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电子发烧友网>电源/新能源>ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

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2023-02-08 13:43:211381

ROHM SiC-MOSFET的可靠性试验

本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHMSiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860

低边SiC MOSFET导通时的行为

本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301

低边SiC MOSFET关断时的行为

通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335

采用4引脚封装SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFETSCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFET采用4引脚封装。此次共推出6款机型(650V耐压和1200V耐压)。
2023-02-09 10:19:221217

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331

采用4引脚封装的原因

ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。
2023-02-16 09:55:04931

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784

ROHMSiC MOSFETSiC SBD成功应用于APEX Microtechnology的工业设备功率模块系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

ROHM | SiC MOSFETSiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

​ 全球知名半导体制造商ROHMSiC MOSFETSiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14353

罗姆ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243

ROHM开发出一款采用高速负载响应技术QuiCur™的45V耐压LDO稳压器

近日ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”,是采用ROHM高速负载响应技术“QuiCur”的45V耐压LDO稳压器,
2024-03-06 13:50:21132

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