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全球5G产业链布局,中国落后在哪里?

2019年06月19日 09:33 次阅读

5G是开启工业数字化和物联网新时代的新一代基础生产力。随着全球电子技术水平的不断提升,人工智能、大数据、物联网等新兴应用热潮持续升温,在全球消费升级和工业转型的双重利好带动下,全球的5G通信将于2019年下半年进入实质性商用阶段,逐步渗透进各个行业,构成“万物互联”的泛在网。目前,全球主要国家的5G产业链布局也已进入冲刺阶段。

5G通信是依靠半导体材料和器件,实现无线电磁波远距离传输、收发、处理的通信技术。与传统4G等通信技术相比,5G需满足全频谱接入、高频段乃至毫米波传输、高频谱效率三大基础性能要求,因此对器件和关键性半导体原材料的性能要求也相应提示。

全球5G器件布局和建设主要围绕终端、基站和传输三个领域展开,5G关键性半导体原材料的布局主要围绕晶圆材料、硅基半导体材料、以及化合物半导体材料展开。

一、全球5G产业分布

(一) 5G关键性器件全球布局

1、终端

射频前端模块是5G终端的关键性器件,也是我国进口依赖度最大的器件,其中放大器滤波器在射频前端中的占比达95%,是各国布局5G产业链的关键战略领域。

根据 Mobile Experts 预测,全球射频滤波器市场规模到2020年有望达到130亿美元,年复合增长率为21.06%。目前全球市场全部为日、美厂商所主导与垄断,技术壁垒很难打破。博通Qorvo两家美国厂商所占的市场份额高达90%以上。

滤波器可以筛选出特定频率的频点或者滤除该频点以外的频率,其中毫米波MEMS滤波器和FBAR滤波器,能够匹配5G的高频谱传输性能,是各国的战略聚焦点。

5G终端的放大器能将更多频段(全频谱通信)的电磁波放大到更高的频段(中高频和毫米波技术),同时还能满足更小尺寸(高集成度)的要求。全球 GaAs 化合物半导体放大器的设计和制造厂被美国的 skyworks、Qorvo 和 Avago 三家厂商垄断,其中 Avago 是我国台湾的稳懋半导体公司,Skyworks 的代工厂商是中国大陆的宏捷科技公司和台湾的稳懋半导体公司。据Yole 报告预测,全球 RFPA 市场规模预计到2020年将达到25亿美元。GaAs射频功率放大器因其工作频率和工作电压高,并能解决 CMOS 产品击穿电压低、衬底绝缘性差、高频损耗大等先天缺陷,是全球5G射频模块布局的战略聚焦点。

2、基站

5G基站包括大型基站、宏基站和小基站等。因全球5G频谱规划多为中段频和高段频,由小微基站和Massive MIMO天线构成的超密集组网是5G基站布局的关键。

目前,全球5G基站的部署主要在欧、美、日、韩和中国展开。

2018年2月,德国电信与华为公司成功完成全球首次5G高阶毫米波73GHz(E-band)多小区网络验证。美国AT&T电信公司在2018年3月采用白盒设备部署6万个5G宏站及5G小基站,并将于2018年年底前在美国十几个城市内推出5G通信服务。日本 Softbank 运营商在2016年正式启动 5G Project,是全球首家将 Massive MIMO 技术正式投入商用的运营商。2017年9月,韩国LG U+携手华为在首尔成功完成了5G密集城区外场第一阶段测试,涵盖了毫米波28GHz的覆盖和容量测试。

3、光通信

光通信产业大体可以分为两条分支产业链:光模块产业链和光纤光缆产业链。其中光模块负责实现光电转换,光纤负责传送光信号。全球光纤预制棒主要被日本、美国和德国企业垄断。据预测,未来5G光纤需求,在不考虑光纤复用的情况下,将达到4G光纤需求的16倍。据相关研究机构预测,2018-2020年光纤需求分别为3.8亿芯公里、4.2亿芯公里和4.8亿芯公里,增速分别为28.4%、10.5%和14.3%。

(二) 5G半导体材料全球布局

1、硅基半导体材料

硅基半导体市场被美国、日 本、欧洲等技术强国垄断。美国是全球半导体产业链最完整的国家,共有90多家本土半导体上市公司,涵盖设备、材料、设计、制造、封测全产业链;在全球前20大半导体公司排行榜中,美国包揽8家;2018年,全球半导体全年销售额约为4500亿美元,美国占比约为46%。在硅晶圆领域,全球一半以上的半导体硅材料产能集中在日本。硅基半导体因其适度的禁带宽度和良好的电子迁移率可满足绝大部分功率和频率器件的要求,全球90%以上的半导体器件都是用硅基材料制成的。

