）。 暂态输出电压变化如图5所示，当负载电流从0~30 mA瞬态变化时，输出电压变化最大仅为9 mV. 4 结语 本文给出了一种低电压1.14 V、低静态电流1.7 μA 的LDO,通过将带隙基准电压源
2018-09-26 14:37:26
1、引言光子带隙(photonic Bandgap-PBG)结构，又称为光子晶体(photonic Crystal)，它是一种介质材料在另一种介质材料中周期分布所组成的周期结构。尽管光子带隙最初
2019-06-27 07:01:22
任意大小的基准电压。本文提出一种新的电流模带隙结构并采用一阶温度补偿技术设计了一种具有良好的温度特性和高电源抑制比，并且能快速启动的新型BiCMOS带隙基准电路。该电路结构简单且实现了低输出电压的要求。
2019-07-12 07:36:42
大家有谁设计过40v的电压基准源提供点帮助吧先谢谢了在这里
2013-12-10 19:19:40
附件基准电压源 电流检测和电流源.rar1.0 MB
2018-10-17 15:23:22
基准电压源通常是噪声的主要来源，这样做可能会非常有效。 图 8. 带 RC 滤波的基准电压源 选择基准电压源时的一些其它重要考虑因素包括初始精度和温度漂移。初始精度以%或 mV 为单位。许多系统允许
2020-04-14 07:00:00
高分辨率、逐次逼近型 ADC 的整体精度取决于精度、稳定性和其基准电压源的驱动能力。ADC基准电压输入端的开关电容具有动态负载，因此基准电压源电路必须能够处理与时间和吞吐速率相关的电流。某些ADC
2021-03-16 12:04:19
一点，因为老化速率通常在经过前几千小时之后会有所降低。 因此，得到一个约14位的图。 基准电压源输出架构的两种基本类型是串联和分流。 分流基准电压源类似于齐纳二极管，它具有两个引脚，以固定电压吸取
2016-01-25 10:58:27
概述：REF191是一款精密带隙基准电压源芯片，它采用专利的温度漂移曲率校正电路，激光微调高度稳定的薄膜电阻，以实现非常低的温度系数和较高的初始精度。REF191采用SOIC、TSSOP及DIP8脚封装工艺；...
2021-04-13 06:00:16
概述：REF198是一款精密带隙基准电压源芯片，它采用专利的温度漂移曲率校正电路，激光微调高度稳定的薄膜电阻，以实现非常低的温度系数和较高的初始精度。REF198采用SOIC、TSSOP及DIP8脚封装工艺；...
2021-04-14 07:34:35
带隙基准是什么？带隙基准的功能工作原理是什么？带隙基准的结构是由哪些部分组成的？
2021-06-22 08:14:04
带入计算得到R大小为9.96KΩ进行DC仿真，发现电流有偏差，调节R=15K欧姆，得到电流大小为10.07u对其进行VDD从3.5-5V和温度从-40-120℃的直流扫描，仿真图如图随温度变化浮动巨大，同时随电压改变电流不能很好的稳定。
2021-12-30 08:15:23
最近在做一个项目，就是带隙中运放的前后仿真不一致 。后仿真（NO RC）的时候出现的SA SB参数和前端仿真中的SA SB 参数不同。如果将后端网表的SA SB 参数改成前仿真默认参数，与前仿真
2021-06-25 08:07:33
这是带隙基准仿真波形。这款带隙基准用于RFID芯片中，当整流出来为周期性波动电压时，供给带隙后，带隙输出也会发生周期性抖动。在单仿带隙时，DC仿真和瞬态仿真都没有问题，可以稳定输出。但是如果瞬态加
2021-06-25 07:27:47
标准的带隙基准，输出电压约为1.2V，10ppm左右。设计好，接入电路中，瞬态仿真，输出电压波形为以1.2V为直流，类似100MHz频率的20mv峰值正弦波做周期等幅振荡，可能的原因是什么。
2011-12-07 14:43:44
基准电压源是工艺、电源电压、温度变化时能够提供稳定输出电压的电路。基准电压源广泛应用于数据转换器、智能传感器、电源转换器等电路。
基准电压源设计的要点是精度高，温度漂移小，带隙基准电压源利用硅的带隙
2023-09-08 17:56:48
本帖最后由 萆嶶锝承鍩じ☆ve 于 2018-4-8 18:13 编辑
电压基准芯片的分类 根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。稳压管电压基准的基准
2018-04-08 17:19:22
你知道么，LT1461 和 LT1790 微功率低压降带隙电压基准的过人之处不仅在于温度系数 (TC) 和准确度，还在于长期漂移和迟滞（因为温度的周期性变化而引起的输出电压漂移）。有时被其他制造商所
2019-08-02 06:36:09
操作理论 AD1580使用带隙概念来产生一个稳定的、低温度系数的电压基准，适用于高精度数据采集组件和系统。该器件利用了硅晶体管基极发射极电压在正向偏置工作区的基本物理特性。所有此类晶体管的温度系数
2020-07-15 10:06:46
请教大家, N76E616 内部带隙电压的存储参数如何读取?
