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电子发烧友网>电源/新能源>开关损耗测量中时间偏移对测量结果的影响分析

开关损耗测量中时间偏移对测量结果的影响分析

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2021-12-15 15:22:40416

开关电源的八大损耗(2)

3、开关动态损耗   由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗,器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间,也称作死区时间,在这个过程中会产生
2022-01-07 11:10:270

开关电源功率MOSFET开关损耗的2个产生因素

开关过程中,穿越线性区(放大区)时,电流和电压产生交叠,形成开关损耗。其中,米勒电容导致的米勒平台时间,在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21:00978

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-传统的MOSFET驱动方法

MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来,发现有一种方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634

IGBT导通损耗开关损耗

从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受:导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子:可知,六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915

DC/DC评估篇损耗探讨-同步整流降压转换器的开关损耗

上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗开关损耗:见文识意,开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49622

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28493

晶体三极管的开关时间测量

晶体管开关时间测量可以通过使用一个时间计数器来实现,可以通过设置一个起始时间和一个结束时间,然后计算两者之间的时间差来测量晶体管的开关时间
2023-02-24 16:20:252909

异步降压转换器的导通开关损耗

MOSFET的栅极电荷(米勒电容)以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。
2023-03-10 09:26:35556

MOS管的开关损耗计算

CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51:224668

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333

如何对示波器电压探头和电流探头进行偏移校正

使用电压探头和电流探头等不同类型的示波器探头进行测量时,对探头进行偏移校正是十分必要的。 图1 Keysight U1880A 偏移校正夹具 偏移校正十分重要,因为对于开关损耗测量,晶体管开关打开
2024-02-04 11:31:30311

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