iPhone12不再标配充电器快充电源芯片企业会因次有改变吗

　　据之前爆料，iPhone12将不再标配充电器。

　　消息一出，便在快充行业中引起不小的轰动，如果iPhone12新机取消标配充电器，势必将产生一个巨大的市场缺口，给整个快充行业上下游产业链带来极大利好。

　　爆料信息显示，在iPhone12取消标配充电器之后，手机包装盒的厚度将缩减为现有的一半，变得更加轻薄。

　　包装盒的内衬也将仅仅保留数据线位置，不再预留充电器的空间。

　　可以预见，在iPhone12取消标配充电器之后，市面上第三方USB PD快充充电器，尤其是入门级别的18W PD充电器，将进入销售的旺季，而作为18W PD快充的灵魂，内置MOS的快充电源芯片也将随之迎来出货的高光时刻。

　　通过拆解市面上热门的60余款18W PD快充充电器了解到，各大快充厂商往往更倾向于选择内置MOS的高集成电源方案，以此减少产品PCBA上元器件数量，降低系统成本、缩短产品开发周期、加速产品上市，抢占市场。

　　为了帮助广大工程师和快充厂商进行方案选型，我们统计汇总了一份适用于18W PD快充的高性价比电源方案列表，并整理了相关的方案的应用案例。

　　据充不完全统计，目前已有PI、东科、芯茂微、芯朋、美思迪赛、茂睿芯、硅动力等24家芯片品牌推出了116款内置MOS的电源芯片，包括内置MOS的初级芯片53款，以及内置MOS的次级芯片63款。下面就为大家分享各款芯片的应用案例。

　　AOS万国半导体

　　初级芯片：

　　1、AOS万国半导体AOZ7635

　　AOS万国半导体AOZ7635集成控制器和初级开关管，内置开关管导阻0.9Ω，耐压700V，内置逐周期电流限制，内建多重保护功能，采用增强散热的17-pin 6 x 6 QFN封装。

　　次级芯片：

　　1、AOS万国半导体AOZ7635

　　AOS万国半导体AOZ7648集成同步整流控制器和同步整流管，及反馈控制等多种保护功能。内置9mΩ低导阻 NMOS管用于同步整流，采用增强散热的38-pin 6×6 QFN封装。这款次级反馈IC并未采用常见的光耦反馈，而是采用了更加可靠的磁耦合传输技术，与Y电容平行的小板就是一个平板变压器。

　　APD SEMI矽力科技

　　初级芯片：

　　1、APD SEMI矽力科技AP205B

　　矽力科技AP205B是一款内置MOS外围简单高效的AC-DC芯片，有恒功率和恒压两种模式选择，2.4ohm，1.8ohm，0.9ohm三种内置mos供选择，很好的EMC特性，高压和低压的OCP一致性非常好，50mW以内的超低待机功耗，轻松通过欧洲六级能效，完美的保护功能。

　　次级芯片：

　　1、APD SEMI矽力科技AP405B

　　矽力科技AP405B是一款内置MOS外围简单高效的SR同步整流芯片，支持三种模式工作CCM/DCM/QR，无需辅助绕组，芯片高压自供电技术，使得AP405B完美支持输出电压低到3v，内置mos的驱动电压始终维持在9v，确保高效率工作， 外围最简单，可以正端接法或负端接法，外围仅需一个0.22uF电容，完美的保护功能，目前已经被飞利浦等很多品牌客户认可和量产。

　　CHIPHOPE芯茂微电子

　　次级芯片：

　　1、CHIPHOPE芯茂微电子LP20R100S

　　Chip-hop芯茂微的高性能副边同步整流驱动芯片LP20R100S，这款芯片适用于AC-DC的同步整流应用，适用于正激系统和反激系统，此外支持DCM，BCM，QR，和CCM多种工作模式，耐压100V，芯片内集成VCC供电。

　　Chipown芯朋微电子

　　初级芯片：

　　1、Chipown芯朋PN8160

　　PWM主控芯片采用的是芯朋微电子的PN8160，内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用，PCB背面露铜帮助散热。

　　2、Chipown芯朋PN8161

　　芯朋PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动功能。

　　芯朋PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

　　次级芯片：

　　1、Chipown芯朋PN8307H

　　芯朋PN8307H内置同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，电压降极低的功率MOSFET可以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。

　　芯朋PN8307H内置12mΩ60V耐压同步整流管，适用3.6V-20V常用适配器输出，适用于QC3.0适配器及其他固定电压输出的适配器。该芯片还集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。

　　CXW诚芯微

　　初级芯片：

　　1、CXW诚芯微CX7509

　　诚芯微CX7509芯片内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来减小待机时的功耗。并且芯片内置包括逐周期限流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过压保护（VDD OVP）、VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO）、过温保护（OTP）等在内的多种保护功能，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控制。

　　次级芯片：

　　1、CXW诚芯微CX7538

　　诚芯微CX7538是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHz 的开关频率应用，并且支持 CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。