2、化合物基半导体材料

GaAs材料的技术和市场被日本和美国垄断。

在衬底制备、外延片方面,日本的住友电工、Freiberger、日立电缆、以及ATX四家企业占据6英寸衬底的90%以上的国际市场。

在制造代工方面,美国晶体技术、日本住友电工、德国弗莱贝格化合物材料占据95%以上的市场。GaN材料的技术和市场被美国、日本和欧洲等国家垄断。日本的住友电工和三菱化学采用的氢化物气沉积法是目前最主流的方法,其中日本住友电工是全球最大的GaN晶圆生产商,占据了90%以上的市场份额。据Yole报道,随着5G市场的到来,GaAs,GaN和SiC器件的市场需求增加,预计到2021年市场规模将分别达到130亿美元、6亿美元和5.5亿美元。化合物基半导体材料可以实现高频谱效率、大频率波处理、低延时响应等硅基材料不能很好满足的5G通信的要求,是“超越摩尔定律”的半导体新材料。

二、我国5G产业发展总结

(一) 产业链“疏而不密”,上游原材料“卡脖子”严重

我国5G产业链没有形成从设计到制造再到封测的完整链条,产能主要集中在技术水平低端、产业附加值低的中低端领域,中高端原材料的产业链条缺失环节多,“卡脖子”现象严重。

在晶圆生产中,纯度为11个9的芯片用的电子级高纯硅,只有江苏的鑫华公司一家能实现量产,年产0.5万吨,但是国内一年的进口量约为15万吨。

在芯片设计和制造中,只有华为海思一家设计企业实现手机芯片的化量产,其下游客户主要为国内手机厂商; 中芯国际虽是国内最大的代工厂,但是其28nm和14nm工艺市场认可度不高,尚未实现盈利。

我国电子信息产业的2017年总产值达到18.5万亿元,但是国内如此大的需求增量并没有促使半导体产业链条的完整链条化,产业链上下游企业没有实现合理的本地化和规模化。

(二) 产品“少而不强”,下游元器件进口依赖性强

我国5G相关产品中高端品种少、技术等级低端,难以适应信息技术梯度转移和高速发展的要求,大部分下游元器件仍以进口为主。

在数万集成电路材料中,我国能够自主规模化生产的产品占比不到1%,且多为技术含量低的产品。8英寸和12英寸的大尺寸硅片是半导体产业的基础原材料,但我国的对外依存度分别达到86%和100%,绝大多数的集成电路材料仍然掌握在国外企业手里,前4大硅片厂商市场占有率为85%,前5大光刻胶厂商市占88%,其中来自国内供应商仅占27%,处于国外绝对垄断品种高达23%。

据赛迪顾问《2018年中国5G产业与应用发展白皮书》预计,我国5G产业总体市场规模至2026年将达到1.15万亿元,国内的现有产能,尤其是高端产能完全不能满足如此大规模的需求,所形成的市场差额只能依赖进口。我国是5G半导体材料产业的技术弱国,但又将成为5G半导体材料的消费大国。

(三) 创新链和产业链“通而不畅”,产业化进程缓慢

半导体材料的应用是一个系统工作,需要生产设备、制造工艺、相关材料生产企业、下游应用企业互相配合,为处于不同环节的企业相互提供具有针对性的直接的技术指导和产品顾问。

我国上下游企业乃至研究机构都属于刚起步阶段,相关技术积累和产业积累很少,因此研究机构的研发成果,下游应用企业的市场需求,上游生产企业的产品性能等各关键参数不都有效的整合、联动、协同,导致我国半导体产业链中 “技术孤岛” 的现象严重。

研发机构的创新链条与产业链条脱节,不能深入指导产业链各环节的生产企业,研发成果也不能实现系统的应用和推广。而创新资源的多头部署和分散投入,导致生产要素的重复投资和不充分利用,资源浪费严重。

上游生产企业不能很好的掌握下游市场需求,生产布局不能适应快速迭代更新的市场产品需求,对整个产业链条中的上下游各方面资源的调动性不足,结果就是产品性能落后、产能浪费严重、服务化意识不足,对固定投资的规划不合理。

下游应用企业因上游企业对其的高端原材料产品支持力度不足,因此无法提供高质量的产品,导致客户因为对国产产品的信心不足,验证成本较高等原因放弃购买国产产品。国产产品的滞销又会进一步延缓我国产业链的更新迭代,进一步减缓创新性产品的产业化进程同时加剧中低端产能的重复浪费。

