存储技术
国产铁电存储芯片PB85RS2MC在流量检测装置中的应用
所以说测量结果的准确与否主要取决于传感器提供的电参数是否稳定，传感器在长时间使用后的稳定性就会发生变化，电参数也随之变化。
解析内存中的高性能内存图结构及关键因素
用矩阵来表示图结构是大学里数据结构课程中都学过的知识，也是一种非常直观的办法。 点 i 与点 j 之间有一条边，等价对应于矩阵上 $M_{ij}$ 为 1。当然，这里的点 ID 是需要连续排列无空洞。
关于双通道Crucial英睿达DDR5-5600的评测分析
作为新一代内存标准，DDR5自问世以来是伴随着一些争议的，但争议的焦点并不是DDR5本身，而是它的适用环境。
新型3D铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在仪表设...
它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM，且不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。
BY25QXXX系列NOR FLASH存储器的驱动设计与实现
在有一些应用中，我们可能需要大一些容量的存储单元，而实现的形式多种多样，在这一篇中我们将来讨论怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存储器的问题。
0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。
新兴的记忆存储器问世了吗
新兴的存储器涵盖了广泛的技术，但是需要注意的关键是MRAM，PCRAM和ReRAM。已经有一些离散的MRAM器件问世了，但是有很多关于代工厂使用专用芯片构建ASIC并用非易失性选项代替易失性存储器的讨论。这将是最大的推动因素之一。
IS61LV25616AL异步SRAM存储器功能简介
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量为256Kx 16bits的且引脚功能完全兼容的4Mb的异步SRAM。也是一款大容量且存储时间相对较短的存储器。对其控制要求相对简单。 由一个高速、4,194,304 位的静态RAM,可组成262,144个字(16位)。
DIY一个微型SD存储
我认为将存储空间添加到不再有人使用的旧存储介质中会非常有趣。我有一些软盘，我想试试看！我的目标是让它看起来尽可能原始且未经修改。
基于MCU系统的外部存储器接口配置
除了 IO 互连灵活性之外，外部接口通常需要一定的时序灵活性。例如，如果内存慢于 MCU 时钟周期，则可能需要插入等待状态。
DDR基本介绍与原理图设计
SDRAM(Synchronous Dynamic random access memory)即同步动态随机存取存储器。常用SDRAM的种类有SDRAM、DDR1-5、LPDDR2-5。
如何将SEW变频器数据保存到存储卡里呢
如果power section参数改变，将自动存储到SD卡中！！（power firmware必须大于13） 如果MOVIPRO power sectionfirmware 大于13，更换MOVIPRO 只需更换SD卡即可！！
深入剖析高性能内存回收技术
众所周知，内存是操作系统的一项重要资源，直接影响系统性能。而在应用蓬勃发展的今天，系统中运行的应用越来越多，这让内存资源变得越来越紧张。在此背景下，方舟JS运行时在内存回收方面发力，推出了高性能内存回收技术——HPP GC（High Performance Partial Garbage Collection）。本文我们将从GC的基础入手，由浅入深地为大家介绍HPP GC。
芯耀辉软硬结合的智能DDR PHY训练技术
在实际的应用中，命令（command）路径上的延时会超过数据（DQ）路径的延时。假设路径差值 = 命令路径延时 – 数据路径延时，一般路径差值在0～5个时钟周期之间。
江波龙电子车用存储在智能汽车应用汇演
随着智能汽车的高速发展，数据边缘计算、高速读写性能、数据安全、数据的互联网趋势都在考验存储厂商的技术、质量、创新、服务。
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