基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS（on））降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和
2020-02-18 17:50:08
1494 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431205 
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:37494 
、25N10、30N10、35N10、40N10、20N06、25N06、30N06、40N06、50N06、60N06、2N15、8N15型号系列100V10A(10N10)TO-252封装100V
2020-11-12 16:25:57
IC采用先进的降压技术，能够将12-80V的电压稳定地降低到5V，为电动车提供安全、可靠的充电环境。同时，其2A的电流输出能力，保证了充电速度和效率，让您在短时间内为电动车充满电。此外，该充电IC还采用
2023-12-21 15:27:51
。 产品特征：1、1.2A持续输出电流2、4.5V-30V宽输入范围3、0.8V-15V宽输出范围4、集成0.3Ω功率MOSFET开关5、高达92%的效率6、可编程软启动7、1.2MHz固定频率8、输出
2018-07-27 09:51:44
基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W双声道D类音频功放升压组合解决方案，为音频爱好者提供极致的音质体验。输出功率曲线图方案简介此方案大致分为两个主要级：1、采用FP5207非同步升压控制器。此
2022-02-18 17:37:12
、4.5V-30V宽输入范围3、0.8V-15V宽输出范围4、集成0.3Ω功率MOSFET开关5、高达92%的效率6、可编程软启动7、1.2MHz固定频率8、输出短路保护9、SOT23-6L无铅封装
2019-07-09 09:05:20
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。 产品概述：SP6701是一款2A降压型同步整流芯片，是国内首家采用SOT23-6小型封装大电流同步2A芯片。内部集成极低RDS内阻10豪欧金属氧化物半导体
2020-08-26 16:26:30
。 产品特征：1、1.2A持续输出电流2、4.5V-30V宽输入范围3、0.8V-15V宽输出范围4、集成0.3Ω功率MOSFET开关5、高达92%的效率6、可编程软启动7、1.2MHz固定频率8、输出
2018-08-06 18:13:53
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。 产品概述：SP6711是一款2A降压型同步整流芯片，是采用SOT23-6小型封装大电流同步2A芯片。内部集成极低RDS内阻10豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管
2021-08-30 15:15:33
：8.0V至90V· 输出电压范围：5.0V至30V· 支持5V/2A和12V/2A电流输出· 內置5A/100V高压功率管· 转换效率高于96%SOP8封装 我们的优势：1、提供样品和测试板，强大
2018-08-09 09:02:21
输入电压范围： 4V 至 30V宽输出电压范围： 1.8V 至 28V效率可高达 92%以上超高恒流精度： ±5%恒压精度： ±2%无需外部补偿开关频率： 130kHz输入欠压/过压、 输出短路和过热保护SOP-8 封装输出电流： 3A
2020-10-31 14:23:17
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
`深圳市三佛科技有限公司 供应 30P03 30V -30A P沟道MOS DFN3*3-8封装， 30P03 参数： -30V -30A DFN3*3-8 P沟道 MOS管/场效应管品牌：HN
2021-03-18 14:16:53
30V 10A MOS管TO-252封装HC005N03L，MOS原厂库存现货HC005N03L参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海直销30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 贴片 mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252
2020-11-12 09:52:03
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8
2020-12-01 15:57:36
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
管，LED车灯强弱光切换专用MOS管100V5A（内阻140mR） 30V8A SOT23-3封装,MOS管专为LED汽车灯电源研发设计，具体抗高温、低内阻、结电容小、温升低特点，LED车灯电源专用
2020-10-29 14:33:52
PT4205 是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源，用于驱动一颗或多颗串联 LED。其输入电压范围从 5V 到 30V，具有 200mV±3%的基准电压，输出电流通过一个外部电阻设定，可达 1.2
2021-04-22 10:21:35
型号：HC3022DN沟道场效应管30V45ADFN3*3封装内阻13毫欧型号：HC3022DN沟道场效应管30V45ADFN3*3封装内阻13毫欧型号：HC3039DN沟道场效应管30V25ADFN3*3
2020-10-09 14:25:10
SOT23-6封装形式。PW2902是一颗DC-DC降压转换器芯片，输入电压范围8V-90V，可负载2A，可调输出电压，频率140kHZ。适用于输出12V2A或者5V2A，可调输出电压5V-30V之间
2020-10-16 10:58:20
直流5V升压到直流30V，求大佬推荐升压芯片
2021-07-31 09:37:49
表说明了每种封装技术对于主要参数影响因素如能效、功率密度和可靠性的不同效应。这些组件包含一个采用IR硅技术的几乎相同的30V MOSFET芯片。表1 几种封装的对比 基于所有上述特性，PQFN5×6
2018-09-12 15:14:20
（5）和（6）可知，影响MOSFET电流速率的源极引脚电感被消除了。根据等式（2）和（5），较之TO247封装MOSFET,这缩短了器件的开关速度，降低了开关损耗。最新推出的TO247 4引脚
