日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1441 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381452 东芝推出了采用外形尺寸仅为0.8mm×0.8mm×0.3mm的SDFN4封装的LDO稳压器IC “TCR2EN系列”。
2012-02-06 09:22:011247 `<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中，小编将介绍其中一种类型的MOSFET，即P沟道MOSFET。基本概念沟道由大多数电荷载流子作为
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。1、N沟通和P沟道
2016-12-07 11:36:11
DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N沟道供应【20V MOS管 N/P沟道】SL206020V85A5毫欧TO-252封装N沟道
2020-06-06 10:41:14
该文件说，cyu***3035标志设计使用9.5mil直径0.8mm间距BGA封装焊盘上。垫大小似乎非常小的包。这是正确的吗？如果不是我应该用什么直径垫大小？以上来自于百度翻译 以下为原文
2018-08-18 04:18:33
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
刚入门，一些基本的知识都不了解，请问有经验的设计师。在做常用的PCB元件封装的时候，比如管脚是0.6mm，那焊盘中间通孔取0.8mm的样子（比管脚大0.2mm），那焊盘直径是不是取1.3mm左右，焊盘的尺寸如何确定，有没有什么经验标准啊？求指导
2014-10-11 12:51:24
10场效应管100V15A P沟道 TO-252 功率MOS管SL15P10 -100-15A 205毫欧TO-252 251【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N
2020-06-09 10:21:08
MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道
2020-06-13 11:47:55
03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N
2020-06-19 10:57:37
】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-09 10:23:37
，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x
2020-06-19 11:00:56
03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装
2020-06-20 10:04:16
N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道
2020-06-20 10:05:27
03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道
2020-06-20 10:11:31
SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x
2020-06-22 10:53:25
40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-22 10:57:12
40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-22 11:03:37
03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道
2020-06-24 10:37:08
SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P
2020-06-24 10:39:23
40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P
2020-06-24 10:40:54
DFN5x6A-8封装N沟道SLW7400 30V40A9.5毫欧 DFN3x3-8封装N沟道供应【20V MOS管 N/P沟道】SL206020V85A5毫欧TO-252封装N沟道
2020-07-28 09:28:16
40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-29 16:39:10
】SL40P03-30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03-30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL403 -30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道SL484 30V41A14毫欧TO-252封装 N沟道
2020-07-01 10:01:02
】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-09 10:36:41
SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道SL426460V10ASOP-8封装 N沟道
2020-07-27 17:15:08
03场效应管30V39A N沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:31:13
】SL40P03-30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03-30V-50ADFN3x3-8封装P沟道SL403 -30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道SL484 30V41A14毫欧TO-252封装 N沟道
2020-06-10 11:23:51
TO23-3L 封装N沟道SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道
2020-06-05 10:14:58
】SL488440V12.5ASOP8封装N沟道 【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-10 14:33:23
03场效应管-30V-50A P沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:35:56
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
本帖最后由 ilvhmfer 于 2012-8-16 19:02 编辑
为什么0603的电阻封装是1.6mm*0.8mm啊我画了一个板子，测量电阻的长宽是这个。。。但是，打出来的板子，他的长宽，貌似是6mm*3mm啊。。。PCB里面的不是应该和实物一致的么怎么会员如此大的差别。。。
2012-08-16 17:00:33
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
各位好，有没有2个N沟道和2个P沟道的集成芯片推荐，电流大于1A就可以了，谢谢
2021-10-11 10:27:45
的 NTNS3193NZ使用最新XLLGA3 3导线亚芯片级封装（见图3），尺寸仅为0.62 x 0.62 x 0.4 mm,是业界极其微型化的分立小信号MOSFET,总占位面积仅为0.38mm2.N沟道
2018-09-29 16:50:56
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要
2021-04-09 09:20:10
。STLQ020即日起投产，采用2mm x 2mm DFN6、0.8mm x 0.8mm倒装芯片4、2.1mm x 2.0mm SOT323-5L三种封装。高性能四路LDO稳压器评估板
2018-04-10 15:13:05
你好，我寻求CSG325 0.8mm间距BGA封装的布局信息。我想找到类似于UG112第87和88页中的建议，其中列出了焊盘尺寸，焊接掩模开口，焊盘尺寸等。是否有像CSG325这样的芯片级封装的类似