三、政策建议

(一) 践行“材料先行”,构建良性产业孕育环境

首先,践行“材料先行”战略,完善创新平台的建设。依托现有生产应用示范平台,加强基础研究、应用环节研究和产业化的统筹衔接,集中优势资源推动衬底材料、硅基半导体材料、化合物半导体材料的研发和产业化进程,构建完整创新链,形成上中下游协同创新的发展环境。

其次,科学做好产业布局,避免重复建设。鼓励地方政府、研究机构、相关企业,围绕华为、中兴等龙头企业,依托区域优势,合理配置产业链、创新链、资源联,合理规划晶圆生产、芯片设计、芯片制造、芯片封测等产业链环节的产能布局,充分挖掘龙头企业的带动性,避免各环节间的不匹配单线发展,搭建协调发展促进的产业链环境。

第三,加强人才培养和创新团队建设。依托重点企业、联盟、高等学校、职业院校、公共实训基地和公共服务平台,通过开展联合攻关和共同实施重大项目培养一批工学、工程研究生,培育一批产业工人、技术骨干与创新团队。

(二) 专利导航创新,加快自主化进程

首先,建立专利导航5G半导体材料的工作机制,为研发创新提供方向支持。加强专利布局,开展知识产权风险评估预警,定期为相关政府、机构和企业提供预警研究成果,协助其化解产业发展风险。

第二,借助金融支持,突破关键工艺和专用装备的制约。加强政、银、企信息对接,重点发展光刻机、离子注入机等核心生产设备,提高生产设备的一致性、可靠性、寿命和精度,缩小与国外企业的质量差距,弱化国外企业对我国半导体产业的制约性。

第三,加快重点新材料初期市场培育。完善供产需衔接平台建设,合理配置产业链、创新链、资源链,避免各环节不匹配的单线发展。完善重点项目的应用示范推广机制,依托新材料首批次应用保险补偿机制和应用示范指导目录,加快新材料从实验室到企业的转化进程,释放市场需求。以市场应用倒逼自主化,完善面向市场需求和终端客户的服务平台的建设,加快针对市场需求的研发迭代速度,从而推动自主化进程。

(三) 实行进出口预警,搭建良性对外交流平台

首先,制定新材料产品、企业统计办法和进出口商品统计目录,组织开展统计监测和预警,及时发布统计信息,引导行业规范有序发展。加强对新材料产业发展状况的预警监测,合理调整进出口政策,维护产业发展利益。

第二,优化政府公共服务,加强国际新材料创新合作和政策法规等信息引导,鼓励新材料企业统筹利用两个市场、两种资源,提升在全球价值链中的地位。支持企业在境外设立新材料企业和研发机构,通过海外并购实现技术产品升级和国际化经营,加快融入全球新材料市场与创新网络。

第三,充分利用现有双边、多边合作机制,拓宽新材料国际合 作渠道,结合“一带一路”建设,促进新材料产业人才团队、技术资本、标准专利、管理经验等交流合作。支持国内企业、高等院校和科研院所参与大型国际新材料科技合作计划,鼓励国外企业和科研机构在我国设立新材料研发中心和生产基地。

本文来源于《原材料工业研究》,本文作为转载分享。

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虚拟运营商面对5G到来的机遇与挑战该如何找到生存...

三五互联于2010年2月份创业版上巿(股票简称:三五互联,证券代码:300051),公司主要经营35...

发表于 2019-06-19 09:25 7次阅读
虚拟运营商面对5G到来的机遇与挑战该如何找到生存...

SK电信正在利用5G技术为韩国水电和核电公司开发...

据介绍,SK电信利用5G的低延迟通信与与一系列面向物联网客户的工具配合,与能源公司合作开发电厂管理解...

发表于 2019-06-19 09:23 16次阅读
SK电信正在利用5G技术为韩国水电和核电公司开发...

我国首个注册的省级5G社会团体组织在江西省正式诞...

江西省5G产业联合会是江西移动、江西联通、江西铁塔、华为公司、中兴公司、爱立信公司共同发起的全国首个...

发表于 2019-06-19 09:18 19次阅读
我国首个注册的省级5G社会团体组织在江西省正式诞...

华为完成了基于5G SA独立组网的跨省漫游外场首...

据悉,此次5G SA跨省漫游外场首呼于南京健康路中国移动营业厅进行,使用来自北京移动的SIM卡插入南...

发表于 2019-06-19 09:16 29次阅读
华为完成了基于5G SA独立组网的跨省漫游外场首...

5G光模块的“前景”与“钱景”

6月6日,工业和信息化部向中国电信、中国移动、中国联通和中国广电发放5G商用牌照,正式宣告5G时代到...

