模拟技术
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常见的电平电路转换方法
当 SDA2 输出低电平时：MOS 管不导通，但是它有体二极管，MOS 管里的体二极管把 SDA1 拉低到低电平，此时 Vgs 约等于 3.3V，MOS 管导通，进一步拉低了 SDA1 的电压。...
2024-03-25 339
合科泰推出一款采用TO-263封装的N沟道MOS管HKTE180N08
大功率MOS通常具有耐高电压和扛大电流等特性，在大功率应用场景如电车、储能电站、光伏等高功率应用上具有重要作用。...
2024-03-22 367
什么是理想的运算放大器？运算放大器的基本应用
运算放大器广泛适用于各种物联网家用电器和其它电子应用领域的各类用途。例如，运算放大器用于放大来自传感器和测量仪器的模拟信号。...
2024-03-22 263
圣邦微电子推出一款具有可调节的使能阈值和滞回的300mA降压转换器
圣邦微电子推出 SGM61103，一款具有可调节的使能阈值和滞回的 3V 至 17V、300mA 降压转换器。该器件可应用于嵌入式处理、电池供电系统、9V 至 15V 待机电源、能量收集和逆变器。...
2024-03-22 406
高速ADC的电源拓扑结构设计方案
当供电轨上有噪声时，决定ADC性能的因素主要有三个，它们是PSRR-dc、PSRR-ac和PSMR。PSRR-dc指电源电压的变化与由此产生的ADC增益或失调误差的变化之比值，它可以用最低有效位(LSB)的分数、百分比...
2024-03-22 105
国基南方、55所碳化硅MOSFET出货量破1500万
碳化硅MOSFET能让新能源汽车充电速度提高5-10倍，续航里程提高8%以上，能耗降低50%，优异的性能让其成为新能源汽车所需的关键元器件。...
2024-03-22 83
什么是射频宽带放大器 射频宽带放大器的基本原理
射频宽带放大器在多个领域都有广泛的应用，包括但不限于通信系统（如手机、卫星通信、无线电广播等）、医疗诊断（如医学成像和其他医疗设备）和军事应用（如军事雷达和通信系统）。...
2024-03-21 367
安世半导体SiC MOSFET器件都有哪些独特功能呢？
碳化硅(SiC) MOSFET 日益普及的背后有一些关键的驱动因素，包括充电站、太阳能光伏(PV)、电动汽车(EV)驱动、不间断电源(UPS)和电池储能系统(BESS)等现代电力电子应用中对更高效率、更低能耗和更...
2024-03-21 338
ROHM开发出采用SOT23封装的小型节能DC-DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于京都市）面向冰箱、洗衣机、PLC、逆变器等消费电子和工业设备应用，...
2024-03-20 293
如何全方面了解三极管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。...
2024-03-20 150
压敏电阻易老化怎么办？
压敏电阻具有较大的寄生电容，当它应用于交流电源系统的保护时，往往会在正常运行状态下产生数值可观的泄漏电流。例如一个寄生电容为2nF的压敏电阻安装在220V,50hz的交流电源系统中，其泄...
2024-03-20 94
二极管在LDO电路中的常见应用方式
① LDO正常工作时，VIN大于VOUT，二极管D3截止； ② LDO掉电，出现VOUT下电比VIN下电慢的情况，反向压差可能会损坏LDO，加了D3，输入和输出电压差钳位在二极管压降大小，保护了LDO。...
2024-03-19 411
碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较
Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。...
2024-03-19 321
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。...
2024-03-19 123
电动自行车电池电量监测与报警控制电路图
首先看到的是由DB235和TL431组成的精密稳压电路，它的输入由电池(BATT)提供。输出经C6、C7滤波在蓝色标识a点得到平滑稳定的12V，为运算放大器LM324及后续电路提供供电支持，12V供电正常，12V经...
2024-03-19 383
igbt导通条件和关断条件
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。...
2024-03-18 943
变频器igbt工作原理和作用
IGBT的开关速度指的是从导通到截止（或反之）所需的时间。快速的开关速度有助于减少功率损耗和提高效率，但过快的开关速度可能会增加电压和电流的瞬态压降，导致器件损坏。...
2024-03-18 857
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