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电子发烧友网>军用/航空电子>美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空应用提供无与伦比的高功率性能

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空应用提供无与伦比的高功率性能

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的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管功率晶体管,一般功率晶体管功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57

氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管对分分析哪个好?

换向故障损坏。总之,与用于LLC拓扑应用的Si和SiC晶体管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的价值。
2023-02-27 09:37:29

氮化镓晶体管GaN的概述和优势

的X-GaN栅极驱动器。X-GaN驱动器IC针对高达2 MHz的开关频率进行了优化,并提供了解锁晶体管全部性能的简便方法。除了优化的栅极控制端子外,还提供了额外的集成功能 - 例如用于(可选)产生负
2023-02-27 15:53:50

消费类电子大功率空中交通控制的RF功率晶体管

)使用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。    在2.7至2.9GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏极效率功能,经过单一器件
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和频率应用的舍入 GaN晶体管

和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50电压转换器我们首先要宣布的是来自意法半导体的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一种基于 GaN 晶体管功率转换器,
2022-06-15 11:43:25

电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响

`  引言  在功率变换器应用中,宽带隙(WBG)技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。在某些细分市场的应用场景中,提升效率极限一或两个百分点依然关系重大,变换器功率密度的提高可以提供更多应用优势
2021-01-19 16:48:15

直接驱动GaN晶体管的优点

受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。电压(600V)氮化镓(GaN电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

第三代半导体材料盛行,GaNSiC如何撬动新型功率器件

迁移率低的问题,且能很好地与MOS器件工艺兼容。研究出的SiCBCMOS器件迁移率达到约720cm2/(V·s);SiC双极晶体管(BJT)在大功率应用时优势明显;经研究得到了击穿电压1.677kV。开
2017-06-16 10:37:22

英飞凌700瓦L波段射频功率晶体管

,典型能效55%,P1dB输出功率700瓦,增益16dB,并具备低热阻特性。  新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管,额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26

非线性模型如何帮助进行GaN PA设计?

未转换为射频输出功率的直流加载电源将作为热量耗散(除非晶体管的效率100%)。· 因此,GaN 晶体管变得非常热,热管理成为重要的设计考虑因素。幸运的是,碳化硅基氮化镓(GaN on SiC) 能够
2018-08-04 14:55:07

CGHV40180F氮化镓 (GaN) 电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能GaN与硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化镓 (GaN) 电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能GaN与硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CHK8101-SYC 是一款无与伦比电子迁移率晶体管

United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款无与伦比电子迁移率晶体管 (HEMT),工作频率 DC 至 6 GHz。它提供超过 15 W
2022-09-07 14:37:30

美高森美提供S波段RF功率晶体管系列新品

美高森美公司近日推出基于碳化硅衬底氮化镓技术的射频 RF 晶体管系列,新型的S波段500W RF器件2729GN-500,主要应用在大功率空中交通的机场管制及雷达监视等应用。
2012-11-30 10:10:10690

飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

日前,射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓(GaN晶体管,所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:371842

功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能指南

这篇文章的目的是提供一个指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:1123

高效率750W射频功率晶体管可实现更紧凑的功率放大器设计

荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%,为同类最佳,其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。
2019-04-10 15:13:06965

Ampleon推出750W射频功率晶体管 可减少定输出功率所用能量

埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%,为同类最佳,其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。
2019-05-16 14:15:172639

UMS毫米波内部匹配GAN功率晶体管

雷达系统中线性和压缩功率放大器的有源元件。Gan功率晶体管可用作航空电子、商业服务、工业生产、医疗设备和国防军事用途的电路和系统中的各种应用。它们都通过宽带gap GaN半导体材料的作用,在小封装中产生高功率密度和高输出功率电平的RF
2022-04-14 09:12:14395

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