发表于 2019-06-19 09:15 118次阅读
5G光模块的“前景”与“钱景”

最新黑科技来袭 很多企业开始“不务正业”

CES Asia是参展汽车企业数量最多的亚洲科技展,而本届的汽车技术展区面积比上一届扩大了一倍,现场...

发表于 2019-06-19 09:12 174次阅读
最新黑科技来袭 很多企业开始“不务正业”

华为任正非认为美国的打压限制阻碍不了华为前进的步...

尼古拉斯·内格罗蓬特表示:“我认为我们目前所面临的问题是一个文化上的问题,而不是安全问题。不管怎么样...

发表于 2019-06-19 09:08 53次阅读
华为任正非认为美国的打压限制阻碍不了华为前进的步...

一种两次变频法的毫米波发射端上变频方案设计

发表于 2019-06-19 08:27 23次阅读
一种两次变频法的毫米波发射端上变频方案设计

5G技术的现状分析

发表于 2019-06-19 08:14 24次阅读
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快速准确的80MHz放大器仅消耗2mA电流

发表于 2019-06-19 07:29 14次阅读
快速准确的80MHz放大器仅消耗2mA电流

光载毫米波无线电通信技术的发展趋势

发表于 2019-06-19 07:03 16次阅读
光载毫米波无线电通信技术的发展趋势

怎么提高频谱使用效率减少频谱占用?

发表于 2019-06-19 06:37 10次阅读
怎么提高频谱使用效率减少频谱占用?

基于波导H面的Ka波段宽带功率合成网络分析设计

发表于 2019-06-19 06:26 19次阅读
基于波导H面的Ka波段宽带功率合成网络分析设计

微波和毫米波频谱在国防工业的应用

发表于 2019-06-18 08:24 45次阅读
微波和毫米波频谱在国防工业的应用

未来频谱监测系统需要具备哪些能力

发表于 2019-06-18 07:11 5次阅读
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浅析CMOS高线性变增益放大器

发表于 2019-06-18 06:30 9次阅读
浅析CMOS高线性变增益放大器

5G NR标准有什么创新性新技术

发表于 2019-06-18 06:18 8次阅读
5G NR标准有什么创新性新技术

LM324A_XFCS 运算放大器,单电源,四路

信息 LM324A_XFCS

发表于 2019-04-18 20:21 2次阅读
LM324A_XFCS 运算放大器,单电源,四路

LM324 运算放大器,单电源,四路

信息 LM324系列是低成本,四通道运算放大器,具有真正的差分输入。它们与单电源应用中的标准运算放大器类型相比具有几个明显的优势四通道放大器可以在低至3.0 V或高达32 V的电源电压下工作,静态电流约为MC1741的五分之一(基于每个放大器)。共模输入范围包括负电源,从而在许多应用中消除了外部偏置元件的必要性。输出电压范围还包括负电源电压。 优势特点 短路保护输出 真正的差分输入级 单电源供电:3.0 V至32 V(LM224,LM324,LM324A) < / li> 低输入偏置电流:最大100 nA(LM324A) 每包四个放大器 内部补偿 共模范围扩展至负电源 行业标准引脚 输入端的ESD钳位增加坚固性而不影响器件操作 无铅封装可用* 规格参数 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-04-18 20:21 4次阅读
LM324 运算放大器,单电源,四路

LM324-MIL 四路运算放大器

信息描述This device consist of four independent high-gain frequency-compensated operationalamplifiers that are designed specifically to operate from a single supply or split supply over awide range of voltages.特性Wide Supply RangesSingle Supply: 3 V to 32 VDual Supplies: ±1.5 V to ±16 VLow Supply-Current Drain Independent ofSupply Voltage: 0.8 mA Typical Common-Mode Input Voltage RangeIncludes Ground, Allowing Direct Sensing Near GroundLow Input Bias and OffsetParametersInput Offset Voltage: 3 mV Typical Input Offset Current: 2 nA TypicalInput Bias Current: 20nA Typical Differential Input Voltage Range Equal toMaximum-Rated Supply Voltage: 32 VOpen-Loop Differential Voltage Amplification:100 V/mV Typical Internal FrequencyCompensationOn Products Compliant to MIL-PRF-38535, All Parameters are Tested Unless Otherwise Noted. On All Other Products, ProductionProcessing Does Not Necessar...