　　诚芯微CX7538内置耐压高达85V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，可提供系统高达 3A 的应用输出;还内置了高压直接检测技术，耐压高达 200V;以及高达 30V 的供电电压，使得控制器可直接使用高至 24V 的输出电压整流应用中，极大扩展了使用范围。高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简单，在 QC 与 PD 5V/9V/12V 应用中，只需搭配 1 颗电容，即可构建一个完整的同步整流应用系统。

　　DONGKE东科半导体

　　次级芯片：

　　1、DONGKE东科DK5V85R15C

　　东科DK5V85R15C是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。

　　2、DONGKE东科DK5V100R15M

　　东科高性能两个引脚同步整流芯片DK5V100R15M。这是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。芯片采用SM-10封装。

　　3、DONGKE东科DK5V100R20C

　　东科DK5V100R20C是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。此外该芯片采用SM-7封装（兼容TO-277封装）。

　　4、DONGKE东科DK5V100R25C

　　东科DK5V100R25C是一款简单高效率的同步整流芯片，只有 A、K 两个引脚，分别对应肖特基二极管PN引脚。芯片内部集成了100V功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上同等规格的肖特基整流二极管。

　　Depuw德普微电子

　　初级控制器：

　　1、Depuw德普微DP2367

　　Depuw德普微高度集成、离线式电流模式控制功率开关DP2367，内置650V耐压MOS管。

　　JOULWATT杰华特

　　次级芯片：

　　1、JOULWATT杰华特JW7719A

　　杰华特JW7719A同步整流芯片，内置MOS，耐压100V，10mΩ导阻。

　　Lii力生美

　　初级芯片：

　　1、Lii力生美LN9T39HV

　　力生美LN9T39HV是一款高供电电压范围、高性能、高集成度电流模式PWM控制器功率开关，可以方便地在诸如PD/QC等宽输出电压变化范围的开关电源应用中构建满足CoC V5及DoE 6级能效的低待机功耗、低成本、高性能的解决方案。

　　次级芯片：

　　1、Lii力生美LN5S18

　　力生美LN5S18是高性能 SR 同步整流功率开关系列产品，产品内置超低 RdsON MOSFET，内置 TrueWareTM 技术，兼容 CCM/DCM/QR 等各种反激电源工作模式，内置 MOSFET 耐压更高达 80V，可在宽达 5~15V 的应用中实现理想二极管整流效果，是 USB Type-C PD 及 QC 快充等应用的极佳选择。

　　2、Lii力生美LN5S21A

　　力生美LN5S21A内置同步整流MOS和控制器，内置MOS耐压105V，导阻10mΩ，可以提高整机转换效率。

　　3、Lii力生美LN5S21B

　　力生美LN5S21B内置同步整流MOS和控制器，内置MOS耐压105V，导阻8mΩ，可以提高整机转换效率。

　　MERAKI-IC茂睿芯

　　次级芯片：

　　1、MERAKI-IC茂睿芯MK9173

　　茂睿芯的MK9173系列是一款高性能的同步整流功率开关，集成N沟道功率MOS，适用于隔离型的同步整流应用。尤其适用于充电器中需求高效率的场合，并兼容CCM、DCM和QR模式。此外MK9173X采用自主知识产权的自供电电路，可灵活的放置在输出正端或输出负端。放置在正端时，亦无需格外的辅助绕组。

　　MK9173的10ns关断延时以及高达4A的下拉电流帮助系统可靠工作于CCM 模式。其自主知识产权的开通及关断机制，可以最大化外驱MOSFET的导通时间以获得尽可能高的效率。并且自主检测DCM振铃，防止误开通。

　　2、MERAKI-IC茂睿芯MK1716

　　次级同步整流芯片采用茂睿芯MK1716，这款芯片集成了次级同步整流控制器和16mΩ/100V规格同步整流MOS。茂睿芯MK171X系列是一款高性能的同步整流功率开关，集成N沟道功率MOS，适用于隔离型的同步整流应用。尤其适用于充电器中需求高效率的场合，并兼容CCM、DCM 和QR模式。

　　MK171X采用自主知识产权的自供电电路，可灵活的放置在输出正端或输出负端。放置在正端时，亦无需格外的辅助绕组。支持10ns关断延时以及高达4A的下拉电流帮助系统可靠工作于CCM 模式。支持开通及关断机制，可以最大化外驱MOSFET的导通时间以获得尽可能高的效率，并且自主检测DCM振铃，防止误开通。