2018-10-08 15:19:33
散热器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等贴片封装，从而大幅简化热管理。 因此，可以提高开关电源的功率密度，同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新30V硅技术产品之后
2018-12-06 09:46:29
1.DC 3~60V ,限制输出在3~25v之内，就是大于25V的输入限制输出到25v左右，如何设计电路，谢谢了！！！用简单的稳压二极管发热太大了吧，有没有别的方法 ，谢谢了2.或者有其他更好的方法，DC 3~60V 转成5v给后面的单片机数码管供电，如何设计电路，谢谢了！！
2016-11-17 09:42:15
。 产品特征：1、1.2A持续输出电流2、4.5V-30V宽输入范围3、0.8V-15V宽输出范围4、集成0.3Ω功率MOSFET开关5、高达92%的效率6、可编程软启动7、1.2MHz固定频率8、输出
2018-08-28 16:06:08
每周期的峰值限流、内部软启动和温度保护。SL0450HV需要非常少的常规外围器件。采用8脚的SOP8封装。特性 宽输入电压：4.5V到80V 输出电压可从0.8V到30V 集成110mΩ的功率开关
2022-07-08 14:33:59
包括每周期的峰值限流、内部软启动和温度保护。SL0450HV需要非常少的常规外围器件，采用8脚的SOP8封装。特性：宽输入电压：4.5V到80V输出电压可从0.8V到30V集成110mΩ的功率开关最高
2022-08-24 11:45:32
，ETA9897采用易于焊接的ESOP8封装。应用：TWS BT earbuds charge caseBluetooth applicationBattery powered IOT modulePower Bank深圳市尊信电子技术有限公司胡先生：*** V信同号`
2021-07-09 14:56:02
充电盒充放二合一解决方案，其集成了充电，放电。支持外部MCU控制，支持EN使能，其集成了30V极限耐压，5V空载时超低1uA的待机功耗，以及电池反接保护，ETA9897采用易于焊接的ESOP8封装
2021-06-08 18:52:06
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
和4953就可以完成一个QI5W无线充方案， 兼容 WPC Qi v1.2.4 最新标准，支持 A11线圈， 支持 5W 、苹果 5W 、三星 5W充电 。输入5V1A无线输出5V0.8A功率给手机
2022-04-25 22:10:16
快速充电电源管理方案。H4012采用ESOP-8 封装，芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。
产品特征
l 内置30V MOS
l 输入范围5V-24V
l 内置50m
2024-03-22 11:31:10
技术,是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为<br/&
2010-05-06 08:55:20
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
MCP16301。MCP16301具备4V至30V的宽输入电压范围，输出电压范围为2V至15V，效率可高达95%。600mAMCP16301 采用6引脚SOT-23封装，集成上桥臂开关，所需的外部元件
2011-07-12 22:04:35
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE3080K新洁能替代型号100N03 30V贴片MOS，原装正品，库存现货热销NCE3080K为新洁能推出的30V，N沟道，大电流 MOS，TO-252封装
2019-11-27 16:52:24
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
包含多重保护功能：过温输 出短路保护和输入欠压保护等。SL1581采用 SOP8的标准封装。2.特性⚫ 宽输入电压范围： 宽输入电压范围： 宽输入电压范围： 宽输入电压范围： 4V至 30V⚫ 效率可
2022-06-01 17:13:39
SL340630V4A50毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧
2020-06-19 11:00:56
SL340630V4A50毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫欧DFN5x6A-8_EPSL3042 N沟道场效应管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖
2020-06-20 10:05:27
SL340630V4A50毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧
2020-06-20 10:11:31
SL340630V4A50毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧
2020-06-22 10:53:25
SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N
2020-06-22 10:57:12
SL340630V4A50毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧
2020-06-24 10:37:08
SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x
2020-06-22 11:03:37
欧SOT23-3L封装 N沟道SL872630V85A 3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧
2020-06-24 10:39:23
SL872630V85A3毫欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N沟道供应【20V MOS管 N/P沟道
2020-07-23 16:53:22
沟道 TO-252 替代AOD403 功率MOS管SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道替代AOD403SL48430V41A14毫欧TO-252封装 N沟道替代
2020-06-04 13:53:48
TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N沟道【20V MOS管 N/P沟道