发表于 2019-04-18 20:21 0次阅读
LM324-MIL 四路运算放大器

LM321 运算放大器,单通道

信息 LM321是一款通用单通道运算放大器,具有内部补偿和真正的差分输入级。该运算放大器具有3 V至32 V的宽电源电压,适用于单电源,±1.5至±16 V(适用于分离电源),适合各种应用。即使在高达1.5 nF的大容性负载下,LM321的单位增益也很稳定。 LM321采用节省空间的TSOP-5 / SOT23-5封装。 宽电源电压范围:3 V至32 V 短路保护输出 真正的差分输入级 低输入偏置电流 内部补偿 单电源和分离电源操作 Unity增益稳定,1.5 nF电容负载...

发表于 2019-04-18 20:21 12次阅读
LM321 运算放大器,单通道

L272A 双路运算放大器

信息L272 和 L272A 是高功率双路运算放大器,采用 MDIP 8 引脚封装。 运算放大器设计用于低阻抗负载并提供高达 0.7 A 的输出电流。L272A 对输入偏置电流、输入失调电压和输入偏置电流有更加严格的规格要求。 L272 和 L272A 能在广泛的应用中使用,包括电源、VCR、监控器, 伺服放大器、光碟机等。 输出电流最高可达 0.7 A 低压工作 (V = 4 V) 低饱和电压(I = 0.5 A、V = 1.5 V) 热关断 (TSD = 160°C) 接地兼容输入 宽共模和差模范围...

发表于 2019-04-18 20:17 0次阅读
L272A 双路运算放大器

L272 双路运算放大器

信息L272 和 L272A 是高功率双路运算放大器,采用 MDIP 8 引脚封装。 运算放大器设计用于低阻抗负载并提供高达 0.7 A 的输出电流。L272A 对输入偏置电流、输入失调电压和输入偏置电流有更加严格的规格要求。 L272 和 L272A 能在广泛的应用中使用,包括电源、VCR、监控器, 伺服放大器、光碟机等。 输出电流最高可达 0.7 A 低压工作 (V = 4 V) 低饱和电压(I = 0.5 A、V = 1.5 V) 热关断 (TSD = 160°C) 接地兼容输入 大共模& 差模范围...

发表于 2019-04-18 20:16 2次阅读
L272 双路运算放大器

QSE133 塑料硅红外光敏达林顿放大器

信息QSE133是一个封装在宽角、红外透明、黑色塑料侧面可视封装中的硅光敏达林顿放大器。 NPN硅光电晶体管 封装类型: 侧面可视封装 中宽接收角,50< ° 封装材料和颜色: 黑色环氧树脂 匹配的发射器: QEE113 日光过滤器 高灵敏度

发表于 2019-04-18 20:16 0次阅读
QSE133 塑料硅红外光敏达林顿放大器

SSM2356 2 × 2W、无滤波器、D类立体...

信息优势和特点 采用Σ-Δ调制的无滤波器立体声D类放大器 采用ADI公司的多个D类放大器时无需同步 采用5.0 V电源供电时,能够以2 × 2W功率驱动4 Ω负载,以2x1.4 W功率驱动8 Ω负载,总谐波失真加噪音(THD + N)低于1% 效率:92%(5.0 V、以1.4 W功率驱动8 Ω扬声器) 信噪比(SNR)高于103 dB 单电源供电:2.5 V至5.5 V 关断电流:20 nA;左右声道控制 短路和热保护 16引脚1.66 mm × 1.66 mm WLCSP封装 “爆音与咔嚓声”抑制 内置电阻可减少电路板上的器件数量 用户可选的6 dB或18 dB增益设置 用户可选的超低EMI辐射模式 产品详情SSM2356是一款全集成式高效率D类立体声音频放大器,针对移动电话应用实现最高性能而设计。应用电路只需极少的外部元件,采用2.5 V至5.5 V单电源供电。采用5.0 V电源供电时,它能够提供2 × 2W连续输出功率,驱动4 Ω负载,总谐波失真加噪音(THD + N)低于1%。SSM2356采用高效率、低噪声调制方案,无需外部LC输出滤波器。即使输出功率较低时,该调制方案仍然能提供高效率。采用5.0 V电源供电时,以1.4 W功率驱动8 Ω负载时的效率为92%,以2.0 W功率驱动4 Ω负载时的效率为85%,...

发表于 2019-04-18 20:14 38次阅读
SSM2356 2 × 2W、无滤波器、D类立体...

SSM2519 数字输入、2 W、D类音频功率放...