　　MicrOne微盟电子

　　1、MicrOne微盟电子ME8115

　　微盟ME8115，内置MOS。

　　On‐Bright昂宝次级芯片：

　　1、On‐Bright昂宝OB2004Ax

　　次级同步整流芯片采用昂宝OB2004Ax，其内置NMOS，支持3-12V输出，集成度高。

　　Power Integrations

　　初次级一体芯片：

　　1、PI SC1263K6

　　PI SC1263K6，苹果的定制型号。

　　2、PI SC1224K

　　PI SC1224K内置反激式控制器、初级开关管，以及次级测检测和同步整流控制器。

　　3、PI SC1548C

　　PI SC1548C内置反激式控制器、初级开关管，以及次级测检测和同步整流控制器，内置带HIPOT隔离保护的集成反馈链路，集成度非常高。

　　4、PI SC1702C

　　PI PWM主控芯片SC1702C，内部集成控制器，开关管和同步整流控制器。

　　5、PI SC1933C

　　PI SC1933C属于PI InnoGaN 系列，这个是PI推出的首款GaN电源产品，标志着GaN元件在USB PD快充电源上得到全面应用，其高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量，更加便于携带。

　　6、PI SC1936C

　　PI SC1936C是PI最新发布的内置氮化镓功率器件的PowiGaN主控芯片，宽电压范围下，适配器壳体中最大75W连续功率。

　　7、PI INN2215K

　　PI INN2215K是离线CV/CC反激开关集成电路，集成了650V MOSFET，Sync-Rect反馈和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布图，大大简化了低压大电流电源特别是小尺寸和高效率电源的开发和制造，可用于最大20W的充电器应用。

　　8、PI INN3265C

　　PI的电源主控芯片INN3265C内置了控制器，开关管以及次级同步整流控制器，集成度高，可用于最大22W的充电器应用。

　　9、PI INN3266C

　　充电器主控芯片来自PI的初级主控芯片，型号INN3266C，其内置了控制器，开关管，次级同步整流控制器，集成度高，可用于最大27W的充电器应用。

　　10、PI INN3268C

　　PI INN3268C片内置了PWM主控、高压MOSFET以及次级同步整流控制器以及反馈电路等，无需光耦，外围简洁，可用于最大50W的充电器应用。

　　Reactor-Micro亚成微

　　初级芯片：

　　1、Reactor-Micro亚成微RM6715S

　　初级PWM主控芯片采用亚成微RM6715S，这是一种自供电双绕组离线式开关电源管理芯片，内置高压 MOSFET及电流模式 PWM+PFM 控制器， 满足六级能效标准。同时，RM6715S内置高压启动电阻，专利技术为VCC供电，无需外部辅助绕组，节约设计成本。

　　RM6715S芯片内置多种工作模式，在轻载情况下，芯片进入Burst mode模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率;在待机模式下，电路进入打嗝模式，有效降低电路的待机功耗。内部集成斜坡补偿模块，有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。此外，芯片内部还集成多种异常状态保护功能，在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测， 异常解除，恢复正常输出。

　　次级芯片：

　　1、Reactor-Micro亚成微RM3403SH

　　亚成微RM3403SH内部集成同步整流MOS管，集成度同样很高，并支持DCM、CRCM、CCM和准谐振等多种工作模式。

　　Silan士兰微电子

　　初级芯片：

　　1、Silan士兰SDH8666Q

　　士兰SDH8666Q是士兰微电子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，导阻0.55Ω，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等，此前充电头网已经对该款芯片进行相关报道。

　　Si-Power硅动力

　　初级芯片：

　　1、Si-Power硅动力SP6638HF

　　Si-Power硅动力的高性能、低功耗开关电源控制芯片SP6638HF，内置初级开关MOS，用于功率在18W以内的方案。SP6638HF是国内首款内置MOS支持恒功率模式的18W快充芯片，采用行业领先的3D封装技术。配套同步整流芯片SP6518F：内置80V/10mΩ低压MOS，带自供电工作模式，完美支持PPS。

　　2、Si-Power硅动力SP6648HF

　　PWM主控芯片采用无锡硅动力SP6648HF，这是一颗电流模式PWM控制芯片，其内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。SP6648HF在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。

　　次级芯片：

　　1、Si-Power硅动力SP6518F

　　Si-Power硅动力同步整流芯片SP6518F。这是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。

　　芯片可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。

　　总结

　　苹果目前已有10款支持USB PD快充的手机，其中8款尚未标配18W快充套装，现有市场对18W快充的需求本就比较旺盛。随着iPhone12不再附赠充电器，第三方18W快充的销量将迎来新一轮增长。

　　目前18W USB PD快充方案已经十分成熟，并且还可以兼容多种其他快充协议，完全具备了取代传统充电器的能力。而在原来越多的中低端机型中，18W PD快充技术也逐渐成为手机的标配，市场潜力巨大。

　　对18W PD快充电源芯片而言，高集成设计已经成为市场的发展趋势，而具备高集成度AC-DC电源芯片供应能力的芯片厂商优势也逐渐凸显。

　　从了解到的数据来看，目前在18W PD快充这个品类，内置MOS方案和分离器件方案各占据了一半的市场份额。

　　因此，最重要的是，这对内置MOS芯片的厂商来说是一个好消息，仍有巨大的市场有待开发，其中也蕴藏了无限商机。