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1引脚排列与名称、功能及用法 M57957L与M57958L均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装。其外形和引脚排列如图1所示，各引脚的名称、功能及用法可参见表1所列。 2内部结构及工作原理简述 M57957L与M57958L的内部结构和工作原理如图2所示。由图可知，它们的内部集成有光耦、接口及功放单元。其工作原理可简述为：来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通，接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出，驱动功率IGBT模块导通。在驱动信号为低电平时光耦截止，此时接口电路输出亦为低电平，功放输出级PNP晶体管导通，给被驱动的功率IGBT栅?射极间施加以反向电压，使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。
表1M57957L/M57958L的引脚说明
图1M57957L/M57958L的引脚排列示图 （原图，未做格式转换）
图2M57957L/M57958L的内部结构及工作原理图
图3M57957L与M57958L的典型应用接线图
图4M57957L与M57958L的典型工作波形 3?1主要设计特点 （1）功耗较小，可以采用密集型的单列直插式厚 膜电路封装； （2）单电源工作，供电极为简化； （3）外接串联电阻可输入CMOS信号，输入信号 与TTL电平兼容； （4）内置高速光电耦合器，可隔离2500V、50Hz 的交流电压。 3?2极限参数、电参数及推荐工作条件 M57957L与M57958L的极限工作参数如表2所列。 表2M57957L/M57958L的极限参数(Ta=25°C)
4应用技术 M57957L与M57958L的上述结构和原理，决定了它可以用于单管IGBT模块的驱动中。图3给出了这种应用的典型接线图，图4给出了其典型工作波形。 表3M57957L与M57958L的电性能参数(Ta=25°C、VCC=15V、VEE=－10V)
应注意的是,栅极串联电阻Rext的值应与在有关IGBT模块数据表中推荐的栅极电阻值相同。 5结语 M57957L/M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器，所以可对被驱动的IGBT模块实现可靠的驱动。M57957L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在100A以内的IGBT模块；而M57958L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在400A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块。它们均采用双电源驱动技术，输入信号与TTL电平兼容，且采用单列直插式厚膜集成电路封装。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路
- 驱动器(142547)
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LED驱动器集成电路未来将会如何发展
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2020-03-25 15:45:28921
921TM8273栅极驱动器集成电路资料
TMI8723是一款专为H桥驱动器应用而设计的栅极驱动器集成电路。它能够驱动由四个高达40V的N沟道功率MOSFET组成的H桥。TMI8723集成了一个可调节的电荷泵来产生栅极驱动功率，峰值和源极电流可以是500mA和250mA。同时，TMI8723可以通过引脚VDS设置过电流点的值。
2023-04-20 15:00:31
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工商网监
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