Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出电流等级高达10A、反向电压达1000V，并采用P600圆向封装的新款光伏太阳能电池板保护整流器---GPP100MS。
2012-10-09 13:47:42
1130 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用，新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:461051 Vishay推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管。
2013-01-10 11:21:351331 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:211080 上一篇文章的内容来阅读本文。 通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性 为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。 先来看具有快速恢复
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢复过程： 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 试想一下，如果二极管的反向恢复时间长，那就
2022-12-10 17:06:3814750 
碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备
2023-07-08 10:08:331014 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复
2012-04-18 11:05:17777 Vishay宣布，推出eSMP®系列SMP （DO-220AA）封装八款新型100 V和200 V器件，扩充其FRED Pt®超快恢复整流器阵容，包括业内额定电流首度达到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:581371 FRED产品是一种为优化整流器性能而设计的超快恢复产品，拥有较低的正向压降和极低的恢复时间，现有的产品分布在200V~600V，5A~20A，具有多种封装类型。
2020-08-14 14:50:17944 15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率。
2021-11-03 14:16:301048 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用SOT-227小型封装的新型 FRED Pt ® 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器
2022-09-13 14:33:21558 
V Hyperfast恢复整流器---12 A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3 和VS-E5TX1506FP-N3。该系列的整流器反向恢复性能达到业界先进水平，提高中频逆变器和软硬开关或谐振电路的效率。 Visha
2022-10-11 13:51:48519 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-26 15:19:16373 
快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 编辑
新五代的密码哦
2015-09-12 12:17:58
及整流器件性能的重要技术指标。图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流管上的正向
2019-12-03 10:16:05
整流二极管的反向恢复过程
2021-01-08 06:22:44
1概述嵌入式系统要在5G时代中蓬勃发展，就需要针对5G特点，进行有针对性的应用于创新。1.15G的特点第五代移动通信技术的特点主要在：（1）高速率，5G网络的下载速度高达10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
从其他制造商和快速回收硅二极管(fred)。肖特基二极管，不像PIN整流器是多数载流子器件，因此没有少数载流子在正向工作模式期间存储在漂移层中，导致零反向恢复电流(归因于储存的电荷)。然而，更薄和更重
2023-06-16 11:42:39
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
STTH8R06/FFP08H60S快恢复二极管，电流8A，电压600V，TO-220封装。快速开关，低反向恢复电流，低热阻，低开关损耗。适用于开关电源及功率因数校正装置等应用。 快恢复二极管
2020-09-24 16:03:22
反向恢复时间的差异均因为二极管结构。因此，Si-SBD的反向恢复也是高速。然而，Si-SBD现状的耐压界限是200V左右，在比其更高的电压下不能使用。而使用SiC的话，可以做出超过600V的高耐压
2018-11-29 14:34:32
加热电源和伺服电机驱动放大器所需的“三相整流二极管整流桥开关模块MDST200-16”，由于MDST200-16这种模块具有较短的反向恢复时间（trr）和反向恢复峰值电流（IRM）以及具有低反向恢复
2021-09-06 07:15:31
为什么普通整流二极管都没标反向恢复时间？
2023-04-20 16:43:24
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
编辑-ZSFF3006参数描述型号：SFF3006封装：ITO-220AB特性：超快恢复时间电性参数：30A，600V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：30A芯片个数：2正向电压(VF
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37:09
，我将开始在24V至5V/4A电源转换器中测量反向恢复。反向恢复—到底是个啥东西？一个二极管中的反向恢复就是当反向电压被施加到端子上时流经二极管的反向电流（错误方向！）（请见图2）。二极管中有储存
2018-09-03 15:17:44
，我将开始在24V至5V/4A电源转换器中测量反向恢复。反向恢复—到底是个啥东西？一个二极管中的反向恢复就是当反向电压被施加到端子上时流经二极管的反向电流…