2023-06-25 11:04:36
1. 看了V1.04的芯片手册,但是没看到 芯片内部带隙电压的出厂校准值 的存储地址, 请问如何读出带隙电压值？
2. 我将芯片内存存储器都用作APROM区，请问我将最后1K区域当做EEPROM来存储参数，要如何操作？ 这个内部APROM区域大概可以重复写入多少次内？
2023-06-27 06:20:00
最近diy制作一个USB电源电流表，使用的N76E003单片机，液晶屏显示部分程序，也弄好了，就差adc采样了，想利用内部带隙电压计算外部电压值，不知道怎么计算，读取UID最后两个字，值为1663
2023-06-16 07:32:22
基准电压源有很多形式并提供不同的特性，但归根结底，精度和稳定性是基准电压源最重要的特性，因为其主要作用是提供一个已知输出电压。相对于该已知值的变化是误差。为什么需要基准电压源？
2019-07-30 07:40:43
什么是基准电压源？看到了论坛有电压源的贴子，想问下什么是基准电压源？求大虾指教啊
2011-12-27 13:48:15
传统带隙基准源有哪些基本原理？什么样的基准源电压才能满足普通应用要求？
2021-04-07 06:52:08
如图所示,
问题1中文数据手册第一页框图中的Band Gap REF是指芯片的4.096V内置基准参考原吗？
问题2.中文数据手册第4页，内部基准电压源参数描述中，REFIN输出电压2.3V怎么理解？为什么是该电压值，而不是4.096V呢。根据注释6内容“内部带隙基准电压源的输出”。
2023-12-04 08:26:10
看了关于能带隙基准源的的介绍，其原理是利用了正温度系数的电压产生器和具有负温度系数的电压，从而得到具有零温度系数的基准电压。
第一张图是基本原理图，用左边电流控制右边电流，但是书上说左右两个晶体管
2024-01-27 11:56:26
使用具有1.2外部带隙基准的TC7116模数转换器的典型应用（VIN- 与通用相连）
2019-07-26 08:35:49
M0518 ADC的内部带隙电压是指什么？
2018-10-16 09:53:21
大家好，我有一个问题，配置PIC18F85 J94ADC。在第22.3.2页中，从PIC18F97 J95家庭数据表中得知，内部带隙基准电压可用于ADC正基准电压。然而，在寄存器描述中没有提到这样
2019-01-29 06:04:01
一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准
2018-10-09 14:42:54
一个可行的方法实现与温度无关的电压基准可调带隙基准电压电路分析及仿真
2021-04-08 06:59:00
带曲率补偿的带隙基准源的原理是什么？它与传统带隙基准源相比有何不同？
2021-04-09 06:35:43
如果我们可以确定带隙电压和对应的ADC原始数据那么我们就可以通过比例运算知道VCC，因为满量程对应的就是VCC，也就是0x0FFF对应VCC
即VCC:0xFFF=带隙电压：带隙电压ADC
2023-06-25 08:18:31
如何去选择基准电压源？为什么参数差的基准反而可能更好？
2021-05-08 07:39:12
最近在做带隙基准源，用到AMP钳位电压，使俩点电压一致，拉杂为没讲用到的AMP要有什么要求？但看到资料的电路基本都是单级AMP，想问下大大们，这个AMP钳位电压原理就是虚短虚断么？（如果是要求增益应该很大啊），还有那些要求？第一次发帖，小弟先谢了。
2022-06-15 10:26:32
带隙基准源原理是什么？双极带隙基准电路的实际电路结构是怎样构成的？怎样对双极带隙基准电路进行仿真测试？
2021-04-21 06:20:19
带隙基准电压源工作原理是什么？一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计
2021-05-08 06:38:57
1，通过MS51FB9AE带隙电压（Band-gap）能反推出电源电压，2，MS51FB9AE带隙电压（Band-gap）比较低，1.17V ~ 1.27内3，如果我要侦测比较低的电压（如50mV
2022-05-11 14:31:55
本文对电压基准源引起的ADC系统的DNL误差进行了建模分析，提出了一种采用二阶曲率补偿技术的电压基准源电路，该电路运用低噪声两级运放进行箝位，同时在采用共源共栅电流镜技术的基础上加入了PSR提高电路。
2021-04-20 06:51:42
电源电压变化时，带隙基准的输出发生跳变，怎么减小带隙基准的过冲？谢谢
2021-06-24 06:46:07
精密基准电压源芯片中的“初始电压精度”是什么意思？例如ADR06的初始精度：±0.1%
2023-11-23 06:13:31
参考电压源（又称基准电压源）是电子仪器仪表中的基本部件，是精密测量系统中一种基本单元。过去都采用温度补偿的齐纳二极管组成的参考电压源。目前都使用集成电路工艺制作的能隙式精密电压源MC1403。
2021-04-27 07:44:25
ADC片上集成基准电压源和基准电压源缓冲器，但这类器件在功耗或性能方面可能并非最佳--通常使用外部基准电压源电路才可达到最佳性能。本文提出了一种基准电压源电路的设计方案。 基准电压输入 逐次逼近型
2018-09-27 10:57:26
可能会非常有效。 图8. 带RC滤波的基准电压源 选择基准电压源时的一些其它重要考虑因素包括初始精度和温度漂移。初始精度以%或mV为单位。许多系统允许校准，因此初始精度不如漂移那么重要，而漂移
2018-09-27 10:29:41
请问仿真一个运放的输入失调电压是不是要做MC分析啊用在带隙基准中的运放，对于带隙基准的性能要求：-40~130温度扫描，输出电压偏离小于3mv，电压精度小于1mv，这样的性能要求输入失调电压为多少？几mv吗，还是小于1mv？
2021-06-24 06:28:08
最近diy制作一个USB电源电流表，使用的N76E003单片机，液晶屏显示部分程序，也弄好了，就差adc采样了，想利用内部带隙电压计算外部电压值，不知道怎么计算，读取UID最后两个字，值为1663
2023-08-30 06:43:07
什么是带隙电压？
2020-12-23 07:27:58
如何实现低电压带隙基准电压源的设计？传统带隙基准电压源的工作原理是什么？低电源带隙基准电压源的工作原理是什么？
2021-04-20 06:12:32
