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电子发烧友网>电源/新能源>Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可将开关损耗降低50%

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可将开关损耗降低50%

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碳化硅具备耐高温、耐高压、高频率、高效率等特性,发展势头迅猛。基于碳化硅特性,碳化硅驱动器相较于硅器件驱动器有其特殊要求,面临不同的设计挑战。青铜剑技术针对碳化硅的应用特点,推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驱动器,可满足多样化需求。
2022-12-29 11:34:26964

碳化硅MOSFET驱动的干扰及延迟

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰**几个方面。
2023-02-03 14:54:471076

如何降低碳化硅Sic牵引逆变器的功率损耗和散热

特别是对于SiC MOSFET栅极驱动器IC必须将开关和传导损耗(包括导通和关断能量)降至最低。
2023-02-06 14:27:17387

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-传统的MOSFET驱动方法

MOSFET和IGBT等的开关损耗问题,那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中,将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。
2023-02-09 10:19:18634

通过驱动器源极引脚将开关损耗降低约35%

-接下来,请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先,能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明?Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET驱动电路示例。
2023-02-16 09:47:49457

东芝推出第三代碳化硅MOSFET来提高工业设备效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低导通电阻和大幅降低开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150

碳化硅MOSFET什么意思

MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此,碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:151180

学技术 | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率损耗

的传导和开关损耗,本文以给出了使用ST碳化硅MOSFET的主要设计原则,以得到最佳性能。一,如何减少传导损耗碳化硅MOSFET比超结MOSFET要求更高的G级电压
2022-11-30 15:28:282647

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32732

东芝第3代碳化硅MOSFET为中高功率密度应用赋能

MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333

碳化硅MOSFET并联运作提升功率输出

增高后切换损耗的增加非常小。最后,碳化硅(SiC)MOSFET的跨导曲线更加平滑,栅极电压的小变化对电流的影响较小,易于在多个设备间进行动态的电流共享。
2023-12-19 11:59:32142

碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势

碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势  碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性: 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357

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