节省空间的器件采用小型PowerPAIR®3x3S封装，最大RDS（ON）导通电阻降至8.05m，Qg为6.5nC
日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。VishaySiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR®3.3mmx3.3mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。
SiZ240DT中的两个TrenchFET®MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10V时最大导通电阻为8.05mΩ，4.5V时为12.25mΩ。通道2MOSFET，通常用作同步开关，10V时导通电阻为8.41mΩ，4.5V时为13.30mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16%。结合6.9nC（通道1）和6.5nC（通道2）低栅极电荷，导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14%，有助于提高快速开关应用的效率。
集成式MOSFET采用无导线内部结构，最大限度降低寄生电感实现高频开关，从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd/Qgs比降低噪声，进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100%Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。
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发烧友学院发表于 2019-06-19 00:00
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