如何读取实际N76E003带隙电压？
2020-12-22 06:30:34
为什么要设计一种新型电压基准电路？怎样去设计一种新型电压基准电路？
2021-04-22 06:37:20
各位大神，请问有没有做过cadence的CMOS带隙基准电路设计，或者CMOS四运算放大器设计（LM324），求各位帮帮忙，我快山穷水尽了
2020-05-17 23:32:07
选择最佳的电压基准源
2012-08-14 15:02:51
公司用LM4040C25做模拟电压采集基准源（电压采集电路如下），在按DO-160G做CS/RS时，在200-300MHz时，电压采集值跳动比较厉害（试验时已测基准电源确实跳动了）。能不能换一个基准源，但换一个电压基准源，会不会产生同样的问题，请问大侠们有什么解决方案？
2016-12-15 14:37:00
本文通过结合LDO与Brokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7.5 ppm，适用于
2018-10-10 16:52:05
（-40~80℃）内，其温度漂移系数为6.12 ppm/℃，满足高精度基准电压源的设计要求。 4 结 语 在此，基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，采用一阶温度补偿作为基准电压补偿，提出一种
2018-11-30 16:38:24
），没有加电容，就参照上面的电路设计了。让我们再进一步的看一下REF50XX系列bandgap基准源的内部，如下图，芯片内部有一个1.2V的带隙基准，和一个用于设置精确输出电压的放大器。这两个就是基准
2019-06-11 06:59:08
设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路，该基准电压源主要用于线性稳压器。在CSMC 0.6um工艺条件下，使用CADAENCE SPECTRE仿真工具进行仿真可得温度在20C～80C变化时，其输
2009-08-17 10:10:02
17 本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS 带隙基准电压源，供电电源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工艺。Spectre 仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～+80℃时，温度系数为45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327 LTC6655是一款完整的精密带隙基准电压源系列，提供出色的噪声和漂移性能。此低噪声和漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备要求的高分辨率测量。此外，LTC6655的额定温度范围为–40°C至125°C
2023-06-25 10:41:49
ADR365分别是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密带隙基准电压源，具有低功耗和高精度，采用紧凑的TSOT封装。ADR360
2023-06-25 14:50:33
，可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源
2023-06-26 13:37:14
ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET®基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流
2023-06-26 15:29:55
ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET®基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括
2023-06-26 15:33:05
AD780是一种超高精度带隙基准电压源，可以利用4.0 V至36 V的输入提供2.5 V或3.0 V输出。它具有低初始误差、低温度漂移和低输出噪声特性，并能驱动任意大小的电容，因此AD780适合
2023-06-26 17:22:27
AD680是一款带隙基准电压源，可以利用4.5 V至36 V的输入提供2.5 V输出。它采用的架构使之能以极低的静态电流工作，同时实现出色的直流特性和噪声性能。通过对高度稳定的薄膜电阻调整，可获得
2023-06-26 17:46:09
其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。
2023-06-26 17:55:20
其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该
2023-06-27 09:15:51
LT®1019 是一款第三代带隙电压基准，其运用了薄膜技术和一种大幅改善的曲率校正方法。该器件结合了基准和输出电压的晶圆级修整，以提供非常低的温度系数 (TC) 和严紧的初始输出电压容限
2023-06-27 09:25:34
本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源，供电电源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工艺。Spectre仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～+80℃时，温度系数为45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:3641 摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益
2010-10-18 01:17:2556 基准电压源电路作为模拟集成电路不可缺少的模块，对其进行分析和研究具有重要意义。本文通过Hspice对四种MOS管基准电压源电路进行仿真，给出了电路图、电路参数和仿真结果。
2011-08-11 10:24:17
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