2022-11-17 06:32:52
静态反向电压阶段。参数性能仿真研究人员利用SPICE模型，通过商业PSpice软件对功率二极管反向恢复特性进行了仿真。功率二极管型号1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二极管
2023-02-14 15:46:54
] [/td] 图3示波器设置图第五步：正向电流调节旋钮顺时针调节到最大，反向恢复电流变化率调节旋钮顺时针调节到头；打开电源开关，按下触发开关，进行测试，这个开关只需要按下瞬间即可触发，不必长时间按下等待，按下
2015-03-05 09:30:50
如何选择开关电源次级输出的整流二极管的反向恢复时间？
2023-05-15 17:47:45
快恢复二极管HFD3060H（可完全替换DSEC30-06A），电压600V，电流30A，快恢复时间短（20ns），开关速度快，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率，在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr
2021-05-14 14:12:50
Ir - 反向电流 ： 0.3mA 热阻：2.0℃/W 20A/600V快恢复二极管FMD4206S封装与尺寸 二极管的反向恢复时间 二极管的反向恢复过程就是由于电荷储存所引起的。反向
2020-09-24 16:11:08
快恢复二极管HFD8060P（可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C），电压600V，电流80A，超快恢复时间，低漏电流，高浪涌特性，开关特性好，低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t
2017-02-10 17:51:37
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t
2021-08-13 17:15:07
等多种规格，耐压值(最高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流
2011-10-20 11:09:52
的动作时间比较快，自恢复保险丝动作时间就比较慢，这就能体现出自恢复保险丝具有优异的抗冲击性能。 第四，漏电流的比较。熔断保险丝没有漏电流，这一性能使其在电路中展示了其极高的可靠性能，而自恢复保险式是有
2018-03-19 14:12:48
-> 20mV = 4A。在图5中，针对TPS40170/硅MOSFET的高亮反向恢复电荷用红色显示（使用的是CSD185363A）。峰值恢复电流为18A左右 (90mV)，据我估算，对于24V*300KHz*100nC =
2018-09-03 15:17:37
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管
2020-11-26 17:31:19
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管
2021-11-16 17:02:37
下降边沿触发，时间1格为5nS，幅度1格为5V，触发方式选择正常，上面的箭头居中，示波器的设置如下图所示。此时1mA对应示波器显示为1V。第五步：正向电流调节旋钮顺时针调节到最大，反向恢复电流变化率
2015-03-11 13:56:18
。对于优化体二极管（图1）性能在硬开关条件下应用而言，反向恢复波形的形状和印刷电路板的设计尤其重要[3-4]。新一代CoolMOS™ 650V CFD2改进了体二极管反向恢复性能，而且给击穿电压留有更大
2018-12-03 13:43:55
汇佳第五代25-29寸彩色电视机电路图，汇佳第五代25-29寸彩电图纸，汇佳第五代25-29寸原理图。
2009-05-25 11:46:05
234 :本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 超快速二极管的反向恢复特性摘要:本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 iPod nano(第五代)功能指南手册
2009-12-10 15:37:08110 超高效率600V H系列整流器扩展硅二极管性能
为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战， Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed新款600V功率因数校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 Vishay推出6款用于消费电子应用的FRED Pt超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低
2010-05-31 14:57:481425 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器。
2011-04-01 09:36:43782 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封装的新款单相直排桥式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351399 Vishay Intertechnology宣布，发布34款采用6种功率封装的新型600 V FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 日前，东芝开发了提高内置二极管恢复特性的构造MOSFET“DTMOS”，并将于5-14日至16日在PCM 2013大会上展示。据悉，该产品耐压为600V，缩短了内置二极管反向恢复时间。
2013-05-20 11:40:33885 FRED Pt®超快恢复整流器。这些整流器具有超快和软恢复特性、低泄漏电流和低正向压降，通过AEC-Q101认证，在汽车和电信应用里可减少开关损耗和功耗。
2014-04-28 14:29:291066 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4个采用的小尺寸、低外形SMF （DO-219AB） eSMP®系列封装的新型1A FRED Pt®超快恢复整流器。
2014-08-18 16:36:271718 
，电压100V至600V的新款标准整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。
