65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
`这是一款本公司开发的一款ASIC专用OPPO闪充数据线方案。英锐恩现提供支持VOOC闪充技术的OPPO R7、OPPO R7 Plus、OPPO R7s等手机数据线；OPPO快充数据线码片
2018-08-23 17:25:46
技高一筹。 OPPO超级闪充、VOOC闪充、普通充电速度对比 仔细观看这段快充视频可以发现，测试的手机是从电量5%开始充电，充到100%用了10分钟左右时间，而官方宣传中说的是15分钟可以充满
2018-10-09 14:39:10
新一代纳秒级高带宽仿真工具平台——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
新一代军用通信系统挑战
2021-03-02 06:21:46
本文介绍了欧胜微电子公司最新一代音频数字-模拟转换器(DAC)的架构，专注于设计用于消费电子应用中提供高电压线驱动器输出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。对于氮化镓快充普及浪潮的来临，各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率晶体管的引入，氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品，并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
氮化镓电源设计从入门到精通，这个系列直播共分为八讲，本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧，助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾（点击下方内容查看上期直播）：- 第一讲：元器件选型
2021-12-29 06:31:58
的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验证，这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用，并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术，其轰动性市场影响可能会远远超出手机连接领域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
板上看出，得益于使用合封氮化镓器件，芯片无需辅助散热措施即可满足27W的连续输出，并且合封将控制器和开关管集成在一颗芯片内，初级的元件也十分精简，可满足高性价比的氮化镓快充设计。钰泰半
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最优方案的同轴延长线连接（通常推荐采用MCX母座连接，可最大限度减少引线误差）。现场连接图如下：▲图1：接线
2023-01-12 09:54:23
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
VOOCC to C：支持MTK PE可通过双头 USB-C 线支持华为 SCP 快充和 OPPO VOOC 闪充，并且还能支持 MTK PE 快充。SW2305 快充20W PD多协议快充芯片，其
2021-04-14 19:27:28
适合发烧友DIY改造。值得一提的是，智融是OPPO授权的首批两家快充协议芯片原厂之一，在研发实力上得到上游肯定。目前这颗快充芯片已经批量出货，近期将会看到应用产品上市。`
2019-09-09 10:42:17
/VOOC等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。特点• 同步降压变换器 输出电流高达5A 输入电压范围6~40V
2019-02-14 17:38:03
`SW6206支持OPPO闪充，双向快充PD移动电源方案有需要的上帝可联系：朱一鸣 ***SW6206 是一款高集成度的多协议双向快充移动电源专用多合一芯片，支持A+A+B+C+L 口任意口快充。其
2019-05-05 19:44:27
由于换了三星手机，之前的充电器都不支持快充了，一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器，「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器，这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
，其中第一梯队有纳微、EPC等代表企业。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，现在还有什么是阻碍氮化镓器件发展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
新一代数据中心有哪些实践操作范例？如何去推进新一代数据中心的发展？
2021-05-25 06:16:40
精通，这个系列直播共分为八讲，从0到1全面解密电源设计，带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
如何选择PD快充中USB端口的防护器件SD05？
2022-01-14 07:19:46
宝砾微PL6200只需要外置功率MOS、电感，每个接口仅需配置负载开关即可，电路结构非常的简单，可兼容最多5个USB接口（2A1C1M1L）快充，只需最简单的MCU即可实现全协议快充，极具成本
2021-12-25 10:35:58
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
一颗顶两颗，SMT贴片费用对应降低，取代多颗时，成本下降更加明显，并且PCB面积也得到减小。从这些方面，又摊薄了应用成本压力。充电头网总结氮化镓在PD快充上的应用，通过高频开关，减小了变压器的尺寸，再
2023-02-21 16:13:41