2019-04-12 13:51:20
本帖最后由 ♂霹雳 于 2014-5-5 01:42 编辑
如题类似IRF7416和FDJ128N,但是这两种要么是P沟道,要么就是贴片封装,但是我现在需要的是直插封装啊....求大神给个型号,最好是任何一个电子市场都能买到的最常见的型号,最好是IRF的
2014-05-05 01:40:57
接触到个项目，上面需要个数字温度传感器，要求高度不能大于0.8MM……最好是QFN封装的，没有的话其他封装也行但是我实找不到合适的型号…………有谁知道的，推荐一个参考参考，感激不尽
2019-01-14 04:12:47
按照APPCAD计算出来0.8mm 板厚 35um 铜厚，走线要1mm宽才能匹配2.4G 50欧姆的阻抗,如果1mm线宽，这个连接处不知道怎么连线 我的板子厚度是0.8mm ,天线是官方的标准库里面的
2022-08-01 06:15:26
推出并量产低温锡丝。无铅低温焊锡焊点亮度，焊接机械强度，拉伸韧性及电子导电率等指标均有较大提高,无铅低温锡丝直径从0.8mm,1.0mm 可供选择，里面含有松香，电烙铁直接焊接；本公司所生
2021-12-10 11:15:04
MUF-PK10K-X，连接器，0.8mm间距/接口 该连接器是带锁定机构的屏蔽接口连接器。插头侧：易于
2023-02-18 15:37:00
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23653 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52712 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49899 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571560 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081506 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301342 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40851 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13633 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211076 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13844 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 器件带有日光阻挡滤光片，采用小尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.8mm SMD封装，可实现光学检查 Vishay光电子产品部推出可用于智能家居、工业和办公设备的新反射式光传感器
2018-05-26 02:18:004890 MCP87130 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先进的封装和硅片
2018-06-29 11:23:00
2 MCP87090 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先进的封装和硅片
2018-07-02 10:23:0010 件间距为0.5、0.6、0.8和1.0mm，而且通过配接各种组合的垂直插头和母端护套高度，可以实现从4mm到20mm的板对板堆叠高度（增量为1mm）。
2018-09-25 10:48:505758 、TSOP574..和TSOP575..器件，具有0.8mm的超薄厚度，是目前市场上最薄的产品之一，感光角达到了惊人的150°。该接收器具有Vishay一贯性的高灵敏度，其接收距离达到了40米。 平板LED
2018-12-21 12:43:01160 本文档的主要内容详细介绍的是0.8mm双槽板对板BTB连接器的规格原理图免费下载。
2020-01-09 08:00:008 本文档的主要内容详细介绍的是0.5MM和0.8MM间距侧插板对板连接器公母座规格原理图免费下载。
2020-01-08 08:00:0012 本文档的主要内容详细介绍的是FCI间距0.8MM接插件AMP款公母座板对板连接器的规格原理图免费下载。
2020-04-22 08:00:002 0.8MM前脚的HDMI C TYPE沉板原理图
2021-08-02 11:10:313 KOYUELEC光与电子提供SUNLORDINC顺络电子0.8mm低背型合金粉芯绕线功率电感技术选型和方案应用
2023-01-04 14:23:19273 
R0E53033GCFG90 用户手册 (Converter Board for Connecting R8C/33G and R8C/33H 组s 32-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 18:47:140 R0E53033ACFG90 用户手册 (Converter Board for Connecting R8C/33A R8C/33C and R8C/33D 组s 32-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:18:320 R0E53036ACFG40 用户手册 (Converter Board for Connecting R8C/36A and R8C/36C 组s 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:19:480 R0E420000CFG40 用户手册 (Converter Board for Connecting H8S/Tiny Series 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:21:030 R0E5212L4CFG00 使用手册(32-pin 0.8mm间距LQFP转换板)
2023-04-28 19:11:320 M3T-64DIP-DMS 用户手册(64-pin RSS Type Emulator MCU转接64-pin 0.8mm pitch QFP转接板)
2023-04-28 19:54:350 R0E436640CFG20 用户手册（64-pin 0.8mm间距QFP转换板）
2023-05-04 19:44:440 R0E5212BACFG00 用户手册(64-pin 0.8mm间距LQFP转换板)
2023-05-04 20:04:450 R0E521276CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-05-08 19:55:450 R0E521134CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-05-09 19:41:400 R0E521276CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-06-27 19:35:380 R0E521134CFG00 用户手册（32-pin 0.8mm间距LQFP转换板）
2023-06-28 18:31:330 焊接时，需要采取严格的气体保护才能获得性能良好的焊接接头。下面来看看激光焊接机焊接0.8mm钛合金的技术工艺。 激光焊接机焊接0.8mm钛合金的技术工艺： 一、准备阶段 在准备阶段，需要先准备好焊接所需的所有材料，包括0.8mm钛
2023-12-14 11:28:15265 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08356 
电子发烧友网站提供《采用1.2mm x 0.8mm WCSP封装的TPS6283810小型6引脚3A降压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-08 09:53:100 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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