信息优势和特点 无滤波、数字输入D类放大器 独立工作或I2C 控制 串行数字音频接口支持各种常见音频格式:I2S、左对齐、右对齐、TDM1-16和PCM 采用5 V电源时能够以2.31 W功率驱动4 Ω负载、1.35 W功率驱动8 Ω负载,且THD + N等于1% 采用12引脚1.4 mm × 1.7 mm × 0.4 mmP间距WLCSP封装 满量程条件下驱动到8 Ω负载的效率为90% 1.8V/3.6V时带负载的空闲功率为9 mW SNR = 98 dB,A加权 PSRR = 80 dB(217 Hz,扰动输入) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情SSM2519是一款内置数模转换器(DAC)和Σ-Δ D类调制器的数字输入D类功率放大器。它采用独特架构,处理数字音频源时实际功耗极低,同时又具备出色的音频性能。SSM2519特别适合对功耗敏感的应用,例如移动电话和便携式媒体播放器,这些情况下系统噪声会破坏小模拟信号,比如发送至模拟输入音频放大器的信号。 利用SSM2519,音频数据可以通过标准数字音频串行接口传送至放大器,从而大大降低GSM干扰或传输音频上其他数字信号等噪声源的影响。闭环数字输入设计保留了全数字式放大器的优势,同时又具有极佳的PSRR和音频性能。三级Σ-Δ D类调制器能在不...

发表于 2019-04-18 20:14 32次阅读
SSM2519 数字输入、2 W、D类音频功率放...

SMA3103 MMIC,放大器,5 V,19 ...

信息 SMA3103是MMIC,放大器,5 V,19 mA,0.1至3.3 GHz。 高增益:Gp = 26.5 dB typ @ 1 GHz < / li> 宽带响应:fu = 3.3 GHz 低电流:I = 19 mA typ 高输出功率:Po(1 dB) )= 5 dBm 端口阻抗:输入/输出50Ω

发表于 2019-04-18 20:13 39次阅读
SMA3103 MMIC,放大器,5 V,19 ...

SMA3107 MMIC,放大器,3 V,6 m...

信息 SMA3107为MMIC,放大器,3 V,6 mA,0.1至2.8 GHz。 高增益:G = 23.5 dB typ @ 1.0 GHz 宽带响应:fu = 2.8 GHz I = 6.0 mA typ

发表于 2019-04-18 20:13 42次阅读
SMA3107 MMIC,放大器,3 V,6 m...

SMA3109 MMIC,放大器,3 V,16 ...

信息 SMA3109是MMIC,放大器,3 V,16 mA,0.1至3.6 GHz。 高增益:G = 23 dB typ @ 1.0 GHz 低电流:I = 16 mA typ 高输出功率:P (1 dB )= 4.0 dBm 端口阻抗:输入/输出50Ω

发表于 2019-04-18 20:13 49次阅读
SMA3109 MMIC,放大器,3 V,16 ...

SMA3101 MMIC,放大器,5 V,10 ...

信息 SMA3101是MMIC,放大器,5 V,10 mA,0.1至3 GHz。 高增益:Gp = 25 dB typ @ 1 GHz < / li> 宽带响应:fu = 3.0 GHz 低电流:I = 10 mA typ 端口阻抗:输入/输出50Ω

发表于 2019-04-18 20:13 58次阅读
SMA3101 MMIC,放大器,5 V,10 ...

UC1834-DIE UC1834-DIE 高精...

信息描述 UC1834-DIE 集成电路针对低输入输出差分线性稳压器设计进行了优化。 该器件具有高增益放大器和灌电流或拉电流驱动输出,有助于实现采用外部导通器件的高输出电流设计。 利用精密的正负参考电压,可实现稳压器的两种极性。 可使用具有低可调阈值的电流感应放大器来检测和限制正电源线和负电源线上的电流。 此外,UC1834-DIE 还具有一个故障监视电路,用于检测欠压和过压故障情况。 经过一段用户定义的瞬态抑制延迟之后,此电路会针对上述两种故障情况提供故障报警输出。 在过压情况下,会激活快速放电 (crowbar) 输出。 过压锁存器会保持 crowbar 输出,并且可用于关断驱动器输出。 可通过单个输入来调节对器件的系统控制,该输入同时用作电源复位和远程关断端子。 此类芯片具有内部热关断功能,可防止功耗过高。特性 对于正电压稳压器或负电压稳压器设计均适用 可调节低阈值电流感应放大器具有可编程延迟的欠压和过压故障报警功能 应用 无线 LAN 可编程逻辑控制器 电机控制和驱动 太阳能系统 声纳,超声波设备All trademarks are the property of their respective owners....

发表于 2019-04-18 20:10 2次阅读
UC1834-DIE UC1834-DIE 高精...

TLC2252-DIE 高级 LinCMOS 轨...

