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电子发烧友网>电源/新能源>意法半导体600V三相智能关断栅极驱动器 稳健性居业内最先进水平

意法半导体600V三相智能关断栅极驱动器 稳健性居业内最先进水平

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请问一下怎样去设计一种三相无刷电机驱动器

怎样去设计一种三相无刷电机驱动器?如何对三相无刷电机驱动器进行仿真?
2021-07-21 06:21:27

采用半桥设计的500V600V高压集成电路

  国际整流公司推出一系列新一代500V600V高压集成电路(HVIC)。这19款新型HVIC采用半桥设计,配有高端和低端驱动器,可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示
2018-08-31 11:23:15

重庆大学研制出国内先进水平的光纤传感

  光纤传感可埋入高达250℃以上的地层深处,监测数百公里范围内的地震波以及地质板块的运动情况,并及时发出信号预警,提高地震监测的水平。市科委昨日传出消息,重庆近日研制出具有国内先进水平的光纤
2018-11-15 16:30:14

降低三相IGBT逆变器设计系统成本的方法

(PWM)控制输出电压。三相逆变器还使用6个隔离式栅极驱动器驱动IGBT。除了IGBT和隔离式栅极驱动器三相逆变器还含有直流母线电压感应、逆变器电流感应与过热、过载和接地故障等IGBT保护。在暖通空调
2018-08-29 15:10:42

飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC

飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01

PT5616A 三相600V栅极驱动器IC

产品说明:这些器件是全桥驱动器,用于控制最大阻断电压为+600 V三相系统中的功率器件,如MOS晶体管或IGBT。六个独立的驱动器控制在低端使用CMOS和LSTTL兼容信号,低至3.3V逻辑。该装
2022-08-18 14:55:31

三相600V栅极全桥驱动IC-PT5616/PT5616A

产品说明:PT5616/PT5616A是全桥驱动IC,在最大阻断电压为600V三相系统中,用于控制功率器件,如MOS晶体管或IGBT。当低至3.3V逻辑电压时,六个独立驱动器在低侧使用CMOS
2023-02-27 14:15:03

三相/半桥IGBT MOSFET驱动

   TF2136M是一种三相栅极驱动器IC,设计用于高压、高速应用,驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50

三相/半桥IGBT MOSFET驱动TF21364M-TLH

   TF21364M是一种三相栅极驱动器IC,设计用于高压、高速应用,驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF21364M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:59:30

三相/半桥IGBT MOSFET驱动TF23892M-TLH

   TF23892M是一种三相栅极驱动IC,设计用于高压、高速应用,驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF23892M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 11:14:43

三相/半桥IGBT MOSFET驱动

   TF1388M/TF2366M/TF2388M是一种三相栅极驱动IC,设计用于高压三相应用,在半桥配置中驱动n通道模块和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2388M高侧
2023-07-04 11:38:27

IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC

IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC    美国国际整流器公司(IR)上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876

IR推出600V车用栅极驱动芯片AUIRS2332J

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC,适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
2011-10-21 09:45:211669

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下 开关功率MOSFET与IGBT

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402

意法半导体推出一款新的单路电气隔离栅极驱动器,具有独立的导通/关断输出

意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。
2018-08-04 09:20:00826

600V三相栅极驱动器加速三相电机的应用

三相驱动器(如三相600V单芯片栅极驱动器STDRIVE601)的易用性、可用性和经济性是这一发展的主要原因所在。STDRIVE601具有稳健性、简单性和节省成本的特点,同时可确保系统受保护并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694

Vishay VOMDA1271汽车级光伏MOSFET集成关断电路

业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路,典型关断时间为 0.7ms,在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此外,VOMDA127 的导
2023-06-08 19:55:02374

Vishay VOMDA1271汽车级光电压输出光耦,用于MOSFET开关,集成关断电路,提升应用性能

和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路,典型关断时间为 0.7ms,在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此
2023-06-09 10:10:01426

600V三相MOSFET/IGBT驱动器

电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500

意法半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578

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