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ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

2019年09月24日 14:39 次阅读

  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。

  ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

  此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

  另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

  本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起,不含税)。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。此外,本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售,可从AMEYA360、icHub购买。

  近年来,随着AIIoT的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

  2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

  <特点>

  采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

  在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。

  此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

 

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

  <产品阵容>

  SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

  <应用>

  服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

  <评估板信息>

  SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品,还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。

  开始销售时间    2019年9月

  评估板型号       P02SCT3040KR-EVK-001

  网售平台          AMEYA360、icHub

  支持页面          https://www.rohm.com.cn/power-device-support

  评估板的构成

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

  <术语解说>

  ※1 沟槽栅结构

  沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

  ※2 电感分量

  表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。

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6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...
发表于 2019-07-29 20:02 52次阅读
NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

NCV1034 AEC Qual - 100...

4是一款高压PWM控制器,专为高性能同步降压DC-DC应用而设计。 NCV1034采用高达500 kHz的可编程开关频率驱动一对外部N-MOSFET,可灵活调整IC的工作,以满足系统级要求。外部同步功能允许简化系统级过滤器设计。对于低压应用,可以使用内部1.25 V基准电压精确调节输出电压。提供欠压锁定和打嗝电流限制等保护,以便在发生故障时提供所需的系统级安全性。 特性 优势 输入电压高达100V + 48V或+ 60V输入使用的宽输入电压 2输出驱动能力 能够使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反温电压 整个温度范围内的系统级精度优异 外部频率同步 能够同步到外部频率或输出同步脉冲 可编程切换频率高达500 kHz 效率和尺寸优化 AEC-Q100合格 中压DC-DC系统 应用 终端产品 48 V非隔离式DC-DC转换器 汽车高压DC-DC转换器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 20:02 173次阅读
NCV1034 AEC Qual  -  100...

NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 20:02 244次阅读
NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 20:02 171次阅读
NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制...

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 2019-07-29 19:02 185次阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制...

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 2019-07-29 19:02 264次阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 19:02 39次阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 2019-07-29 19:02 35次阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级...

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 2019-07-29 19:02 33次阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级...

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应...

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 19:02 58次阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应...

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 2019-07-29 19:02 62次阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 2019-07-29 19:02 46次阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节...

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 2019-07-29 19:02 26次阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节...

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 18:02 29次阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 2019-07-29 18:02 258次阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 17:02 33次阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 2019-07-29 17:02 30次阅读
NCP3030 同步PWM控制器

第三代半导体领域再添新秀——北方华创新一代SiC...

随着电动汽车、5G通信、高速轨道交通、新能源、智能电网等领域的不断发展,市场对功率、射频器件的性能提....
发表于 2019-07-26 11:18 982次阅读
第三代半导体领域再添新秀——北方华创新一代SiC...

三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这...

7月23日,2019英飞凌电源管理研讨会在深圳盛大开幕,英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级....
发表于 2019-07-25 17:04 3793次阅读
三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这...

UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中...

美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布....
发表于 2019-07-25 11:44 194次阅读
UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中...

行业 | 全SiC模块正在加速,SiC功率器件走...

安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
发表于 2019-07-25 08:50 1160次阅读
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ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车...

RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品(样品价格 100日元/个,不含税),预计于2019....
发表于 2019-07-24 16:13 839次阅读
ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车...

Maxim发布新型LED驱动器,内置MOSFET...

MAX25610A/B内置MOSFET,效率高达90%并符合CISPR 25 EMI要求
发表于 2019-07-23 14:41 493次阅读
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SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商...

宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅(SiC)正处于大力扩张之时,供应商都在努力满足SiC功率....
发表于 2019-07-19 16:59 5315次阅读
SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商...

MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

产能已满,有事排队
发表于 2019-07-19 10:00 745次阅读
MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

ROHM的汽车车载LED技术介绍

ROHM的最大优势在于,能够进行全面而严格的品质管理并利用垂直统合型生产体制(从元件制造阶段开始就严....
发表于 2019-07-18 08:40 134次阅读
ROHM的汽车车载LED技术介绍

为什么SiC业务可能成为Cree最大增长动力?

半导体制造商科锐(Cree)一直在稳步减少对竞争和商品化照明市场的依赖,同时转向其Wolfspeed....
发表于 2019-07-16 16:41 4501次阅读
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儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET ...

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,....
发表于 2019-07-15 16:37 296次阅读
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What ?55页PPT就把Mosfet从入门到...