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供，包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器，更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
节能的角度来看，射频能量能够通过两种方法为行业带来优势，即降低成本和优化控制。除节能外，氮化镓和射频能量的另一个能源优势是非常适合石油工业中的工业干燥和加热应用。Suncor等公司已开始通过射频能量
2018-01-18 10:56:28
手机快充是如何实现的？
2021-09-26 07:17:28
正方：手机快充是未来的方向，华为mate9、OPPO R9s都拿此为卖点，安卓机的趋势是大屏化，高分辨率化，5.0或者5.5的屏幕成为标配，分辨率要么1080p要么上2k，CPU有骁龙820、835
2017-01-06 09:30:29
INN3365C使用。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1102M。
特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售
2023-06-16 14:05:50
。这样一来，VOOC闪充相比传统充电速度提高4倍之多。“30分钟可以充到3000mAh电池的75%”就是“充电5分钟，通话两小时”的原因。 值得注意的是，为了强调安全性，OPPO的快充技术着力于“低压
2018-10-10 16:39:23
步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。GaN和SiC同属
2019-07-05 04:20:06
`OPPO华为闪充协议方案 支持华为SCP协议高通QC3.0快充车充芯片方案-工作电压从3.2v 34V 支持VOOC快充模块是基于USB充电识别系列IC设计的，能够自动识别OPPO手机并进
2018-08-08 09:29:26
支持VOOC快充模块是基于USB充电识别系列IC设计的，能够自动识别OPPO手机并进入VOOC快充模式，兼容苹果手机识别充电。辅助充电设备模拟成OPPO品牌的原装充电器，对OPPO手机进行VOOC快
2018-08-11 10:42:28
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
0302147161325R0M。泰尔认证中心是OPPO VOOC快充协议唯一授权认证实验室。值得一提的是，SW2327协议芯片不仅支持VOOC4.0，还支持UFCS融合快充规范。智融USB Type-C快充协议芯片
2021-10-14 10:23:54
实质上是一种开关管，相比传统硅MOS管具有更低的导通电阻，更小的输入输出电容，开关速度非常快，可以支持更高的开关频率。通过使用氮化镓开关管，可以突破传统硅器件的性能限制，生产出更高效率和更小体积的电源
2021-11-02 09:03:39
近日，ismartware智融科技宣布，在被广泛使用的SW6106基础上，旗下全新一代超级快充移动电源芯片SW6206成功面世。智融SW6206是一款高集成度的多协议双向快充移动电源专用合一芯片
2020-03-30 10:12:22
深圳展嵘电子有限公司一级代理梁东：***QQ：38839547ismartware智融科技宣布，在被广泛使用的SW6106基础上，旗下全新一代超级快充移动电源芯片SW6206成功面世。智融
2019-08-26 09:01:06
相应的控制管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能双向快充移动电源解决方案。以下是对部分数码产品的充电实测：使用智融SW6208 DEMO板搭配电芯给OPPO手机充电，ChargerLAB
2019-08-27 15:44:57
深圳展嵘电子有限公司有需要的上帝可联系小慧：***qq:1928349796 微信：hui2530312447智融继SW6106之后，再次推出一款高级成超级快充移动电源SOC芯片。该芯片具有全接口
2019-09-16 13:58:16
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
了自己的 Turbo Charge涡轮快充技术，而在今年Moto（被联想收购后改名）发布的Moto Z系列模块化手机上搭载了新一代的Turbo Power涡轮快充技术，其中Moto Z&
2016-12-26 20:42:31
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
深圳市展嵘电子有限公司有需要的老板欢迎骚扰梁东：***QQ：38839547ismartware智融继SW6106之后，再次推出一款高级成超级快充移动电源SOC芯片。该芯片具有全接口快充、全协议快充
2019-09-02 09:47:05
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
半导体（Navitas）今日市值也就9.4亿美元，而且包括了第三代半导体的另一重要组成部分、收购自GeneSiC的碳化硅业务（想要更多了解的读者可以参考《从纳微看半导体产业并购》）。仅有氮化镓业务
2023-03-03 16:48:40
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
：SOT23-6L LP35118V 20W-30W氮化镓快充专用同步整流IC 概述LP35118V 是一款高性能高耐压的副边同步整流控 制芯片，适用于 AC-DC
2022-05-30 10:31:43
供应XPD319BP36 36W和36W以内vooc快充协议芯片-支持OPPO VOOC2.0快充，广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 14:36:56
智融推出了一颗USB PD快充协议芯片SW2303，适用于单口USB PD快充及单口氮化镓快充产品中。据悉，除了USB PD快充协议之外，该芯片还可兼容QC、FCP、高低压SCP、AFC、SFCP
2022-07-29 16:46:40
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