2020-06-10 14:31:13
沟道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道替代AOD403SL48430V41A14毫欧TO-252封装 N沟道替代
2020-06-04 13:58:07
欧TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N沟道【20V MOS管 N/P沟道
2020-06-10 14:35:56
到30v，提供可调的输出电流，最大输出电流可达到1A。根据不同的输入电压和外部器件SL6029 可以驱动供高达数十瓦的LED。SL6029 内置功率开关，采用高端电流检测电路，以及兼容PWM 和模拟
2020-04-16 11:15:43
TO-252封装N沟道SL30150 30V150A2毫欧DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N沟道【20V MOS管 N/P沟道
2020-06-09 10:23:37
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。 产品概述：SP6701是一款2A降压型同步整流芯片，是国内首家采用SOT23-6小型封装大电流同步2A芯片。内部集成极低RDS内阻10豪欧金属氧化物半导体
2018-08-01 14:45:10
MOSFET上进行了加速栅极氧化物寿命测试。两个测试结果之间的密切一致证实了SiC MOSFET是可靠的器件，当在T = 175°C和V GS = 25V 下工作时，预计寿命超过100年。点击显示大图图2加速
2019-07-30 15:15:17
：5W ·关联PAE：35％ ·直流偏置：25V @ 0.2A ·6x6mm2 密封金属陶瓷封装 PAE关于输入功率的曲线
2020-07-07 08:50:16
USB Type-C™、USB PD 和 USB 3.1 第 2 代：速度和功率的新标准
2021-01-21 06:01:47
大的负载电流都会采用两个功率6 x 5封装，算上导线和打卷标的面积，以及两个器件的位置摆放，占用的面积超过60mm2。这种双芯片功率封装的尺寸是6.0mm x 3.7mm ，在电路板上占用的面积
2013-12-23 11:55:35
步降压IC，sot23-6封装，输入＜30V输出 5V 电流小于2A的有型号能配对上吗，请大神指教
2019-12-30 12:27:38
英飞凌科技股份公司于近日推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW
2021-11-29 07:42:30
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
：8.0V至90V· 输出电压范围：5.0V至30V· 支持5V/2A和12V/2A电流输出· 內置5A/100V高压功率管· 转换效率高于96%SOP8封装 我们的优势：1、提供样品和测试板，强大
2018-08-25 10:44:44
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
我有一个30V，10mA的电源，需要反转极性，时间需要用PIC来控制。我看了一些H桥，但是我看到MOSFET的高Gs电压差因为30V的问题。使用晶体管看起来更好。我看了一些马达驱动器，但不
2019-03-21 10:00:09
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 15:37:14
、50N10SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装、TO-252封装、DFN封装60V大电流系列：5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06
2021-01-14 15:58:59
要求输入9V输出25V，电流能达到2A以上，最好能恒压和恒流之间可以切换
2014-10-06 22:30:10
方面都有卓越的表现，因此OEM厂商只要采用这两款芯片，便可选用成本较低的电缆、连接器及相关元件作为搭配。美国国家半导体这两款2x2交叉点开关电路采用该公司专有的硅锗(SiGe)BiCMOS-8 工艺技术
2018-08-27 16:07:41
请问新唐ARM内核的QFN32封装2脚5V供电的单片机?谢谢
2023-06-16 06:38:16
还可以通过故障条件向主机提供状态信息。ETA4034是DFN2x2-8封装。具体应用：蓝牙耳机、平板电脑、MID、智能手机、电源库等深圳市尊信电子技术有限公司：Ethan-小胡***-V信同号欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息
2022-01-19 16:18:01
设计的蓝牙充电盒充放二合一解决方案，其集成了充电，放电。支持外部MCU控制，支持EN使能，其集成了30V极限耐压，5V空载时1uA的待机功耗，以及电池反接保护，ETA9897采用易于焊接的ESOP8封装
2021-10-25 11:47:23
采用PowerPAK SC-75封装的额定电压8～30V的P通道功率MOSFET
这些p 通道功率 MOSFET 系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件。日前推出的这些器件包括业界首款采用
2008-08-23 15:08:371249 英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 英飞凌发布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大MOSFET阵容
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用
2010-01-29 08:53:011162 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14:351506 用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13:025986 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:22758 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，
2022-08-30 13:54:16
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