收藏
发表于 2019-07-15 09:58 2462次阅读
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MOSFET栅极电压对电流的影响

FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。沟道是由(是否)加在栅极和源....
发表于 2019-07-12 17:50 833次阅读
MOSFET栅极电压对电流的影响

扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

在不久前的一场罗姆SiC产品分享会上,笔者详细了解了SiC产品在功率器件中的比较优势,以及该公司在S....
发表于 2019-07-12 17:35 4443次阅读
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ROHM开发出节能优势显著的升降压型DC/DC转...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备,开发出一款....
发表于 2019-07-11 17:35 248次阅读
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根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,....
发表于 2019-07-06 09:48 998次阅读
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碳化硅(SiC)功率器件发展现状

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预....
发表于 2019-07-05 11:56 4077次阅读
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英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产...

英飞凌以“我们赋能世界”为主题,在展会上展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产....
发表于 2019-07-03 18:47 206次阅读
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常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技...

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通....
发表于 2019-07-03 16:26 289次阅读
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SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

电动汽车推动了SiC功率半导体市场,但成本仍然是个问题。
发表于 2019-07-03 14:37 1294次阅读
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功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂...

自2018年开始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售价(ASP)持续上升,其中以工....
发表于 2019-07-02 16:42 943次阅读
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英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器....
发表于 2019-07-02 16:33 911次阅读
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如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏...

在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过....
发表于 2019-07-02 11:24 1542次阅读
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IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比....
发表于 2019-06-29 09:44 1036次阅读
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行业 | 英飞凌SiC占比充电桩市场份额超过五成

全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场......
发表于 2019-06-27 15:31 811次阅读
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Power Integration推出高度灵活的...

可立即使用的SCALE-iFlex系统轻松支持四个模块并联;出厂涂覆三防漆可极大增强可靠性。
发表于 2019-06-27 09:09 205次阅读
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MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robu...

哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻,提高Robust增加一个电容。
发表于 2019-06-26 14:33 196次阅读
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功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍...

据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估,汽车,电气设备,信息和....
发表于 2019-06-25 11:22 4340次阅读
功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍...

国内SiC距离大规模量产还差“东风”吹来

SiC优越的半导体特性,未来将可为众多的元件所采用。
发表于 2019-06-25 11:14 672次阅读
国内SiC距离大规模量产还差“东风”吹来

SiC功率器件加速充电桩市场发展

随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器....
发表于 2019-06-18 17:24 239次阅读
SiC功率器件加速充电桩市场发展

MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响,实际在考虑工艺相关因素后都是比较复....
发表于 2019-06-18 17:19 640次阅读
MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

MOSFET开通时间和关断时间定义

电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原....
发表于 2019-06-18 16:49 1035次阅读
MOSFET开通时间和关断时间定义

MOS管参数及含义说明

 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十....
发表于 2019-06-18 16:01 556次阅读
MOS管参数及含义说明

光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来....
发表于 2019-06-16 09:56 1582次阅读
光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块...

虽然工业市场规模庞大,然而却高度碎片化,要像吃下这块“肥肉”并不那么容易。为了能顺利吃到肉,2019....
发表于 2019-06-14 20:29 4124次阅读
亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块...

干货 | 一文了解 SiC/GaN 功率转换器驱...

基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始....
发表于 2019-06-13 11:45 985次阅读
干货 | 一文了解 SiC/GaN 功率转换器驱...

CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系 共...

高温半导体解决方案供应商CISSOID日前宣布:公司已与中国科学院电工研究所(简称中科院电工所)达成....
发表于 2019-06-10 14:10 634次阅读
CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系 共...

ROHM新发布具有内置自我诊断功能的电源监控IC...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向ADAS(高级驾驶辅助系统)和自动驾驶用的传感器....
发表于 2019-06-09 16:30 248次阅读
ROHM新发布具有内置自我诊断功能的电源监控IC...

在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET...

在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这....
发表于 2019-06-04 10:09 667次阅读
在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET...

SiC和GaN对传统Si功率电子的影响

由于半导体制程的不断精进,数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高,运算力不断增强,使运算的取得愈来愈便宜,....
发表于 2019-05-30 17:08 672次阅读
SiC和GaN对传统Si功率电子的影响

ROHM的车载LED技术应用

LED在各个领域中的应用已经司空见惯,在汽车领域也不例外,作为刹车灯、车速表等指示灯光源,LED的应....
发表于 2019-05-30 16:47 800次阅读
ROHM的车载LED技术应用

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压I...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101....
发表于 2019-05-29 15:15 1057次阅读
满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压I...