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ARM暂停与华为的全部业务将对华为的芯片领域造成严重打击

2019年05月25日 09:37 次阅读

根据英国广播公司(BBC)获得的内部文件称,英国芯片设计商ARM将暂停与华为的全部业务。华为在芯片领域再次遭受打击。

本月15日,美国总统特朗普签署行政令,禁止美国公司使用由那些对国家安全构成风险的公司制造的通讯设备。与此同时,美国商务部工业与安全局(BIS)宣布将华为列入所谓“实体清单”,要求任何向华为出售产品的美国公司必须获得许可特批。

ARM暂停与华为的全部业务将对华为的芯片领域造成严重打击

此后,美国商务部虽然发布了“在90天内不会强制执行禁令”的消息,目的在于让华为及其合作伙伴“有时间”来维护支持当前全面运营的网络和设备,包括软件更新和补丁。

本月20日,谷歌宣布暂停支持华为部分业务的消息,本次的ARM暂停与华为的全部业务。让国内消费者对华为的未来多了几分担忧担忧。

华为手机处理器领域的麒麟、PC领域的鲲鹏都是基于ARM进行研发。如果ARM暂停与华为全部业务后,大家担心华为会像中兴一样,被卡住脖子,从而付出高额代价。华为能否继续在自主芯片研发上走下去呢?

首先,对于ARM公司出身而言。ARM公司最早是一家英国公司,2016年被日本软银公司收购了,公司收入营收主要于ARM指令集授权及版税收入。真正基于ARM架构研发芯片的则是华为等公司,这些公司接受的授权模式也不尽相同。

其次,从华为获得的授权来看。华为已经获得了ARM V8架构的永久授权,ARM V8是ARM公司的32/64位指令集,目前的处理器都是这一指令集的产物,授权问题不需要担心。

最后,华为可以基于该型号架构进行后续的芯片研发。但需要指出的是华为未来的芯片设计就拿不到最新、最先进的 ARM 架构授权。

因此,在笔者看来,即便ARM迫于某些压力不再授权ARM指令集给华为,华为也依靠掌握的核心技术和完整知识产权自主设计ARM处理器,短期不会对华为造成太大影响。

此外,据彭博社报道,华为已经储备了足够的芯片和其他重要组件,以保持其业务运行至少三个月。最终华为此次危机能否解除,很大程度上取决于中美贸易协议的进展。

可见,与ARM业务的暂停,在短时间不会对华为芯片研发造成影响。芯片的设计制造,是一个集高精尖于一体的复杂系统工程,难度之高不言而喻。我们不能只依靠华为一家公司去解决芯片产业链的所有问题。

经历了此前的中兴及目前的华为事件,中国企业应该将更多的精力投入到基础科技研发上,从而让中国企业不再被屡屡卡脖子。面对中国芯片的发展,虽然前途艰险,但我们仍需努力前行。

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发表于 2019-04-18 19:14 2次阅读
BAS16M3 100 V开关二极管

BAS16L 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 0次阅读
BAS16L 100 V开关二极管

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 0次阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 0次阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 18次阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm

发表于 2019-04-18 19:14 26次阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装

发表于 2019-04-18 19:13 20次阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)...

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用

发表于 2019-04-18 19:13 22次阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)...

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 26次阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准

发表于 2019-04-18 19:13 32次阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 30次阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 34次阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

发表于 2019-04-18 19:13 30次阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

发表于 2019-04-18 19:13 37次阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

发表于 2019-04-18 19:13 40次阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 44次阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-04-18 19:13 26次阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMO...

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

发表于 2019-04-18 19:13 32次阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMO...

CAT25256 256-kb SPI串行CMO...

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

发表于 2019-04-18 19:13 32次阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMO...

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

发表于 2019-04-18 19:13 34次阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS...

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

发表于 2019-04-18 19:13 36次阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS...

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V E...

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...

发表于 2019-04-18 19:13 26次阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V E...