信息描述 TLC2252 是一款由德州仪器 (TI) 生产的双通道和四通道运算放大器。 此器件针对单电源或分离电源应用中增加的动态范围表现出了轨到轨输出性能。 微功耗运行使得此器件成为电池供电类应用的理想选择。 与之前 CMOS 放大器相比,噪声性能已经大大提升。 表现出高输入阻抗和低噪声的 TLC2252 放大器在针对高阻抗源的小信号调节方面表现出色,例如压电传感器。 由于微功耗耗散级别,这个器件在手持监控和遥感应用中运转良好。 此外,单电源或分离电源的轨到轨输出特性使得此器件成为与模数转换器 (ADC) 对接时的理想选择。特性 输出摆幅包括两个电源轨 低噪声 低输入偏置电流 技术规格针对单电源及分离电源操作全面拟订 极低功耗 共模输入电压范围包括负电源轨 低输入偏移电压 包含宏观模型LinCMOS is a trademark of Texas Instruments....

发表于 2019-04-18 20:07 0次阅读
TLC2252-DIE 高级 LinCMOS 轨...

THS4520-DIE 宽带、低噪声、低失真、全...

信息描述 THS4520-DIE 是一款设计用于数据采集系统的宽带、完全差动运算放大器。 它具有极低噪声和低谐波失真。 转换率非常适合于数据采集系统。 针对单位增益稳定而设计。为了使直流耦合进入 ADC,它的独特输出共模控制电路将输出共模电压保持为置位电压。 共模置位点由内部电路缺省设置为中电源,可由一个外部源过驱动。此输入和输出在共模电压被设定为中电源时针对最佳性能进行了优化。特性 完全差分架构具有轨至轨输出 中央输入共模范围 断电能力应用范围 数据采集系统 高线性模式转换器 (ADC) 放大器 无线通信 测试和测量 声音处理系统...

发表于 2019-04-18 20:06 6次阅读
THS4520-DIE 宽带、低噪声、低失真、全...

THS3001-DIE 420MHz 高速电流反...

信息描述 THS3001 是一款高速电流反馈运算放大器,此放大器非常适合于通信、成像、和高质量视频应用。 这个器件为要求出色瞬态响应的大信号应用提供一个极快转换率、带宽、和稳定时间。 此外,THS3001 运行时的失真极低,这使得它非常适合于诸如无线通信基站或者超快速模数转换器 (ADC) 或者数模转换器 (DAC) 缓冲器等的应用。特性高速: 40ns 稳定时间 (0.1%) 高输出驱动 出色的视频性能 低输入偏移电压 极低失真 宽范围电源 提供评估模块...

发表于 2019-04-18 20:06 4次阅读
THS3001-DIE 420MHz 高速电流反...

2N5210 放大器晶体管

信息 NPN Silicon

发表于 2019-04-18 19:54 56次阅读
2N5210 放大器晶体管

BF256B N沟道放大器

信息BF256B 该器件设计用于VHF/UHF放大器。 采用工艺50设计。

发表于 2019-04-18 19:43 42次阅读
BF256B N沟道放大器

BSR58 N沟道低频低噪声放大器

信息BSR58N沟道低频低噪声放大器 该器件设计用于采用工艺51的低功率斩波器或开关应用

发表于 2019-04-18 19:40 44次阅读
BSR58 N沟道低频低噪声放大器

BSR56 N沟道低频低噪声放大器

信息BSR56N沟道低频低噪声放大器 该器件设计用于采用工艺51的低功率斩波器或开关应用

发表于 2019-04-18 19:40 42次阅读
BSR56 N沟道低频低噪声放大器

BSR57 N沟道低频低噪声放大器

信息BSR57 该器件设计用于采用工艺51的低功率斩波器或开关应用

发表于 2019-04-18 19:40 44次阅读
BSR57 N沟道低频低噪声放大器

AD522 高精度数据采集仪表放大器

信息优势和特点 低漂移:2.0 µV/°C (AD522B) 低非线性度:0.005% (G = 100) 高共模抑制比(CMRR):>110dB (G = 1000) 低噪声:1.5 µV(峰峰值,0.1 Hz至100 Hz) 低初始VOS: 100µV (AD522B) 单电阻增益可编程:1≤G≤1000 输出基准电压与检测引脚 具有数据防护功能,可改善交流共模抑制 内部补偿 除增益电阻外,无需其它外部器件 失调、增益和共模抑制经过有源调整产品详情AD522是一款精密IC仪表放大器,针对要求在最差工作条件下提供高精度的数据采集应用而设计。高线性度、高共模抑制、低电压漂移与低噪声等特性的出色组合,使该器件适合用于许多12位数据采集系统中。在过程控制、仪器仪表、数据处理和医疗测试等应用中,通常采用仪表放大器作为电阻传感器(热敏电阻、应变计等)的电桥放大器。工作环境通常信噪比低、温度起伏不定、输入阻抗不平衡,并且处于远程位置不便重新校准。...