2015-02-11 11:59:291083 这些Vishay Semiconductors整流器具有极快和软恢复热性、低漏电流和低正向压降，在汽车、照明和通信应用里可减少开关损耗和过热情况，同时为TO-263（D2PAK）封装提供了低高度的替代产品。
2015-04-29 17:09:57526 FRED Pt® Gen 4 Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:531010 第五代增强型STC自动烧录器资料包。
2016-03-22 14:31:048 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同
2018-01-24 10:09:0133807 
Ultrafast快恢复整流器－－－VS－6DKH02－M3和VS－8DKH02－M3，汽车级VS－6DKH02HM3和VS－8DKH02HM3。新整流器采用高热效的FlatPAK 5x6封装，高度小于1mm
2018-04-06 11:15:004106 的累计销量也超百万辆，是现代汽车和北京现代旗下最热销的车型之一，拥有良好的用户口碑和极高的市场关注度。直播现场，现代汽车副社长WONHONG CHO分享了第五代途胜的设计初衷和产品研发故事。第五代途胜从用户需求出发，契合大众审美，是一款
2020-09-17 16:02:381640 在确保快恢复二极管是真管的前提下，反向恢复时间是能衡量快恢复二极管重要参数，在一定的耐压和电流下，反向恢复时间是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
2020-10-02 17:50:004764 
距离2021还剩40多天了，抓住2020的尾巴，触想智能正式发布公告：大家关注已久的第五代新品，已经上市在售啦！ 细心的盆友会发现，此前在上海工博会、华南工博会现场以及相关推文中，触想智能2020
2020-11-24 15:51:451493 多方消息指出，苹果最快3月发布第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:243195 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 ，它有普通整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管等。那么什么是二极管的反向恢复时间呢？它和结电容之间有什么关系呢？下面列举常用二极管的反向恢复时间： 普通二极管：反向恢复时间一般 500ns以上； 快恢复二极管：反向
2021-09-22 15:07:0331363 
推出 10 款符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用的新型 FRED Pt 600 V 第五代 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors
2021-11-05 15:35:361798 
二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程
2022-02-09 11:34:043 Nexperia（安世半导体）的恢复整流器可以提供高功率密度，同时还能带来最小的反向恢复时间和功率损耗。非常适用于汽车、工业和消费市场中的高效开关和功率转换应用。
2022-07-08 13:16:07772 
Vishay 推出四款新型 TO-244 封装第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色导通和开关损耗特性，能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封装的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢复整流器。
2022-09-16 10:52:20734 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay 推出两款新型第七代 1200 V FRED Pt Hyperfast 恢复整流器。 两款 1 A 整流器采用 SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Q rr ）和正向压降达到同类器件
2023-01-19 17:20:05734 
反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到反向恢复电流衰减为零。
2023-02-23 15:50:305422 
Vishay 新型 Power DFN 系列 DFN3820A 封装 汽车级 200V、400V 和 600V 器件高度仅为 0.88 mm 采用可润湿侧翼封装 改善热性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
肖特基二极管的反向恢复时间表示的是从正向导通状态切换到反向截止状态时所需的时间。它是指当肖特基二极管从正向导通到反向截止时，电流停止流动，并且由于电荷存储效应而需要一定的时间才能完全恢复到截止状态的时间。
肖特基二极管是一种特殊构造的二极管，具有快速开关速度和低反向恢复时间的特点。
2023-08-24 15:45:111712 器件损坏。为了保护二极管不受反向击穿的影响，可以使用二极管反向恢复电路。 二极管反向恢复电路是一种用于减小反向恢复电流的电路，通常由二极管和电感器构成。当二极管处于正向导通状态时，电感器存储了能量；当二极管从导
2023-12-18 11:23:57596 发布全新一代基于第五代英特尔®至强®可扩展处理器的宝德服务器。 卓越性能，新一代宝德服务器为计算用户提供更优选 第五代英特尔®至强®处理器具有更可靠的性能和更出色的能效，核心数量可增至最高64核心，同比上代产品相
2023-12-21 16:12:09292 
生反向恢复过程。 反向恢复过程是指当二极管的正向电压减小到零或反向电压增加到零时，电流不能立即停止流动，而是经过一个反向电流的过程。这个过程通常包括两个阶段：反向恢复时间和存储时间。 反向恢复时间（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
据悉，第五代超级电池既继承前四代智能电池的优势，又在重要技术升级中取得突破，包括能量密度和放电倍率等指标。相较于第四代智能电池，第五代超级电池能量密度显著提升 20%。
2024-02-22 14:14:25220 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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