
本文基于PGC 咨询公司进行的分析,研究了当今的 650-V 和 1,200-V SiC MOSFET,揭示了这些问题,包括栅极氧化物可靠性的优化,这有助于降低比导通电阻,降低碳化硅成本。...
2022-07-29 1025
电源管理技术在物联网的应用方案
本文探讨物联网电池技术。它描述了设计人员在电源方面面临的一些问题,并提供了 Analog Devices 的解决方案。这些解决方案非常高效,可以帮助遏制 IoT 设备中的其他问题,包括尺寸、重量和温...
2022-07-29 713
高压功率器件封装设计说明
可再生能源应用以及各种能效技术需要可靠、紧凑和热效率高的电源设备。为了推动风力涡轮机、智能电网、太阳能发电系统、太阳能光伏和电动汽车的创新,1需要具有高功率密度、高开关频...
2022-07-29 833
GaN和SiC功率器件的最佳用例
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下,WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物,并在现有系统中实现更高的...
2022-07-29 843
将多个分立电容集成到固态器件中
无论是物联网数据服务器还是数据中心,电源系统设计人员都面临着获得更大功率密度和提高转换效率的压力。尽管半导体开关器件在取得这些进步方面受到了很多关注,但电容器也可能是帮助...
2022-07-29 887
飞宏新推出的适配器采用Transphorm的氮化镓技术
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布,全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的...
2022-07-29 596
锂离子电池厂商重庆紫建电子登录创业板
锂离子电池厂商重庆紫建电子登录创业板 重庆市紫建电子股份有限公司是一家专注于小型消费类可充电锂离子电池产品的研发、设计、生产和销售的国家高新技术企业,产品以各类小型消费类...
2022-07-28 862
低压差/高压差降压电源设计
搞嵌入式开发不仅仅局限于软件层面,肯定要掌握一些基本的原理图设计,以及 2 层板的 PCB 布线,在设计开发板的过程中,我们的电子元件经常要使用到各种电压,这些电压一般情况下由...
2022-07-28 2412
设计一个可变的双直流电源电路
在本教程中,我们将设计一个可变的双直流电源电路,可提供14V至-14V的可变输出电压。电压转换任务分四个步骤执行,即变压器运行、整流、平滑和调节。...
2022-07-28 5977
使用555定时器构建一个升压转换器电路
在本文中,我们将了解降压转换器并使用 555 定时器和设计一个非常简单的升压转换器IRFZ44N,N 沟道 MOSFET。您可以在这里查看简单有趣的电力电子电路。...
2022-07-28 4496
稳压电源电路的工作原理
交流输入电路(图中的输入电源和电源变压器)有两个用意,一个是把交流电的不安全的电压变成安全的电压(比如将220V转成14V);第二个是在许多的电路当中,它将交流输入经过处理后作为输入...
2022-07-28 11071
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