发表于 2019-04-18 19:28 46次阅读
AD522 高精度数据采集仪表放大器

AD558 电压输出8位数模转换器,集成输出放大...

信息优势和特点 完整8位DAC 电压输出:两种校准范围 内部精密带隙基准电压源 单电源供电:+5 V至+15 V 完全微处理器接口 快速建立时间:1 ±s内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 Tmin至Tmax的所有误差 16引脚DIP和20引脚PLCC小型封装 激光晶圆调整单芯片供混合使用产品详情AD558 DACPORT®是一款完整的电压输出8位数模转换器,它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上。无需外部元件或调整,就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口。这款DACPORT器件的性能和多功能特性体现了近期开发的多项单芯片双极性技术成果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑(I2 L)实现,集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构,与线性双极性制造工艺兼容。内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路,采用+5 V至+15 V单电源时可实现全精度性能。薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性(所有等级器件),对这些薄膜电阻运用最新激光晶圆调整技术则可实现出厂绝对校准,误差在±1 LSB以内,因此不需要用户进行增...

发表于 2019-04-18 19:12 44次阅读
AD558 电压输出8位数模转换器,集成输出放大...

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算...

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-04-18 19:07 36次阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算...

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-04-18 19:07 40次阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

TLV4112-DIE 具有关断功能的高输出驱动...

信息描述 TLV4112 单电源运算放大器在 5V 时提供超过 300mA 的输出电流。这使得标准引脚放大器可被用作高电流缓冲器或用于线圈驱动器应用。 TLV4112 为放大器提供传送高电流电平所需的出色热阻抗。特性 高输出驱动 轨到轨输出 通用运算放大器评估模块 (EVM)

发表于 2019-04-18 19:06 34次阅读
TLV4112-DIE 具有关断功能的高输出驱动...

SSM2932 高效率、以地为参考的G类耳机放大...

信息优势和特点 以地为参考的G类输出级 效率极高,适合便携式应用 静态电流:1.7 mA(典型值) 功耗:每通道50 mW(16Ω负载,3.3V电源) 信噪比(SNR):98 dB(A加权) 217 Hz下电源抑制比(PSRR)为85 dB 电源电压范围:2.5V至3.6V 可选增益:0 dB或6 dB 高阻态输出模式支持共享输出插孔 关断电流:1 μA 短路保护 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情SSM2932是一款立体声耳机放大器,能够向16 Ω单端负载提供每通道50 mW的连续输出功率,THD + N阈值为1%。该立体声耳机驱动器采用高效率、以真实地为参考的G类技术。SSM2932集成一个增益控制引脚,可选择0 dB或6 dB的增益。由于采用以地为参考的输出方案,因此无需大型隔直电容,节省了系统成本和电路板空间。G类放大器经过精密调谐,可最大程度地延长电池使用时间,而这恰恰是便携式应用的一项关键任务。该器件延长电池使用时间是通过调制放大器供电轨,使其既与输出需求相匹配,而又不消耗过多电源电流,从而降低典型音频回放期间的功耗。    SSM2932的额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围,并具有输出短路保护和8 kV ESD保护(人体模型)。该器件采用...

发表于 2019-04-18 19:05 26次阅读
SSM2932 高效率、以地为参考的G类耳机放大...

LA6571 功率放大器,5通道驱动器,内置稳压...

信息 LA6571是用于迷你磁盘和光盘应用的5通道驱动器(BTL-AMP:5通道)。 功率放大器5通道内置。 IO max:1 A 内置电平转换电路。 静音电路(输出ON / OFF),内置三个电平通道(2-2-1)。 (对于MUTE1:CH1和2,MUTE2:CH3和4以及MUTE3:CH5中的每一个独立操作。不适用于稳压器(REG)) 内置稳压器(REG)(外部PNP晶体管)。 带外部电阻的电压设置(典型值:1.5V或更高) 过热保护电路(热关机)内置。...

发表于 2019-04-18 19:04 32次阅读
LA6571 功率放大器,5通道驱动器,内置稳压...

LA6500 功率运算放大器

信息 LA6500是一款通用功率运算放大器。 高输出电流(1.0 A) 高增益 集成电流限制器 可以单电源供电

发表于 2019-04-18 19:04 82次阅读
LA6500 功率运算放大器